本申请属于半导体硅片结构设计技术领域，具体涉及一种硅片结构专利申请。从正面至背面，结构依次为：硅片、硅片背面吸杂层，以及在吸杂层外部的若干层交替覆盖或重叠覆盖的具有保护作用的氧化层和无序硅晶格层；硅片为单晶硅片；吸杂层为多晶硅层或者通过...

本申请属于半导体加工设备技术领域，具体涉及一种硅片抛光加工过程中抛光设备用蜡嘴保湿装置。该装置包括：连接有阻凝液盛放容器的阻凝管路、以及固定阻凝管路的固定支架；所述阻凝液盛放容器，用于盛放阻凝管路与抛光设备的蜡嘴接触处阻凝管路所流出的阻...

本发明公开了一种掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法，用于生产掺磷单晶硅的单晶炉包括相互连通的主室和副室，所述副室设于所述主室上方；所述抽真空方法包括以下步骤：S1、采用第一管道将主阀和主泵依次连通到所述主室，并关闭所述主阀和主泵；S2、...

本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种硅片背面抛光用装置及利用该装置的抛光方法。该装置包括多片式抛光机和供浆系统，所述多片式抛光机通过浆料管道与供浆系统连接；所述供浆系统包括分别与供浆桶连接的冷却水箱和pH调节箱；其中供浆桶内设有冷...

本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种硅片背面抛光用装置及利用该装置的抛光方法。该装置包括多片式抛光机和供浆系统，所述多片式抛光机通过浆料管道与供浆系统连接；所述供浆系统包括分别与供浆桶连接的冷却水箱和pH调节箱；其中供浆桶内设有冷...