本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种提高电弧离子镀沉积薄膜质量的装置，解决由于电弧离子镀中大颗粒的存在，严重影响了涂层和薄膜的性能和寿命等问题。本发明采用双层带孔挡板放置于电弧离子镀沉积装置的靶材与基体之间，与靶材和基体同轴放置，基体...

本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种利用动态磁场控制弧斑运动的电弧离子镀弧源。所述动态受控电弧离子镀弧源设有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座，靶材安装于靶材底座上，动态控制磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成，主控...

本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺，用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性，减少靶材大颗粒的发射，提高靶材刻蚀均匀性。本发明电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置，一套放置于靶材后面，另一套放置于真空室内，通...

本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的多模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置。该电弧离子镀装置设有靶材、旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座，真空室内设置基体夹座、靶材，靶材正面与...

本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的旋转磁控电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置，旋转磁场发生装置为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上，磁极数量为４ｎ或者３ｎ，ｎ≥...

本发明涉及含铼单晶高温合金及热处理等制备技术，具体为一种含铼镍基单晶高温合金及其制备工艺。按重量百分比计，合金成分包括：Ｃ０．１２～０．１８，Ｃｒ４．３～５．６，Ａｌ５．６～６．３，Ｃｏ８．０～１０．０，Ｍｏ０．８～１．４，Ｗ７．７～９...

一种低镍的二元ＴｉＮｉ及三元ＴｉＮｉＨｆ形状记忆合金板材制备方法，其特征在于，采用ＣａＯ坩锅进行真空感应熔炼、采用静液锻压进行铸锭的组织改性、以及缺陷的去除处理、板坯锻造和板材轧制的方法，具体过程如下：　（１）以海绵钛、电解镍及铪薄板为...

本发明涉及熔体浸渗及凝固技术，具体为一种多功能非晶复合材料制备设备，解决块状非晶合金宏观塑性较低、限制其应用范围等问题。本发明设备具有由上真空腔体和下真空腔体组成的真空室，中间可以通过盲板隔离也可以相互连通。上真空腔体内安装有感应加热线...

一种改善高强铝合金抗应力腐蚀性能的热处理工艺，其特征在于：该工艺对热加工高强铝合金依次进行固溶处理、一次淬火处理、预拉伸处理、高温短时时效处理、二次淬火处理、低温时效处理。

本发明涉及一种稀土系贮氢合金，即提供了一种适用于双级金属氢化物氢压缩机第一级用的贮氢合金Ｌａ↓［１－ａ－ｂ］Ｙ↓［ａ］Ｎｄ↓［ｂ］Ｎｉ↓［ｃ］Ｍ↓［ｄ］Ｍ′↓［ｅ］，其中０≤ａ≤０．７，０≤ｂ≤０．７，４．７≤ｃ≤４．９，０≤ｄ≤０．２...

本发明提供了一种含硼超高强度钛合金，该合金成分的质量百分数为Ａｌ　４．０～７．０，Ｍｏ　４．３～６．３，Ｖ　４．０～６．０，Ｃｒ　１．５～５．０，Ｆｅ　０．５～１．５，Ｂ　０．０５～０．１５，Ｔｉ余量；其中：杂质含量Ｏ＜０．１，Ｃｒ与Ｆ...

本发明提供了一种超高强度钛合金，该合金成分的质量百分数为Ａｌ４．０～７．０，Ｍｏ　４．３～６．３，Ｖ　４．０～６．０，Ｃｒ　１．５～５．０，Ｆｅ　０．５～１．５，Ｔｉ余量；其中：杂质含量Ｏ＜０．１，Ｃｒ与Ｆｅ含量之和小于等于Ｍｏ含量。本...

本发明涉及金属间化合物制备成形技术，具体地说是一种ＴｉＡｌ合金棒材的制备方法。工艺流程如下：坯料→均一化热处理→车削加工→包套→挤压→去包套→后续热处理，通过精确控制挤压间歇时间，以便使包套材料与ＴｉＡｌ合金在挤压变形中协调一致，成功得...

一种钛镍合金箔及板材的制取工艺，系属于合金领域，其主要特征是将钛、镍板相间叠放，用真空电子束焊封接，再采用热压或热扩散焊将钛板与镍板焊接起来，然后热轧减薄，扩散处理或揭层成箔，或经扩散处理后再进行一次或多次中间轧制－扩散处理，即可获得近...

本方法涉及一种贮氢材料的活化，其工艺方法是将难活化的金属或合金粉碎，与易活化贮氢合金一起放入球磨机，抽粗真空后充以Ａｒ气球磨０．５－２小时，形成伪二元素合金，在常压下装入贮氢材料的容器，抽粗真空后充以氢，在室温下经２４－４８小时，使吸氢...

一种块状非晶材料的制备方法，适合于压缩率比较大的合金，即Ｔ－Ｐ相图中ｄＴ↓［ｍ］／ｄｐ＜０的体系，如Ｔｉ系、Ａｓ系、Ｓｂ系、Ｓｉ系等合金，其特征在于工艺过程依下述步骤进行：将均匀合金加热加压，压力５ＧＰａ～１０ＧＰａ，加热至熔化；在高压...

本发明为一种块状致密纳米晶的制备方法，可以用下述两种方式实现，其一的工艺过程依下述步骤进行：在高压下将均匀合金加热，压力在５ＧＰａ～１０ＧＰａ，加热至熔化；在高压下冷却，冷速１ｋｓ↑［－１］～３００ｋｓ↑［－１］，至室温；卸压。其二的工...

一种金属间化合物加氢热化学处理方法，其特征在于：处理过程按下述步骤进行：加氢处理：将待处理样品放入真空炉中，加热至７００～８５０℃，充入高纯氢气至０．０２～０．３ＭＰａ，保温ｔ＝Ａ.Ｈ，其中Ａ为加热系数在５～１０分钟／ｍｍ，Ｈ为有效尺寸...

一种铜膜的制备方法，其特征在于：以晶粒尺寸小于１００ｎｍ的纳米金属Ｃｕ为原材料，纯度高于９９．９９５ｗｔ％，密度为８．９１±０．０３ｇ／ｃｍ↑［３］，在室温冷轧，变形速率：１×１０↑［－５］～１×１０↑［１］／ｓ。本发明制备出的铜膜表面...

一种制备超细晶粒组织变形镁合金的方法，其特征在于：将镁合金在３３０～３７０℃，固溶处理１～２小时；再在１３０～１６０℃时效８～１０小时；最后在３３０～３７０℃下，一次等温变形，变形量≥７５％。本发明将变形温度调高到固溶温度区，从而使得大...