本发明公开了一种有源电感并联峰化结构，其特征在于，包括一个用于将来自跨导电路的电流转换为电路输出电压的负载阻抗电路、一个对负载阻抗电路输出端电压进行时域延迟和频域低通滤波处理，并进行电位平移附加处理的负载阻抗电流控制电路，所述负载阻抗电...

本发明公开了一种基于ＰＤＳＯＩ工艺的电荷泵电路。由于ＰＤＳＯＩ工艺中，晶体管器件为全介质隔离，没有共同的衬底或阱区，可以将其体区作为电路的设计变量，本发明正是基于这样一种构思，占空比为１∶１的时钟通过两相相互交叠时钟产生电路（１１）产生...

本发明公开了一种具有抗地弹效应的输出电路，其特征在于，使用ＰＭＯＳ阈值电压调整电路（１０５）调整ＰＭＯＳ输出晶体管（１０１）、（１０２）的阈值电压，使用ＮＭＯＳ阈值电压调整电路（１０６）调整ＮＭＯＳ输出晶体管（１０３）、（１０４）的阈值...

本发明公开了一种动态体偏置施密特触发器电路，利用体偏置技术控制第一ＮＭＯＳ晶体管（１０）、第一ＰＭＯＳ晶体管（１１）的体区电压，改变第一ＮＭＯＳ晶体管（１０）、第一ＰＭＯＳ晶体管（１１）的阈值电压，进而形成双开关阈值的施密特触发器电路的...

本发明公开了一种ＰＦＭ控制的ｂｕｃｋ型辅助电源，包括一个与输入电压＋ＶＩＮ连接的Ｂｕｃｋ变换主电路，其特征在于，Ｂｕｃｋ变换主电路的控制输入端连接一个ＰＦＭ控制电路，该ＰＦＭ控制电路包括一个由运算放大器构成的弛张振荡器，其输出脉冲控制ｂ...

本发明公开了一种防止ＳＭＴ器件引腿桥连的搪锡工艺，首先将表贴器件自上而下匀速下降放入锡锅中，使表贴器件引腿浸入熔融的铅锡焊料液体内２～３秒，然后将表贴器件引腿提离铅锡焊料液面；在铅锡焊料液面上方左右两侧各设置有连通热风源的热风喷嘴，当表...

一种聚四氟乙烯印制板孔金属化工艺前的处理方法，其特征在于，在常规的孔金属化工艺之前，对聚四氟乙烯印制板的孔壁进行处理，包括以下步骤：　　　　１）首先检查聚四氟乙烯印制板孔内质量，去除孔内钻屑并进行刷板；　　　　２）刷板后的聚四氟乙烯印制...

本实用新型公开了一种车辆安防终端的监视装置，包括一个主处理器ＭＣＵ、一个摄像头及与该摄像头连接的视频解码器，其特征在于，所述视频解码器双向信号连接一个视频处理器，该视频处理器分别与主处理器ＭＣＵ、一个ＳＤ卡双向信号连接；所述的主处理器Ｍ...

本发明公开了一种遥感卫星载荷数据的处理方法，该方法由硬件在星载大容量固态存储器中实现，其特征是在读、写控制模块之间增加有特征信息提取模块和嵌入式映射模块。其中，特征信息提取模块能够从源源不断存入固态存储器的载荷数据流中提取出每一段数据的...

本发明公开了一种能够识别集成电路芯片温度是否超出安全工作区的温度监测电路。它是通过电压放大电路，对流过恒定电流的正向偏置导通的ＰＮ结电压随温度的变化进行监测。整个温度监测电路由电压分压电路、多输出电流源电路、温度传感电路以及电压放大电路...

本发明公开了一种运算放大电路的相位反转和过流抑制电路，该运放相位反转和过流抑制电路的特点是：只由两个与输入级差动对管类型相同的双极晶体管和一个二极管构成；第一个晶体管的基极与运放的正向输入端相连，集电极与差动输入级的正向输出端相连，第二...

本发明公开了一种用于锂离子蓄电池充放电的变换控制器及变换控制方法，包括一个连接外部输入的关断信号ＳＤ１的辅助电源、主电路，主电路蓄电池端通过储能电感连接开关管Ｓ１漏极和开关管Ｓ２源极；开关管Ｓ２漏极连接母线端，开关管Ｓ１、Ｓ２的控制极连...

本发明公开了一种三维多芯片模块的互连及封装方法，采用陶瓷漏板叠和回字型过渡布线基板对ＭＣＭ叠层模块进行互连及封装，通过各种高密度组装，减小系统的体积和重量，以适应武器装备对电子系统小型化、高性能、多功能化、高可靠性、低成本的发展需求，它...

本发明公开了一种可嵌入式光耦合器阵列及在制备混合集成电路中的应用，该可嵌入式光耦合器阵列包括分别设置在上、下基板相对面的发光芯片和光敏芯片组成的光耦，光耦周围用支架框隔离，构成光耦合器单元，其特征在于，所述光耦合器单元至少有四个，并沿平...

本发明公开了一种自定时ＳＲＡＭ访问控制电路，该电路利用在ＳＲＡＭ存储阵列中插入的两条参考位线，来辅助对预充电与等化过程和读操作过程进行定时，整个自定时ＳＲＡＭ访问控制电路由第一参考位线、第二参考位线、地址转换监测电路、预充电与等化控制电...

本发明公开了一种可缩放大规模二维卷积电路，该电路包括一个基准图像素寄存器Ｙ，一个实时图像素寄存器组Ｘ，由１２８个的阵列乘法器Ｍ↓［０］，Ｍ↓［１］，．．．．．Ｍ↓［１２７］组成的乘法器组，由１２８个寄存器ｐ↓［０］，ｐ↓［１］，．．．．...

本发明涉及空间计算机抗单粒子翻转的存储器纠检错与自动回写方法，在整个纠检错过程中，在无处理器直接干预的情况下，由存储器控制器按照改进型海明码格式对要写入存储器的３２位数据进行编码，并将校验码连同原始数据一同写入指定的存储器单元中。在数据...

本发明公开了一种基２单路深度延时反馈的流水线构成ＦＦＴ处理器的实现方法，流水线的结构由四个复数加法器和一个复数乘法器以及两个蝶形处理单元组成，运算数据顺序流入，运算结果顺序流出；蝶形处理单元是模式可编程的，根据需要选择基４、基２或直通模...

本发明公开了微处理器的整数单元中五级容错流水结构的实现方法，流水结构由取指部件、译码部件、执行部件、存储访问部件和寄存器写部件组成，并和一流水线控制及背板寄存器相连通，其中译码部件的输出和存储访问部件之间还连接有一纠检错处理部件；用于完...

本发明公开了一种倒序／循环地址产生器的电路结构，由五端输入选择器、三端输入选择器、ＬＴ产生逻辑模块、加法器、逆向加法器、位与操作模块、位或操作模块、比较逻辑模块和修改逻辑模块组成；该倒序／循环地址产生器能够有效的支持倒序和循环寻址方式，...