本发明属于抗体药物技术领域，涉及一种抗前胃泌素释放肽单克隆抗体及其制备方法。所述的单克隆抗体的HCDR1、HCDR2、HCDR3、LCDR1、LCDR2、LCDR3的氨基酸序列分别如SEQIDNO.5

本发明公开了一种Pu

本实用新型涉及一种降雨条件下超铀核素再悬浮测量装置，包括再悬浮腔体，再悬浮腔体的顶面设有气溶胶进样口，再悬浮腔体的顶面设有降雨模拟装置；再悬浮腔体底面设有升降圆盘底座以及置于升降圆盘底座上的可升降下垫面圆盘，可升降下垫面圆盘上设有检测取...

本实用新型提供一种用于深床式碘吸附器活性炭取样装置，其包括杯体、中间孔板法兰、第一孔板法兰、第一弹性挡圈、第二孔板法兰以及第二弹性挡圈；本方案中的用于深床式碘吸附器活性炭取样装置通过利用中间孔板法兰将杯体内腔分隔成为两个独立的腔体，可以...

本实用新型属于放射性废物处理技术领域，具体为一种放射性废物水泥固化体取芯装置。所述装置包括外部框架、钢桶固定机构、钻芯机构和水循环系统；所述外部框架的顶部设有起吊口，所述外部框架的底部设有叉车口和支撑脚；所述钢桶固定机构由固定式弧形定位...

本发明属于放射性物质处理技术领域，涉及一种放射性碘吸附剂及其制备方法。制备所述的吸附剂的原料按重量配比包含：二价铜盐0.8

本发明属于凝胶材料技术领域，涉及一种泡沫凝胶及其制备方法。制备所述的泡沫凝胶的原料按重量百分比包含：2

本实用新型涉及一种用于放射性废物热解炉的物料搅拌装置，包括执行器、壳体、凸轮分割器、搅拌轴、连接套、滑块、导轨、齿轮以及齿条，壳体的前端与连接套连接，后端与执行器连接组成装置主体；壳体底部壁面固定导轨，侧面壁面固定有齿条；凸轮分割器置于...

本实用新型公开了一种放射性核素再悬浮测量装置，所述装置包括再悬浮腔体，再悬浮腔体顶面设置有气溶胶进样口和多个补气口，补气泵置于再悬浮腔体外并与补气口连通，再悬浮腔体底面设有升降圆盘底座及置于升降圆盘底座上的可升降下垫面圆盘，所述可升降下...

本发明属于放射性废物处理技术领域，涉及一种放射性含铯废水的处理方法。所述的处理方法包括如下步骤：(1)将放射性含铯废水、硅源、铝源、氢氧化钠在水中混合后在搅拌下进行反应，形成溶胶混合物；(2)将所述的溶胶混合物加入高压反应釜中进行水热反...

本发明公开了一种滚动式恒温样品混合装置及其使用方法，装置包括：外部保护壳，外部保护壳内设有控温设备、内部转轮和控速设备；外部保护壳由铅材料制成，用于防护屏蔽各类α、β以及γ射线；温控设备，用于通过温控元件控制装置内部的温度在预设温度范围...

本实用新型提供一种耐辐照耐高温的密封容器，所述密封容器包括筒体、下法兰、垫圈、上法兰和样品支架，所述筒体与下法兰固接，所述筒体内壁设有防腐涂层，所述上法兰上与下法兰固接，所述样品支架固定在筒体内，所述样品支架包括竖向支撑杆、水平支撑杆组...

本发明属于放射性物质分析技术领域，涉及一种氟化钙渣中铀同位素含量的分析方法。所述的分析方法包括如下步骤：(1)向被测氟化钙渣样品中加入一定活度的

本发明属于放射性物质分析技术领域，涉及一种气溶胶中Pu、Am、U含量的联合分析方法。所述的联合分析方法包括如下步骤：(1)样品采集与预处理；(2)浸取；(3)沉淀及溶解；(4)Pu价态调整；(5)阴离子交换树脂柱纯化及测量；(6)TRU...

本发明涉及一种用于处理放射性废石墨的流化床反应器，属于放射性废物处理技术领域，包括燃烧炉，燃烧炉柱面靠近下段处设置有进料器和点火口，燃烧炉底部连接排灰系统，燃烧炉底部还设置有送风口，顶部设置出风口，所述反应器整体固定在台架上。待处理放射...

本发明公开了一种电子直线加速器机房辐射屏蔽及臭氧浓度计算方法和装置，方法包括：S101、根据机房的剂量率设计目标值，对电子直线加速器机房的主屏蔽、次屏蔽、迷宫及防护门、屋顶进行辐射屏蔽设计；S102、在电子直线加速器机房的主屏蔽、次屏蔽...

本发明属于放射性废物处理技术领域，涉及一种放射性废分子筛的处理方法。所述的处理方法包括如下步骤：(1)将含铯的放射性废分子筛、铝源、氢氧化钠在水中混合后在搅拌下进行反应，形成含铯硅铝氧的溶胶混合物；(2)将所述的含铯硅铝氧的溶胶混合物加...

本发明涉及一种吸附剂高利用率碘吸附装置，包括相互连接的第一吸附段、第二吸附段以及气流连接段，第一吸附段设置在第二吸附段的正下方；所述气流连接段的一端连接所述第一吸附段的背风面，另一端连接所述第二吸附段的迎风面；第一吸附段包括第一壳体以及...

本发明属于放射性物质分析技术领域，涉及一种大质量固体环境中Pu、Am、Sr

本发明属于辐射防护技术领域，涉及一种类三明治结构电离辐射柔性屏蔽材料及其制备方法。所述的柔性屏蔽材料在最外侧上下两层的基层内侧分别夹有上下两层的第一功能层，在上下两层的第一功能层内侧分别夹有上下两层的功能补充层，在上下两层的功能补充层内...