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中国科学院理化技术研究所专利技术
中国科学院理化技术研究所共有6141项专利
硼铝酸盐、硼铝酸盐非线性光学晶体及其生长方法和用途技术
本发明的硼铝酸盐非线性光学晶体,其化学式为Rb↓[2x]M↓[2-2x]Al↓[2]B↓[2]O↓[7],其中M=Li、Na、K或其混合,0.1<x<0.9;不具有对称中心,属六方晶系,空间群为P321,Rb↓[2x]Na↓[2-2x]...
一种R*CaB**O**单晶的助熔剂生长方法技术
本发明涉及一种R↓[2]CaB↓[10]O↓[19]单晶的助熔剂生长方法,包括:按照R↓[2]O↓[3]∶CaO∶Li↓[2]O∶B↓[2]O↓[3]为1∶1.5~4∶1~10∶9~32的摩尔比配料,并进行预处理;然后在晶体生长炉中升温...
一种Na*La*B*O**晶体的助熔剂生长方法技术
本发明涉及一种Na↓[3]La↓[9]B↓[8]O↓[27]非线性光学晶体的助熔剂生长方法。包括:按照Na↓[3]La↓[9]B↓[8]O↓[27]∶Na↓[2]O∶B↓[2]O↓[3]∶NaF摩尔比为1∶5~7.54∶2.3~3.5∶...
一种三硼酸铯单晶的助熔剂生长方法技术
一种三硼酸铯单晶的助熔剂生长方法,步骤为:1)将三硼酸铯与助熔剂按比例混匀,以30-100℃/小时速率加热至730℃-850℃,恒温5-50小时,再冷却至饱和温度之上2-10℃,得到含三硼酸铯与助熔剂的高温溶液;助熔剂为MF,M为Li、...
氟硼酸铍盐非线性光学晶体及生长方法和用途技术
一种氟硼酸铍盐非线性光学晶体,分子式MBe↓[2]BO↓[3]F↓[2],M=Rb或Cs;采用熔盐生长方法制备:将氟硼酸铍盐与助熔剂按比例混匀,升温750-800℃,恒温后再冷却至饱和温度之上2-10℃,得含氟硼酸铍盐与助熔剂的高温溶液...
一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法技术
本发明涉及一种使用碎晶体作为初始原料的水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法,其为将作为营养料的氟硼铍酸钾/钠的碎晶放置于黄金衬套中的底部,按60~80%的充满度,加入含有0~2.0mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液,调整溶液的pH值...
一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法技术
本发明涉及一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法,其为将氟硼铍酸铷/铯营养料15~300g放置于黄金衬套中的底部,按60~80%的充满度在黄金衬套中加入含有0~2.5mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液,调整溶液的pH值1.0~14...
一种碱金属硼铝酸盐化合物及其单晶和制备方法技术
一种碱金属硼铝酸盐化合物及其单晶和制备方法,该碱金属硼铝酸盐化合物及其单晶的分子式为MBa↓[4]Al↓[2]B↓[8]O↓[18]Cl↓[3],M为Na,K,Rb或Cs;属四方晶系,空间群P4↓[2]nm,不具对称中心;化合物制备:将...
一种合成氟硼铍酸盐单相多晶粉末的方法技术
本发明涉及一种合成氟硼铍酸盐单相多晶粉末的方法,其为将含碱金属的化合物、氟化剂、BeO和含硼化合物按化学剂量比称取后放入坩埚中,加入水作为分散介质,搅拌均匀呈糊状;然后在小于200℃彻底烘干,冷却后将其研磨至研成细粉状;重新放入坩埚中,...
一种去除紫外吸收的含铝光学晶体的生长方法技术
一种去除紫外吸收的含铝光学晶体生长方法,将高纯度含Al、B和M化合物与NaF混配后置入坩埚中,M为K、Na、Rb、Ca、Sr、Ba、Y或Yb;升温至完全熔化;转移至密闭的还原性气体氛围生长炉中生长;在饱和温度以上5~20℃引入籽晶,恒温...
