一种具有多孔硅背反射层的晶体硅太阳电池，其特从受光面起向下排列顺序依次为：前电极（１）、表面钝化层（２）、Ｎ型硅层及织构结构（３）、在Ｎ型和Ｐ型层交界处形成的具有光伏效应的ＰＮ结（４）、Ｐ型硅衬底（５）、多孔硅背面反射层（６）、背面钝化...

一种用在ｎ型硅上的透明导电阴极接触结构，其基本特征在于：在ｎ型硅（１）上是ＬｉＦ层（２），然后在ＬｉＦ层（２）上是透明导电电极（３）。ＬｉＦ层（２）可以降低ｎ型硅（１）与透明导电电极（３）之间的接触势垒，提高电子的收集或注入效率。

一种纳米级别图形压印装置，其特征在于包括压力控制组件，运动保证可控组件，温度控制组件和吸附组件。压力控制组件位于安装在台架支撑板［６］上的压力导向圆筒［７］的中上部，运动保证控制组件通过花键导向圆筒［１３］安装在压力导向圆筒［７］下部，...

一种图形发生器，由接口电路［１］、双端口存储电路［２］、数字信号处理电路［３］、数模转换电路［４］、曝光／标记检测控制电路［５］、标记检测电路［６］、最终曝光数据寄存器单元［７］和束闸控制电路［８］构成，其特征在于，接口电路［１］分别与...

一种图形发生器，由接口电路［１］、双端口存储电路［２］、数字信号处理电路［３］、数模转换电路［４］、曝光／标记检测控制电路［５］、标记检测电路［６］、最终曝光数据寄存器单元［７］和束闸控制电路［８］构成，其特征在于，接口电路［１］分别与...

一种电子束缩小投影曝光成像系统，包括电子枪（１）、聚光镜（２ａ）、照明物镜（２ｂ）、缩小投影成像物镜（４ａ、４ｂ）以及物镜光阑（５），其中该电子枪（１）发出的电子经过聚光镜（２ａ）和照明物镜（２ｂ）均匀照射在掩模（３）上，通过非对称缩小...

一种极紫外光刻精密磁悬浮工件台。它由微定位平台组件［１１７］、粗定位平台组件［１２５］、基座组件［１３２］组成；基座组件［１３２］位于最底部，粗定位平台组件［１２５］位于基座组件［１３２］正上方，可以相对基座沿Ｙ向移动；基座［１０１］通...

一种太阳能热电联供系统。包括旋转抛物面碟式聚光镜［３］、旋转双曲面光谱控制系统［４］、聚光光伏电池组［２］、热管式热水器［５］。旋转双曲面光谱控制系统［４］的旋转双曲面的基体［７］的凸面涂有光谱选择性涂层［６］，背面平面涂有减反射涂层［...

一种电子束曝光过程实时显示系统。包括输入电源及其旁路电容组单元［１］、单片机控制单元［２］、Ｘ、Ｙ模数转换和隔离单元［３］、［４］、串口通讯单元［５］、译码与组合逻辑单元［６］、彩色液晶显示单元［７］。输入电源及其旁路电容组单元［１］为...

电子束曝光过程样片步进定位误差动态补偿系统，包括ＣＰＬＤ逻辑电路模块（１）、Ｘ方向高速光电隔离模块（２）、Ｙ方向高速光电隔离模块（３）、Ｘ方向１６位高速高精度数模转换模块（４）、Ｙ方向１６位高速高精度数模转换模块（５）、Ｘ方向输出极性控...

一种电子束图形扫描处理器，由接口电路［１］、复杂可编程逻辑器件［２］、数字信号处理电路［３］、数模转换电路［４］、图像检测电路［５］和工件台位置误差检测电路［６］构成。接口电路［１］与复杂可编程逻辑器件［２］连接，数字信号处理器电路［３...

一种含有Ｓｉ元素和Ｃ元素的ＭｇＢ↓［２］超导材料，其特征在于含有ＳｉＣ晶须或Ｓｉ／Ｎ／Ｃ纳米粉。制备所述的ＭｇＢ↓［２］超导材料的方法，其特征在于，将Ｍｇ粉，Ｂ粉，ＳｉＣ晶须（或Ｓｉ／Ｎ／Ｃ纳米粉）按照摩尔比（０．８－０．９７５）∶（１...

一种ＭｇＢ↓［２］超导材料，其特征在于含有ＳｉＣ。制备所述的ＭｇＢ↓［２］超导材料的方法，其特征在于，将Ｍｇ粉，Ｂ粉，纳米ＳｉＣ粉按照摩尔比（０．８－０．９７５）∶（１．８－１．９５）∶（０．０２５－０．２）配制并混合均匀，装入铁管或铁...

一种消色差浸没干涉成像光刻系统，包括激光器（１）、扩束准直空间滤波装置（２）、偏振控制装置（３）、定时快门（４）、分束光栅（５）、０级衍射光控制器件（１０），复合光栅（７）、浸没液体层、抗蚀剂硅片（１１）及硅片工作台（１２）。分束光栅（...

一种利用原子力显微镜的套刻对准方法及装置，其方法包括以下步骤：（１）在第一层图形写入的同时写入套刻对准标记；（２）在第二层图形刻写之前对其工作区域扫描成像，根据扫描成像的结果对第二层图形结构的坐标进行修正；（３）以修正后的图形坐标刻写第...

一种极紫外光刻掩模台静电卡盘冷却器，阵列式热电制冷器［４］位于静电卡盘［２］盘面底部，制冷器冷端绝缘导热板［３０２］与静电卡盘［２］平面盘底部接触；掩模板［１］通过静电吸附力，附着在静电卡盘［２］盘面上部。阵列式热电制冷器［４］由若干块...

一种二硼化镁超导材料及其制备方法，其特征在于：二硼化镁超导材料中掺杂有选自脂肪酸、脂肪酸衍生物及其脂肪酸盐中的一种或者多种化合物Ｘ，其中Ｍｇ和Ｂ组分的摩尔比Ｍｇ∶Ｂ＝１∶ｙ，其中ｙ的数值介于１到２．５之间，Ｍｇ和Ｂ组分质量之和与掺杂物质...

一种集成化晶硅太阳电池及其制造方法，其特征在于，太阳电池为背接触太阳电池结构，其电极均处于电池背面，太阳电池栅线电极与集成电路处于同一侧。太阳电池的部分结构能够与集成电路一起基于标准集成电路制造工艺来完成，并在此流片的基础上，本发明结合...

一种测量晶体硅少子寿命的化学钝化方法，将经过去损伤层处理后的硅片在常温下用去离子水稀释３９％或４９％的高浓度氟化氢溶液漂洗，去除硅片表面的自然氧化物，将硅片放入透明的，耐氟化氢ＨＦ，对电信号无干扰的塑料袋中，然后在晶体硅前后表面滴几滴浓...

一种ＭｇＢ↓［２］超导材料的制备方法，按照摩尔比Ｍｇ∶Ｂ＝１∶２称量Ｍｇ粉和Ｂ粉，同时称量一种质量为Ｍｇ粉和Ｂ粉总质量５％－３０％的有机酸或有机酸盐，溶于５－５０ｍＬ丙酮或乙醇中，将所得溶液与Ｍｇ粉和Ｂ粉混合后，球磨１－１０小时，然后在...