中国科学院金属研究所专利技术

中国科学院金属研究所共有7331项专利

  • 本发明涉及透射电子显微镜样品制备技术领域,具体为一种自支撑薄膜类透射电镜样品及其制备方法。该薄膜类材料包括:利用物理和化学气相沉积方法,例如磁控溅射沉积技术制备的自支撑金属材料、非金属材料、复合材料等。该方法包括:利用超薄的自支撑碳纳米...
  • 本发明涉及功能薄膜材料领域,具体为一种纳米尺度多孔硒(Se)/碲(Te)化物薄膜材料及其制备方法,该多孔薄膜材料作为微型热电能源器件、微型传感器等方面的应用。该多孔薄膜材料为均匀沉积在金属、半导体或绝缘体光滑基底表面上的硒/碲化物薄膜层...
  • 本发明涉及铸造及复合材料制备领域,具体为一种SiC纤维增强TiAl基复合材料的液态吸铸制备方法,解决了传统固态制备法工艺流程复杂,成本高,复合材料易污染而导致力学性能差,复杂零件近净成型困难等问题。本发明通过(1)非自耗真空电弧熔炼母合...
  • 本发明属于金属材料制备领域,具体涉及一种高阻尼Mg‑Zn‑Ca‑Cu‑Y‑Zr镁合金。合金中各元素的重量百分比为:3.0~5.0wt.%Zn,0.5~2.0wt.%Ca,0.5~1.0wt.%Cu,0.5~1.0wt.%Y,0.5~0....
  • 本发明涉及金属材料镁合金领域,具体为一种低成本高强变形镁合金及其制备方法。该合金各组分及其重量百分比为:4.5~5.0%Zn、3.0~3.5%Sn、0.5~1.0%Mn、0.3~0.5Cu%、0.3~0.5%Ca,其余为Mg和不可避免的...
  • 本发明涉及金属材料钴镍基高温合金领域,具体为一种稳定γ′相强化的新型Co‑Ni基高温合金及其制备方法。合金各组分及其原子百分比为:10.0~40.0%Ni、5.0~12.0%Al、0~8.0%W、0.5~4.0%Ta、1.0~6.0%T...
  • 本发明属于钢铁材料热处理领域,特别是一种细化低碳低合金钢粒状贝氏体组织中M‐A岛的热处理工艺,适应于解决低碳低合金粒状贝氏体钢件在热处理后因显微组织中含有粗大的马氏体/奥氏体岛状组织(简称M‐A岛)引起冲击韧性偏低或波动的问题。在传统的...
  • 本发明涉及金属构件的耐摩擦磨损防腐蚀技术,具体为一种耐磨自润滑防腐蚀涂料及其制备方法与应用。按质量份数计,有机硅树脂5~70份,环氧树脂10~80份,防腐蚀填料2~30份,耐磨填料3~20份,润滑填料5~30份,涂料助剂0.5~4份,固...
  • 本发明涉及锂离子电池材料领域,具体为一种LiFePO4的水热合成方法,解决水热合成LiFePO4过程中,锂源不能充分利用,从而增加原料成本的问题。本发明采用一水氢氧化锂、磷酸和七水硫酸亚铁为原料,按照一定的比例配比,在搅拌状态下,利用微...
  • 本发明涉及金属单原子掺杂碳材料领域,特别是一种制备担载量可控金属单原子掺杂石墨烯的方法。以表面官能化石墨烯为基体,氮化碳、三聚氰胺、氨基酸、硫脲、尿素、二氰氨及聚乙烯吡咯烷酮等有机物原子级分散金属盐作为中间体,通过在保护性气氛下热解,制...
  • 本发明涉及石墨烯领域,具体为一种调控转移介质层柔性提高鼓泡转移石墨烯速度的方法。该方法包括:在生长基底上采用化学气相沉积法生长石墨烯;将转移介质与在生长基底上的石墨烯贴合,形成“转移介质/石墨烯/生长基底”的复合结构,通过提高转移介质层...
  • 本发明涉及石墨烯领域,具体为一种调控石墨烯电化学剥离的方法。采用CVD法在生长基底上生长石墨烯层,通过结合层使石墨烯与目标基底结合,形成目标基底/结合层/石墨烯/生长基底的复合结构;将此复合结构作负极,电解鼓泡剥离石墨烯薄膜,通过调节生...
  • 本发明涉及透明导电膜的制备技术,具体为一种利用平整基体作为模板制备网格结构的透明导电膜的方法,所制备的导电网格具有表面结构平整的突出特点。首先在平整基体表面形成导电网格,然后将透明基体与导电网格结合,最后将导电网格/透明基体与平整基体分...
  • 本发明涉及医用金属材料领域,具体为一种Fe‑Mn‑Cu‑C系合金及其应用。合金组分及重量百分比为:Mn 10~35wt.%,Cu 0.2~5.0wt.%,C 0.2~1.5wt.%,余量为Fe。本发明利用Fe在人体环境中可发生腐蚀而生物...
  • 本发明属于高温合金领域,具体为一种不含B元素的细晶Ni3Al合金的塑化方法。金属间化合物Ni3Al的成分为:Al:23~25at%,Ni余量,将该合金用定向凝固技术制备出单晶,将其进行冷轧变形,变形量控制在80%以上,中间无退火,使合金...
  • 本发明涉及包覆型碳纳米管核壳结构复合材料领域,具体为一种包覆型碳纳米管核壳结构复合材料的制备方法与应用,具体为:1)将碳纳米管氧化功能化,使其表面带有含氧官能团,然后分散到水溶液中,制备出氧化功能化碳纳米管分散液;2)利用表面活性剂将待...
  • 本发明涉及二维材料的转移技术,具体为一种采用包含液相界面层的复合转移介质实现洁净、无损转移大面积二维材料的方法。首先在位于初始基体的大面积二维材料表面形成液相界面层,并在液相界面层表面形成转移介质层;然后将转移介质/液相界面层/二维材料...
  • 本发明属于型材或管材领域,具体来说是一种型材或管材的弯曲设备和方法。该设备的加载单元,用于将外围设备提供的弯曲成形力F施加到柔性填料单元上;轴向套,沿着具有型腔的型材或管材坯料进给方向放置在加载单元下游,具有与型材或管材坯料外轮廓相同形...
  • 本发明涉及精馏填料制备领域,具体地说是一种用于陶瓷精馏填料组合粘接的装置及其使用方法。该装置含有波纹板自动进料系统、输运系统、转辊涂浆系统、粘接剂自动补充系统、波纹板自动组装堆叠系统和限位定宽装置等,波纹板自动进料系统可以实现以设定的频...
  • 本发明公开了一种纳米碳负载原子级分散铜基催化剂及其制备方法和应用,属于乙炔选择性加氢反应应用催化剂技术领域。所述原子级分散铜基催化剂在混合原料气中将乙炔加氢生成乙烯,催化剂的使用温度为100℃‑200℃;通过将铜以原子级分散在纳米碳材料...