中国科学技术大学专利技术

中国科学技术大学共有15570项专利

  • 挠曲电压电材料
    本公开涉及一种挠曲电压电材料,所述挠曲电压电材料由单面还原或双面还原的铁电材料形成,其中所述铁电材料具有向还原面或向非还原面拱起的结构,或者具有将所述拱起的结构磨平后得到的结构,或者具有两面均匀还原形成的结构。
  • 本研究选取高表达的启动子,构建了能稳定表达绿色荧光蛋白和红色荧光蛋白的穿梭质粒,从而得到各种能稳定且高水平表达荧光蛋白的金葡菌菌株。该技术代替了传统的染料标记,能实现实时动态观察,对金葡菌在生物膜形成、细胞侵染以及动物侵染过程中的生物学...
  • 一种聚二甲基丙烯酸乙二醇酯微球的制备方法
    本发明提供一种聚二甲基丙烯酸乙二醇酯微球的制备方法,包括以下步骤:将二甲基丙烯酸乙二醇酯、引发剂、4-乙烯基吡啶、甲醇和水混合,得到混合溶液;将所述混合溶液在密闭的环境中进行反应,得到聚二甲基丙烯酸乙二醇酯微球。本发明提供的制备方法以甲...
  • 本发明公开了一种两阶段协作的媒体边缘云调度方法及装置,属于多媒体网络通信领域。该方法和装置,根据用户访问模式不同的变化幅度,灵活地采用在线服务迁移方法或动态内容部署方法来进行资源调度;同时,在动态内容部署过程中,还利用在线服务迁移方法来...
  • 本发明涉及一种以四氯化硅为原料合成硅纳米粉的方法及其应用,属于纳米硅粉的制备及应用领域,具体地涉及一种在熔盐体系中以四氯化硅为原料低温制备高性能纳米级硅粉的工艺,所制备硅纳米粉用作锂离子电池负极材料。
  • 一种用于X射线光栅相位衬度成像的背景扣除方法
    本发明公开了一种用于X射线光栅相位衬度成像的背景扣除方法,成像系统包括X光机(1)、源光栅(2)、分束光栅(3)、样品室(4)、分析光栅(5)和X射线探测器(6)。本发明利用相位步进法采集到的图像,通过循环移动样品图像和背景图像的顺序,...
  • 本发明公开了一种用于一/多价离子选择性分离的电纳滤装置,其特征在于:由阳极室、阴极室及夹在阳极室和阴极室之间的一组或多组功能隔室单元构成;功能隔室单元由淡化室和浓缩室构成;阳极室、阴极室与功能隔室单元之间通过离子交换膜间隔,同一组功能隔...
  • 本发明涉及一类可以作为高尔基体细胞器探针的新型喹啉染料,通过对该染料与商用的高尔基体细胞器染料在人骨肉瘤细胞U2OS细胞内成像结果的比对,证实了该染料对高尔基体细胞器的靶向定位。该染料在标记高尔基体细胞器领域有着巨大的潜在作用。
  • 一种提高铁电氧化物材料的挠曲电效应的方法
    本公开涉及一种提高铁电氧化物材料的挠曲电效应的方法,所述方法包括将铁电氧化物材料进行化学还原。
  • 本发明公开了一种用于制备具有微观层状结构的材料的冷冻方法,其特征在于首先将所要制备的层状材料的前驱体组分分散到水溶液中制备前驱体溶液,然后将前驱体溶液加入到冷冻模具中,通过调控冷冻面的温度梯度来促使溶液结冰过程中冰晶呈平行的层片状取向生...
  • 本发明公开了一种可调节分辨率的TDC及基于该TDC的ADPLL,基于可调节分辨率TDC的ADPLL能够根据DCO输出时钟周期(频率)调节分辨率,从而满足宽带输出频率的要求,有效克服传统TDC仅适用于窄带的缺陷;同时,针对不同的分辨率,T...
  • 一种适用于非视距散射通信的光电收发器件
    本发明公开了一种适用于非视距散射通信的光电收发器件,包括:复数颗发光二极管、置于所述复数颗发光二极管前端的发送端透镜、接收端透镜以及置于接收端透镜后端的光探测器;其中,所述复数颗发光二极管通过发送端透镜向外发送具有椭圆形横截面的紫外光束...
  • 一种电热致动器及其形成方法
    本申请公开了一种电热致动器及其形成方法,在SOI的预设区域上蒸镀金属层,采用标准的半导体加工技术,将SOI的顶层硅加工成V字型结构的电热致动器,V字型结构的两端固定,V字型结构的内角部分与纳米线的固定端相对的活动端连接,且与纳米线一体成...
  • 一种人工肝体外工作平台
    本发明提供了一种人工肝体外工作平台,包括:带有第一通道的上层芯片,所述第一通道位于上层芯片的下表面;带有通槽的中层芯片;带有第二通道的下层芯片,所述第二通道位于下层芯片的上表面;设置在所述上层芯片和中层芯片之间的第一多孔膜,设置在所述中...
  • 一种基于云平台的信息安全攻防教学系统
    本发明公开了一种基于云平台的信息安全攻防教学系统,该系统利用云平台的优势,通过模拟真实情境,通过在真实环境中实际操作,使教学更具趣味性、互动性,深刻理解信息安全基础理论,透彻掌握信息安全攻防技能;此系统能满足不同层次人员使用,包括本科生...
  • 本发明提供了一种大面积电容材料及其制备方法,该电容材料为CC/Fe2O3,其中CC为一种碳布。本发明提供了一种对称型电化学电容器,其包括正极、负极、电解液、隔膜及集电器,所述正极和负极的材料为CC/Fe2O3。本发明提供的对称型电化学电...
  • 本发明公开了一种低功耗低温漂的CMOS基准电压源,包括:启动电路、偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路;其中,所述启动电路、偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路的直流输入端均与直流电源VDD相连;所述...
  • 一种掺杂F的氧化铁大面积电容材料、高能量密度和功率密度电容器及其制备方法和应用
    本发明提供了一种掺杂F的氧化铁大面积电容材料及其制备方法,该电容材料为CC@Fe2O3-F,其中CC为碳布,@代表表明Fe2O3-F包覆于CC表面。本发明提供了一种对称型电化学电容器,其包括正极、负极、电解液、隔膜及集电器,所述正极和负...
  • 由有机材料催化热解制备含氮芳香性化合物的方法
    本发明涉及一种由有机材料催化热解制备含氮芳香性化合物的方法,所述方法包括:将有机材料和催化剂进料至反应器;在所述反应器中,在含氮气体的存在下,在加热条件下,使所述有机材料进料在催化剂的催化下进行反应,产生包含所述一种或多种含氮芳香性化合...
  • 一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源
    本发明公开了一种高性能高可靠度的低压CMOS基准电压源,包括:启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路;其中,所述启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路与基准电压产生电路的直流输入端均与直流电源VDD...