本发明提供了一种FDSOI器件的射频建模方法，包括如下步骤：对RF器件的直流特性进行建模；寻找划分自加热效应和衬底效应的分离频率；在高于分离频率的状态下，对栅网络进行建模，提取栅寄生网络参数；在高于分离频率的状态下，对衬底效应进行建模，...

本发明提供了一种SOI射频器件低温模型建模方法，包括：对射频器件在各温度下的直流特性进行建模；建立用于低温S参数仿真的小信号等效电路图；根据小信号等效电路图，从不同温度下的射频实测数据中提取小信号参数；将不同温度提取出来的上述参数进行建...

本发明涉及一种TDOA和FDOA联合估计的无源定位方法，包括以下步骤：S0预测信号源初始位置；S1根据信号源和各个感知节点当前所在位置计算各个感知节点信号的信号时延和多普勒频移；S2设定一个感知节点信号做为参考信号，计算每个感知节点信号...

本发明提供一种基于微悬臂梁的纳米氧化钒、氧含量调控及制备方法，调控方法是采用微悬臂梁的实时监测质量的功能，实现氧化钒前驱体材料中氧含量的精确调控，得出氧化钒前驱体材料氧含量减少量Δm随时间或温度的变化关系；制备方法包括：将氧化钒前驱体材...

本发明涉及一种MEMS电容式谐振器结构及其制作方法，该MEMS谐振器由两个Lamé模态矩形谐振子和多根纵向振动细长梁强耦合而成，其中Lamé模态矩形谐振子由2n+1(n为正整数)个正方形Lamé模态谐振子组合。纵向振动细长梁与Lamé模...

本发明涉及一种太赫兹多模激光模式分辨测量系统，包括：太赫兹量子级联激光器，用于产生多模激光；引导模块，用于将所述多模激光引入到反射模块中；反射模块，采用反射式闪耀光栅，用于将所述多模激光中预设的激光模式按照原光路反射回到所述太赫兹量子级...

本发明涉及一种基于地理位置与移动信息的AODV路由方法，应用于移动节点，包括以下步骤：获取源节点广播的RREQ消息，并根据接收到的RREQ消息判断自身是否为目的节点，所述RREQ消息包括节点地理位置与移动信息、以及最大移动代价；如果是目...

本发明涉及一体化多功能集成液滴微流控芯片及其应用，所述一体化多功能集成液滴微流控芯片包括液滴生成区(1)、生化反应孵育区(9)和液滴分选区(10)。本发明实现了单B细胞的液滴生成、孵育及分选一体化功能集成，满足高通量需求，有效降低了液滴...

本发明涉及一种基于TDOA和FDOA的三维无源直接定位方法，包括以下步骤：S0获取目标定位区域和信号源的初始位置坐标；S1设定感知节点中的一个作为参考节点，计算感知节点与参考节点之间的TDOA向量，并提取若干最小TDOA向量对应的感知节...

本发明涉及一种双向域弥合的行为识别方法，包括：获取待识别RGB图像帧序列及其类别文本；将所述待识别RGB图像帧序列输入文本提示生成模块得到生成式文本；将所述待识别RGB图像帧序列及其类别文本和所述生成式文本输入行为识别模型，得到所述待识...

本发明涉及一种高密度半导体存储器及其制备方法，包括从下到上依次设置的半导体衬底、第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、第三绝缘介质层；所述第一绝缘介质层内设有互连底电极，其底部连接半导体衬底内的有源区，顶部连接第二绝缘介质层内的底部电极；所述...

本发明涉及一种实时SuperPoint网络特征提取与描述方法及装置。其中方法包括：利用SuperPoint卷积神经网络模块对输入图像进行特征提取，并生成用于进行特征点提取的第一特征张量，以及用于进行描述子计算的第二特征张量；构建特征点提...

本发明涉及一种基于数据流驱动的片上卷积神经网络计算系统，包括：卷积神经网络模块，用于对输入图像进行特征提取并生成第一特征张量和第二特征张量；所述卷积神经网络模块包括由若干卷积层构成的共享编码器、特征点解码器和描述子解码器，各个卷积层之间...

本发明涉及一种偏振光学器件，包括基底，所述基底上周期性排布有不同尺寸的硅柱，每个硅柱根据其尺寸大小对入射光中不同波长及不同偏振态角度的入射光分量施加不同的相移，以使所述不同波长及不同偏振态角度的入射光分量汇聚于不同焦点。本发明利用独立相...

本发明涉及一种定制漏感的磁集成平面变压器设计方法，包括以下步骤：S0获取目标励磁电感和目标漏感；S1计算达到目标励磁电感所需的磁芯气隙长度；S2通过有限元仿真得到未开设气隙时磁芯窗口内的最大漏感L<subgt;lk0_max<...

本发明公开了一种基于蛋白质钝化石墨烯的葡萄糖电化学传感器及其制备方法和应用。该葡萄糖电化学传感器包括：玻璃衬底、工作电极、参比电极、对电极、涂覆在参比电极表面的Ag/AgCl油墨、以及形成于工作电极表面的复合结构，所述复合结构通过在工作...

本发明提供一种超导纳米线单光子探测器及探测装置，包括：蜿蜒绕设的多个依次级联的探测单元，各探测单元均包括至少2条并联的超导纳米线；其中，相邻拐角在超导纳米线的宽度方向上交错分布，且各拐角在超导纳米线的宽度方向上的尺寸大于探测单元中相邻超...

本发明涉及一种基于硅基异质集成薄膜铌酸锂平台的电光调制器，包括依次连接的第一硅基多模干涉耦合器、第一硅‑铌酸锂层间耦合器、T型微结构电极、铌酸锂调制臂、第二硅‑铌酸锂层间耦合器以及第二硅基多模干涉耦合器；所述硅‑铌酸锂层间耦合器由上至下...

本发明提供一种基于种子层的α相钽超导薄膜、制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：S1、提供衬底；S2、采用直流磁控溅射法，于所述衬底上表面生长铌金属种子层；S3、采用直流磁控溅射法，于所述铌金属种子层远离所述衬底的一面生长α相钽超导薄...

本申请提供了一种氧化镓功率器件及其制备方法，该制备方法通过将氧化镓衬底与器件衬底进行键合处理、退火处理之后，实现了氧化镓和器件衬底的异质集成，从而可以提升氧化镓功率器件的散热能力，之后通过对氧化镓异质结构进行开槽处理，显露部分器件衬底的...