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中国科学院电工研究所专利技术
中国科学院电工研究所共有3903项专利
一种超导储能磁体输出变流器制造技术
一种超导储能磁体输出变流器,其脉冲升压变压器T1原边N1的中间抽头同超导储能磁体L1的正极连接,原边N1两端的抽头分别同两个绝缘栅双级晶体管的集电极连接;两个绝缘栅双级晶体管的发射极串联并连接超导储能磁体L1的负极;脉冲升压变压器T1副...
H桥级联型有源电力滤波器制造技术
一种H桥级联型有源电力滤波器,由A相阀电路LINKA、B相阀电路LINKB、C相阀电路LINKC与无源滤波电感支路,以星型或者三角型连接并入电网。每相阀电路包含公共交流母线、单相变压器组、直流隔离电容和电感串联电路组、单相H桥辅助变换器...
一种制备锐钛矿TiO2单晶的方法技术
一种制备锐钛矿TiO2单晶的方法,其特征为以TiO2粉末为原料,通过水热反应,将TiO2粉末先溶解在氢氟酸溶液中,然后将溶解了TiO2粉末的氢氟酸溶液与稀双氧水溶液混合;在100-200℃下进行水热反应;反应结束后,将产物洗涤至pH值达...
一种具有(001)面外表面的花状TiO2纳米材料及其制备方法技术
一种具有(001)面外表面的花状TiO2纳米材料及其制备方法。所述TiO2纳米材料直径为100nm~500nm,具有花状结构,由许多顶面为(001)面的截顶角金字塔状TiO2纳米晶体组成。制备所述具有(001)面外表面的TiO2纳米材料...
一种具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的制备方法技术
一种具有较大(001)面面积的锐钛矿TiO2单晶的制备方法,其特征为以钛粉为原料,通过水热反应,将钛粉先溶解在氢氟酸溶液中,然后将溶解了钛粉的氢氟酸溶液与稀双氧水溶液混合;在100-200℃下进行水热反应;反应结束后将产物洗涤至pH值达...
一种窗格状TiO2材料及其制备方法技术
一种窗格状TiO2材料及其制备方法;所述的窗格状TiO2单晶具有类似镂空窗格的形貌,并具有单晶结构,窗格内框顶端每边的边长为0.5~1.5μm,相对应两边的距离为1.0~3.0μm。制备所述窗格状TiO2材料的方法为以TiO2粉末为原料...
一种提高电压信号采集精度的采集电路制造技术
一种能提高电压采集精度的采集电路,由分压电路(1)、分段识别电路(2)、放大电路(3)和A/D采集芯片(4)组成。分段识别电路(2)根据用户设定的中间值V1判断电压采集信号位于低压区间(0,V1)还是高压区间(V1,V),并输出一个相应...
一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法技术
一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法,其特征在于,首先用常规等离子体增强化学气相方法在晶体硅太阳电池的硅衬底表面沉积SiNx:H减发射薄膜,然后在原位先用N2等离子体进行表面物理轰击,时间为10-15秒,以去除SiN...
碳化硅泡沫陶瓷增强辐射吸收的高温空气电阻炉制造技术
一种碳化硅泡沫陶瓷增强辐射吸收的高温空气电阻炉,采用电炉丝加热棒(6)、硅碳棒(8)组合加热的方式为高温空气电阻炉提供加热热源。利用碳化硅泡沫陶瓷吸收热辐射,耐高温,比表面积大的特点,在高温空气电阻炉炉体(2)内插入一定厚度和孔隙率的碳...
双机械端口电机及其驱动控制系统技术方案
一种双机械端口电机及其驱动控制系统,主要包括第一机械端口[5]、第二机械端口[4]和定子[6],其特征在于径向磁通结构的外转子有多种结构。双机械端口电机驱动控制系统的拓扑结构:一个电机控制单元[16]控制逆变器[11]和逆变器[12],...
