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郑甘裕专利技术
郑甘裕共有22项专利
球拍拍框与中管的安装连接结构制造技术
本实用新型公开一种球拍拍框与中管的安装连接结构,包括有拍框主体、中管主体以及一体式外壳;该拍框主体具有一安装段,该安装段为中空结构,安装段的外侧面开设有连通安装段内部的安装槽孔,安装段的内侧面外凹内凸而在安装段内形成有卡持部,并在安装段...
球拍拍框与中管的安装连接结构及制备工艺制造技术
本发明公开一种球拍拍框与中管的安装连接结构及制备工艺,包括有拍框主体、中管主体以及一体式外壳;该拍框主体具有一安装段,该安装段为中空结构,安装段的外侧面开设有连通安装段内部的安装槽孔,安装段的内侧面外凹内凸而在安装段内形成有卡持部,并在...
一种镨掺杂锗酸硫钇上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种镨掺杂锗酸硫钇上转换发光材料,其化学式为M
一种铕掺杂氧化钆发光材料、制备方法及其应用技术
一种铕掺杂氧化钆发光材料,其化学式为Gd
一种锰掺杂锑酸铈发光材料、制备方法及其应用技术
一种锰掺杂锑酸铈发光材料,其化学式为CeSb5O14:xMn4+,其中0.01≤x≤0.08。该锰掺杂锑酸铈发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中,在520nm波长区都有很强的发光峰,能够得到良好的绿光到蓝光的激发。本发明还提供...
一种碱土硫化物发光材料、制备方法及其应用技术
一种碱土硫化物发光材料,其化学式为MeS:xCe3+,其中,x为0.01~0.08,Me选自镁元素,钙元素,锶元素,钡元素中至少一种Ce3+离子是激活元素。该碱土硫化物发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中,在540nm波长区都...
一种铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜、制备方法及其应用技术
一种铕铽共掺杂锆锑酸盐发光薄膜,其化学式为RZr4‑x‑ySb6O24∶xEu2+,yTb3+,其中,R选自镁元素、钙元素,锶元素,钡元素中至少一种,0.01≤x≤0.05,0.005≤y≤0.03,RZr4Sb6O24是基质,Eu2+...
一种导电薄膜、其制备方法及应用技术
一种导电薄膜,包括层叠的Au层及MeO层,其中,Me为钙元素,锶元素,钡元素中的一种。上述导电薄膜通过在Au层的表面沉积及高功函的MeO层制备双层导电薄膜,既能保持Au层的良好的导电性能,又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明还提...
一种碱土氮硅酸盐发光材料、制备方法及其应用技术
一种碱土氮硅酸盐发光材料,其化学式为Me1‑xSi2O2N2:xMn2+,其中,x为0.01~0.08,Me选自镁元素,钙元素,锶元素,钡元素中至少一种,Mn2+离子是激活元素。该碱土氮硅酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)...
一种锰铬共掺杂锆砷酸盐发光薄膜、制备方法及其应用技术
一种锰铬共掺杂锆砷酸盐发光薄膜,其化学式为RZr4‑x‑yAs6O24∶xMn4+,yCr3+,其中,R选自镁元素、钙元素,锶元素,钡元素中至少一种,0.01≤x≤0.05,0.005≤y≤0.03,RZr4As6O24是基质,Mn4+...
一种钕掺杂氯锗酸盐上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种钕掺杂氯锗酸盐上转换发光材料,其化学式为R2GeCl6:xNd3+,其中,R是锂元素,钠元素,钾元素,铷元素,铯元素中的至少一种,x为0.01~0.08。该钕掺杂氯锗酸盐上转换发光材料的光致发光光谱中,钕掺杂氯锗酸盐上转换发光材料的...
红光铌锌酸盐发光材料、制备方法及其应用技术
一种红光铌锌酸盐发光材料,其化学式为Me3‑xZnNb2O9:xPr3+,其中,x为0.01~0.08,Me选自钙元素,锶元素,钡元素中至少一种,Pr3+离子是激活元素。该红光铌锌酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中,在6...
一种导电薄膜、其制备方法及其应用技术
一种导电薄膜,包括层叠的Pt层及R2O层,其中,R为锂元素,钠元素,钾元素,铷元素,铯元素中的一种。上述导电薄膜通过在Pt层的表面沉积及高功函的R2O层制备双层导电薄膜,既能保持Pt层的良好的导电性能,又使导电薄膜的功函数得到了显著的提...
一种锰掺杂镓酸盐发光材料、制备方法及其应用技术
一种锰掺杂镓酸盐发光材料,其化学式为MeGa2‑xO4:xMn2+,其中,x为0.01~0.08,Me选自镁元素、钙元素,锶元素,钡元素中至少一种,Mn2+离子是激活元素。该锰掺杂镓酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中,在...
一种铥镱共掺杂锆镓硫化物上转换发光材料、制备方法及应用技术
一种铥镱共掺杂锆镓硫化物上转换发光材料,其化学式为ZrS‑Ga2S3‑R2S:xTm3+,yYb3+,其中,X为0.01~0.06,y为0.01~0.04。上述铥镱共掺杂锆镓硫化物上转换发光材料的激发波长为475nm,在475nm的发光...
一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料、制备方法及其应用技术
一种铕掺杂铝砷酸盐发光材料,其化学式为MeAs2AlO8:xEu3+,其中,x为0.01~0.05,Me选自镓元素,铟元素,铊元素中至少一种,Eu3+离子是激活元素。该铕掺杂铝砷酸盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中,在62...
一种钬掺杂锗酸硫钇上转换发光材料、制备方法及应用技术
一种钬掺杂锗酸硫钇上转换发光材料,其化学式为M2Y8(GeO4)6S2:xHo3+,其中,M为镁元素,钙元素,锶元素,钡元素中的至少一种,x为0.01~0.06。上述钬掺杂锗酸硫钇上转换发光材料的激发波长为490nm,在490nm的发光...
一种钕镱双掺杂锗酸硫钇上转换发光材料、制备方法及应用技术
一种钕镱双掺杂锗酸硫钇上转换发光材料,其化学式为M2Y8(GeO4)6S2:xNd3+,yYb3+,其中,M为镁元素,钙元素,锶元素,钡元素中的至少一种,x为0.01~0.08,y为0~0.1。上述钕镱双掺杂锗酸硫钇上转换发光材料的激发...
一种镨镱共掺杂锆镓硫化物玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种镨镱共掺杂锆镓硫化物玻璃上转换发光材料,其化学式为ZrS‑Ga2S3‑R2S:xPr3+,yYb3+,其中,R为锂元素,钠元素,钾元素,铷元素,铯元素中的至少一种,x为0.01~0.06,y为0.01~0.04。该镨镱共掺杂锆镓硫化...
一种导电薄膜、其制备方法及其应用技术
一种导电薄膜,包括层叠的Ag层及L2O3层,其中,L为铕元素,钐元素,钇元素,钆元素,钕元素中的一种。上述导电薄膜通过在Ag层的表面沉积及高功函的L2O3层制备双层导电薄膜,既能保持Ag层的良好的导电性能,又使导电薄膜的功函数得到了显著...
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