中国科学院金属研究所专利技术

中国科学院金属研究所共有7331项专利

  • 本发明的目的是提供一种具有高温超导电性的有序无机
  • 本发明涉及连铸铜坯的技术领域,特别涉及一种用于SCR法连铸铜坯的牵引机构,包括安装在线体上的牵引组件和顶升组件,所述牵引组件包括用于夹持铜坯的夹持组和带动夹持组相对于线体三维运动的三维滑台,所述三维滑台安装在线体的上方,且沿牵引方向布置...
  • 本发明属于锂离子电池正极材料技术领域,具体涉及一种锂离子电池正极材料镍锰酸锂的稀土元素表面和体相改性方法及宽温区应用。在制备镍锰酸锂过程中加入微量稀土金属元素,得到表面和体相存在锰族稀土氧化物第二相的镍锰酸锂,实现了镍锰酸锂电池在宽温区...
  • 本发明涉及粉末回收熔炼、铸造领域,具体涉及一种用于高温合金粉末回收的真空感应冶炼方法。该方法包括随炉添加的熔化引子最佳尺寸设计及粉末重熔工艺,通过公式计算出加入的熔化引子最佳尺寸,并按照特定的布料方式及熔炼工艺进行熔炼。通过熔化引子的加...
  • 一种用于单晶合金性能数据的统计方法,属于金属材料和信息技术领域,通过对铸造单晶合金的晶体学取向在多种耦合条件下测得的性能数据在圆周内绘制曲线,以获得数据分布图。通过对铸造单晶合金的晶体学取向在多种耦合条件下测得的性能数据在圆周内绘制曲线...
  • 本发明涉及透射菊池衍射测试与电池技术领域,具体涉及一种正极材料的原位电化学透射菊池衍射测试装置及方法。该测试装置由待测电池正极薄片、承载和固定待测电池正极薄片的FIB半分载网、用于固定FIB半分载网的载网架、用于组成电化学回路的纳米机械...
  • 本发明是关于一种铝基复合材料板材及其制备方法,涉及铝基复合材料技术领域。主要采用的技术方案为:所述铝基复合材料板材的制备方法,包括如下步骤:将铝粉、TiO2颗粒、SiC颗粒混合成第一原料;对所述第一原料进行烧结处理,得到第一板材;将铝粉...
  • 本发明涉及新型碳纳米管薄膜晶体管电路的三维集成应用领域,具体为一种叠层式碳纳米管三维集成电路及制作方法。组成电路的所有器件单元在垂直方向上逐个堆叠,每一个器件单元作为一层,衬底之上的相邻两层器件单元之间通过加入聚四氟乙烯层与氧化铝层共同...
  • 本发明涉及增材制造钛合金材料加工制备领域,具体是一种激光4D打印钛镍铪形状记忆合金零部件方法。成形钛镍铪形状记忆合金零部件方法包含根据零部件实际使用环境设计4D打印模型,同时选择不同成分配比的钛镍铪预合金粉末;采用激光4D打印的方式利用...
  • 本发明涉及防腐涂层领域,具体为一种具备腐蚀修复及早期腐蚀预警双功能的智能涂料及制备方法和应用。按重量份数计,组分一由如下组分及质量比配制而成:水性丙烯酸乳液30~60份,智能容器0.5~10份,水3~20份,助剂1~3份;按重量份数计,...
  • 本发明涉及形状记忆合金4D打印技术领域,具体为一种基于电子束4D打印钛镍铪形状记忆合金换热构件的方法。根据工业领域对中温智能换热应用需求,设计可变流道智能化换热构件,利用电子束4D打印技术选区熔化钛镍铪形状记忆合金换热构件模型,该模型由...
  • 本发明涉及Ti3C2T
  • 本发明涉及形状记忆合金4D打印技术领域,具体为一种基于4D打印热交换构件开关阀结构。采用交叠重合分片结构换热结构开关阀,交叠分片结构表面含有凹槽结构,闭合时不同分片结构凹槽互相重叠,保证分片之间不存留空隙,避免额外产生的流阻,结合4D打...
  • 本发明涉及材料组织控制与热处理领域,特别是涉及一种模拟厚大断面CrMo钢构件心部白色异常组织的方法。该方法的具体过程如下:(1)依据厚大断面CrMo钢构件的成分冶炼钢锭,并锻造成为试块;(2)通过高温扩散退火控制试块偏析状态;(3)利用...
  • 本发明涉及形状记忆合金4D打印技术领域,具体为一种基于4D打印制备智能热交换构件的方法。根据工业领域对智能化热交换复杂结构构件的需求,利用4D打印技术制备的换热构件开关阀随来流介质温度变化可改变形状的特性,实现热交换构件智能化自主控制,...
  • 本发明提供一种铝基复合材料板材及其制备方法,包括如下步骤:制备颗粒增强铝基复合材料圆柱状坯锭;其中,以质量百分含量计,颗粒增强铝基复合材料坯锭中的铝基体的化学成分如下:Zn 6~8wt%、Mg 1.5~2.5wt%、Cu 1~2wt%、...
  • 本发明涉及合金制备工艺领域,具体为一种通过构筑小型优质坯料制备大尺寸高熵合金的方法,解决目前大尺寸高熵合金难以制备、内部冶金缺陷严重等问题。采用真空电弧熔炼或真空悬浮熔炼法获得优质无缺陷的小尺寸高熵合金坯料,对小尺寸坯料进行表面加工清洁...
  • 本发明涉及航空发动机用M50NiL轴承钢热处理技术领域,具体为一种提高渗碳后稀土M50NiL钢力学性能的热处理方法。稀土M50NiL钢的化学成分及所占质量百分比为:C 0.11~0.15wt.%、Si 0.10~0.25wt.%、Cr ...
  • 本发明涉及光电探测器的研发与应用领域,具体为一种基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au/Gr/Ge光电探测器及构筑方法。该光电探测器包括顶部金属电极、晶圆级石墨烯插入层、Ge衬底,Ge衬底的顶部依次设置晶圆级石墨烯插入层和顶部金属电极,...
  • 本发明涉及液流电池电极材料技术领域,具体为一种液流电池用泡沫碳电极制备方法。该方法首先对三聚氰胺泡沫进行超声清洗干燥,然后将清洗后的泡沫浸泡于含石墨烯的溶液中,再将其置于惰性气氛管式炉中碳化,最后进行清洗和干燥即获得所述液流电池泡沫碳电...