一种空气介质的常压多效蒸发冷凝海水淡化装置制造方法及图纸
一种以空气介质的常压多效蒸发冷凝海水淡化装置。该淡化装置主要包括中低温热源(13)、第一级加热蒸发器(14)、蒸发冷凝器(4)和末级冷凝器(8);第一级加热蒸发器(14)、蒸发冷凝器(4)和末级冷凝器(8)依次紧密安装。中低温热源(13...
一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法技术
一种青铜工艺Nb3Sn超导体多芯线接头及其制备方法,接头的结构由内层至外层分别为:稳定芯、超导连接单元、Nb管和Cu管,上述各层次之间紧密贴合。超导连接单元由内层至外层分别为Nb丝、Nb3Sn化合物层、Cu-Sn合金镀层,其中同一超导连...
低温超导电流引线密封装置制造方法及图纸
一种低温超导电流引线密封装置,包括密封法兰(1)、密封孔(2)、低温超导电流引线(3)、低温环氧树脂(4)。密封法兰(1)上开有多个密封孔(2)。低温超导电流引线(3)插入密封孔(2)内,密封孔(2)和低温超导电流引线(3)之间留有径向...
一种聚吡咯/石墨烯复合材料的制备方法技术
一种聚吡咯/石墨烯复合材料的制备方法,将氧化石墨通过水合肼还原后的产物用去离子水洗涤得到均匀分散的石墨烯胶体,用该石墨烯胶体与吡咯单体按一定的比例混合后超声分散,然后置于冰浴条件搅拌,再将FeCl3的盐酸溶液缓慢滴加入反应物中,滴加完毕...
一种限流储能电路及其控制方法技术
一种超导限流储能电路及其控制方法。它将超导磁体通过电流源变流器、滤波电容、开关、压敏电阻和变压器等与电网串联连接。在正常状态下,通过控制电流源变流器注入滤波电容的电流,改变滤波电容的电压,补偿电网的电压畸变,进而改善负载的供电电压质量。...
用于测量空间磁体二极磁矩的装置及方法制造方法及图纸
一种用于空间磁体的二极磁矩的测量装置包括空间磁体(1)、支撑杆(2)、旋转架(3)、吊杆(4)、Helmholtz线圈(5)、支承座(6)、测力仪(7)和固定架(8)。由于Helmholtz线圈(5)产生的磁场和空间磁体(1)的磁矩相互...
一种反射镜面与旋转中心偏离的定日镜的方位-俯仰跟踪方法技术
一种反射镜面与旋转中心偏离的定日镜的方位-俯仰跟踪方法,首先求得定日镜镜面中心的准确法向,然后在俯仰旋转轴与镜面中心处的切平面平行的条件下,计算定日镜的跟踪方位角和跟踪俯仰角。测量出单位目标向量测量出定日镜方位旋转轴的倾斜角度ψt和ψa...
一种用于电压源逆变器的死区补偿方法技术
一种用于电压源逆变器的死区补偿方法,在传统SVPWM调制策略的基础上,根据两个非零基电压矢量在一个PWM周期Ts内作用时间t1、t2和电压源逆变器实际死区时间Td进行死区的时间补偿。将所述的两个死区补偿时间tcom1、tcom2分别和两...
一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构制造技术
一种用于太阳电池的薄膜硅/晶体硅异质pn结结构,其特征在于,在由掺杂类型相反的薄膜硅层和晶体硅层构成的异质pn结的薄膜硅层和晶体硅层之间插入一层本征非晶硅锗层做异质结界面的钝化层。所述的本征非晶硅锗层是单一组分的或组分渐变的。与现有的薄...
一种用于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的陷光结构制造技术
一种用于薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的陷光结构,所述的陷光结构包括:晶硅衬底(2)、在所述晶硅衬底(2)上的掺杂薄膜硅层(3)、在所述掺杂薄膜硅层(3)上的透明导电电极(4),以及在所述掺杂薄膜硅层(3)和所述透明导电电极(4)之间的金...
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