本发明涉及一种硅纳米管阵列制备方法，包括：提供硅衬底，在所述硅衬底表面制备纳米管阵列图形，利用Bosh工艺进行深硅刻蚀，形成硅纳米管阵列。其中，所述利用Bosh工艺进行深硅刻蚀的过程中，刻蚀气体为SF6，钝化气体为C4F8，所述SF6和...

本发明公开了一种高度各向异性及侧壁平滑的铌酸锂及其制备方法属于半导体工艺技术领域。所述的制备方法包括：通过采用典型的反应蚀刻，保留反应离子束刻蚀时更高选择性的优势；加入牺牲掩模SOH，以隔离具有初始锥形轮廓的铌酸锂层的顶部和侧壁；通过增...