本发明Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［３］化合物单晶纳米线有序阵列及其制备方法，特征是按物质的量之比为２∶１，以柠檬酸盐配位Ｓｂ↑［３＋］；按物质的量之比为４∶１，以硝酸溶解Ｔｅ粉；按ＳｂＯ↑［＋］∶ＨＴｅＯ↓［２］↑［＋］摩尔浓度比２∶３混合上述...

本发明碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法，特征是将反应物水溶性镉盐、碲源和还原剂按照１∶１∶２－３的摩尔比溶解在３０－４５ｍＬ质量分数为２０％－３０％的氨水溶剂中，密闭在１６０－２００℃下反应不少于３天。采用本发明方法能够在较低温度下生长出...

本发明具有钙钛矿结构的透明导电氧化物单晶膜及制备方法，特征是采用激光脉冲沉积镀膜，在单晶基底钛酸锶ＳｒＴｉＯ↓［３］（ＳＴＯ（００１））上外延生长得到具有立方钙钛矿单晶结构的镧锶锡氧单晶薄膜；薄膜中各元素按化学式Ｌａ↓［ｘ］Ｓｒ↓［１－...

本发明涉及发光材料，具体涉及氮化硅基纳米线及其制备方法。所述的发荧光的氮化硅基纳米线为α－Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］相，在纳米线氮化硅基的晶胞空隙中容纳有稀土金属离子，形成金属离子固溶体为发光中心的纳米线，或者在该纳米线的表面覆盖有氮化硼保...

本发明Ｔｅ／Ｂｉ或Ｔｅ／Ｂｉ↓［２］Ｔｅ↓［３］核壳异质结结构纳米线及其制备方法，特征是采用乙二醇为溶剂，聚乙烯吡咯烷酮为有机添加剂，以Ｔｅ纳米线为原位模板的液相外延法合成出Ｔｅ／Ｂｉ和Ｔｅ／Ｂｉ↓［２］Ｔｅ↓［３］核壳异质结结构纳米线...

本实用新型用于电化学沉积纳米线阵列的电解槽，特征是由立式圆筒状槽体、橡胶垫圈、圆片状阴极和底座自上而下依次叠接而成，所述立式圆筒状槽体的下部为带有内螺纹的接口，底座的上部为与槽体接口内螺纹相配合的外螺纹，底座上开有小孔，阴极导线经小孔穿...

本发明制作活动微结构的方法，特征是先在导电的衬底上涂覆光刻胶，根据活动微结构形状制作光刻掩模，光刻、显影，得到和掩模上图形相反的光刻胶图形；采用电镀法直接制作牺牲层；将残留的光刻胶去除干净，再涂覆一层光刻胶，采用光刻和微电铸在衬底和电镀...

本发明金属／有机多层膜的制备方法，特征在于先用射线辐照还原含有表面活性剂和ＯＨ自由基瘁灭剂的无机盐水溶液制备配位体稳定的金属纳米粒子，再采用电泳法淀积金属／有机多层膜；其金属层为致密、排列有序的单晶或取向膜，质量比现有ＬＢ膜的金属层好；...

本发明低摩擦系数复合材料微电子机械模具制作方法，特征是在常规ＬＩＧＡ技术的电铸工艺前，将含微电子机械光刻胶图形的金属基片放入每升电镀液中含５－４０ｇ低摩擦系数材料的电镀液中进行电镀；所述低摩擦系数材料可选用聚四氟乙烯或／和碳６０；所用电...

本实用新型去除纳米氧化铝模板背面铝层的装置，特征是在螺帽形底座与中空柱体之间采用内、外螺纹相配合的接口，垫片、氧化铝模板与垫圈自下至上依次叠于柱体接口和底座内底平面之间，底座的内底面开有小孔；使用时，将螺纹接口调节到松紧适当，将去铝溶液...

本实用新型涉及真空溅射镀膜技术，具体涉及一种用于管道内壁进行镀膜的装置。它包括现有溅射镀膜中使用的与涡轮分子泵排气机组及反应气体流量控制系统连通的进气辅助真空室、与真空度测量控制系统及膜厚测量控制系统连通的辅助真空室、高纯金属溅射靶，所...

本实用新型涉及化学气相化学淀积或有机金属化学气相淀积装置的改进。该装置包括现有技术中的气路系统、反应室、送样机构、输运管路系统、真空机组、尾气处理和报警系统以及操作控制系统，所述反应室至少有两个，每个反应室分别设有送样机构或共用送样机构...

本发明制备金属镍薄膜的方法，是把衬底浸在含有一定浓度醋酸镍、异丙醇、醋酸铵和氨水的水溶液中，置于γ射线源中辐照３×１０↑［４］－５×１０↑［５］Ｇｙ，能获得膜厚可控的镜面状金属镍薄膜，该方法可在常温常压下操作，工艺简单易行，无论是导电或...

本发明制备金属及合金薄膜的方法，以低压热化学气相淀积法为基础，其特征在于采用具有高能量密度的红外光源或经过聚焦的普通红外光源，使β－二酮类金属有机化合物源受光照挥发后，与还原性气氛混合，在热的衬底表面上反应，从而在衬底上获得金属或合金薄...

本发明涉及金属、金属氧化物或金属薄膜的制备方法，把含有一定组成的可溶性金属盐、异丙醇的缓冲溶液体系，置于紫外光源下，控制溶液吸收的辐照能在４０－３０００Ｊ／ｍｌ，可制备出粒度均匀、尺寸在１０－１００ｎｍ金属或金属氧化物超细粉，或在衬底上...

本发明提供了一种锑（Ｓｂ）诱导Ｃ↓［６０］薄膜生长方法及Ｃ↓［６０］薄膜。本发明方法是在常规的Ｃ↓［６０］薄膜生长方法中引入表面活性剂锑（Ｓｂ）。采用本发明方法生长出的Ｃ↓［６０］薄膜可以为分形晶体、枝晶或单晶构成的多晶膜，也可以为（１...

本发明金属氧化物或合金薄膜的气溶胶源等离子化学气相淀积方法及装置，特征在以金属有机化合物或金属无机盐的溶液为前驱源，添加适量的反应促进剂和表面活性剂，超声雾化后以载气载带至淀积反应区；借助等离子体活化、分解成金属氧化物并形成等离子体，经...

本发明涉及采用激光的方法和装置来制备薄膜材料，尤其是涉及脉冲激光沉积的方法和装置。它是在传统制备方法和装置的基础上，在靶和衬底之间增设了颗粒选择阻挡件，用脉冲激光轰击靶材料使之小颗粒沉积在衬底上；亦即在本发明的制备装置结构中除了原有的激...

本发明在汽相中制备自组装单分子膜的方法及汽相组装仪，特征是将新鲜的基片放入由带真空阀的管道连接的两个真空室构成的汽相组装仪中之可抽真空的真空室中，封闭后抽真空；移取待组装的物质至组装仪中之另一个真空室中；将连接两个真空室的真空阀打开一段...

本发明涉及化学气相化学淀积或有机金属化学气相淀积装置的改进。该装置包括现有技术中的气路系统、反应室、送样机构、输运管路系统、真空机组、尾气处理和报警系统以及操作控制系统，所述反应室至少有两个，每个反应室分别设有送样机构或共用送样机构，每...