本发明涉及IGBT器件刻蚀设备技术领域，且公开了一种适配IGBT器件的高耐压对称沟槽刻蚀工艺设备，包括机身、气路盒、电器控制盒、等离子发射器和遮罩，所述气路盒与机身的表面固定连接，所述电器控制盒与机身的上表面固定连接，所述等离子发射器安...

本发明涉及半导体功率器件技术领域，且公开了一种兼具全通道利用与栅氧化层保护的SiC沟槽式MOSFET结构，包括N+型SiC衬底，N+型SiC衬底上依次生长有下N‑外延层（N1）与上N‑外延层（N2），且下N‑外延层的电阻率R1小于上N‑...

本发明涉及电子器件沟槽处理设备技术领域，且公开了一种电子器件沟槽侧壁平整度修复与钝化处理装置，包括基座、三轴运动平台、喷头、摄像头，所述三轴运动平台安装在基座的上表面，所述喷头固定在三轴运动平台的移动端，所述摄像头安装在三轴运动平台的移...

本发明涉及碳化硅长晶炉技术领域，且公开了一种碳化硅长晶炉内籽晶精准定位与防偏移结构，包括安装在碳化硅长晶炉石墨坩埚顶内壁上的安装柱，安装柱的下表面固定连接有籽晶托板，本发明通过设置辅助机构，推动组件沿空心套轴线方向向下推动空心滑杆、移动...

本发明涉及碳化硅长晶炉测温技术领域，且公开了一种带实时温场监测的碳化硅长晶炉恒温装置，包括载板，所述载板的上表面固定连接有控制箱，所述载板的上表面固定连接有筒体，所述筒体的内部放置有坩埚。本发明中，测温机构通过泵体精准控制气体输出量，可...