一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法技术
本发明涉及的CsLiB↓[6]O↓[10]晶体助熔剂生长方法:将CsLiB↓[6]O↓[10]与助熔剂按摩尔比配料,进行预处理得熔体;助熔剂为M′X、M″X↓[2]、PbO、Bi↓[2]O↓[3]、M′↓[3]Mo↓[3]O↓[10]或...
一种二氧化硅纳米管的制备方法技术
本发明提供了一种二氧化硅纳米管的制备方法,包括如下步骤:1)配制酒石酸的乙醇溶液,超声至酒石酸完全溶解,得到第一溶液,其中酒石酸的浓度为0.01~0.04mol/L;2)向上述步骤1)得到的第一溶液中加入质量百分比浓度为24~28%的氨...
CuTe单晶纳米带及其制备方法技术
本发明涉及CuTe单晶纳米带,特别涉及一种用电化学沉积制备CuTe单晶纳米带的方法。以Te的化合物和Cu盐为主要原料,以氨水为介质,以Pt片、饱和甘汞电极分别作对电极和参比电极,以导电玻璃或金属片(如Cu片)为工作电极,通过电化学分析仪...
无模板电化学沉积制备Te一维纳米结构的方法技术
本发明属于纳米材料制备技术领域,特别涉及无模板电化学沉积大量制备Te一维纳米结构的方法。本发明以Te的化合物和无机强碱为原料,室温下配制成水溶液。电沉积过程在标准三电极体系中进行,通过水浴维持反应体系恒定温度,给工作电极施加一定的电压,...
制备SnO2-ZnO异质纳米线的方法技术
本发明属于纳米氧化物半导体异质结构制备技术领域,特别涉及制备SnO↓[2]-ZnO异质纳米线的方法。本发明是采用两步气相沉积制备异质纳米线的方法。其方法包括以下过程:将SnO↓[2]粉与石墨粉,ZnO粉与石墨粉分别按比例混合,放入管式炉...
制备SnO2-ZnO异质纳米枝杈结构的方法技术
本发明属于纳米氧化物半导体材料异质结构制备技术领域,特别涉及制备特殊形貌的SnO↓[2]-ZnO异质纳米枝杈结构的方法。本发明是采用两步气相沉积制备异质纳米结构的方法。以Al↓[2]O↓[3]基片为衬底,通过气体传输,用两步热蒸发的方法...
可控制孔径的氧化铝模板的制备方法技术
本发明属于电化学领域,特别涉及可控制孔径的氧化铝模板的制备方法。通过选择多元酸与无水乙醇的混合液作为电解液,对电压,电解液种类及浓度等工艺条件的控制,制备得到直径分布范围较窄的纳米级孔道氧化铝模板。该方法在室温下进行。可制备得到直径在2...
化学沉积法制备卤化银/氧化铝纳米介孔复合材料的方法技术
本发明属于纳米介孔复合材料领域,特别涉及以化学沉积法,及以多孔氧化铝模板为介孔固体的卤化银/氧化铝纳米介孔复合材料的制备方法。本发明所述的制备方法就是AAO模板先经过超声处理,再用明胶水溶液、坚膜剂溶液和卤素阴离子盐溶液浸泡。随后,将处...
金刚石薄膜表面金属图形化的方法技术
本发明属于金刚石加工领域,特别涉及金刚石薄膜表面金属图形化的制备方法。通过金纳米粒子在金刚石薄膜片表面的自组装,使金的纳米粒子修饰到制备有光刻胶图案的金刚石薄膜片表面,由此方法在金刚石薄膜表面得到金纳米粒子组装图案。然后将制备有该图案的...
可控型微生物刻蚀装置制造方法及图纸
本发明涉及一种通过对加工对象及其附着微生物的热场、电场、磁场、光场、氧及二氧化碳浓度场等加以精细控制,从而借助于微生物与加工对象之间可控的生化反应,制造出特定空间结构的可控型生物微细加工装置。本装置可通过计算机控制加热微元件、电学或光学...
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