本公开涉及光电测试技术领域，提供了一种用于垂直腔面发射激光器的测试结构及其制造方法。该测试结构包括堆叠设置的第一欧姆接触层、第一反射器层、有源层、氧化限制层、第二反射器层和第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层上设置有探测区域；所述氧化限制...

本公开提供了一种垂直腔面发射激光器及具有其的光电设备，涉及光电器件技术领域。该垂直腔面发射激光器包括堆叠设置的衬底层、缓冲层、第一反射器层、发光层、第二反射器层、覆盖层、偏振与模式选择层以及欧姆接触层，所述偏振与模式选择层包括层叠设置的...

本公开涉及芯片制造技术领域，提供了一种改善砷化镓基材料表面保护层脱落的方法及光电器件。该方法包括提供待沉积保护层的砷化镓基材料芯片；利用活化改性等离子体对所述砷化镓基材料芯片表面进行处理，以去除所述砷化镓基材料芯片表面的氧化层；通过原子...

本技术公开了一种用于剥离金属薄膜的直喷循环冲洗装置，包括箱体、直喷喷嘴、药液循环泵；所述箱体用于承载直喷喷嘴并且与直喷喷嘴相对的位置放置待剥离金属薄膜的晶圆；所述直喷喷嘴活动设置在箱体的一侧的安装孔内，用于放置在箱体相对位置的待剥离金属...

本技术公开了一种用于偏振片老化测试的承载治具，该承载治具包括主体，所述主体上设置若干个用于容纳待测试偏振片的腔体。本技术能够承载固定偏振片，方便作业；并且让待测试偏振片在测试过程处于直立状态，从而减少水汽凝结，还可以减少粉尘颗粒等物质，...

本公开提供了一种偏振特性可调的高对比度光栅偏振器，涉及光电器件技术领域。该高对比度光栅偏振器包括透明基板；位于所述透明基板上的等离子体金属天线结构层、折射率可电调谐的切换层、第一电极层和第二电极层，所述等离子体金属天线结构层包括高对比度...

本公开提供了一种偏振特性可调的高对比度光栅偏振器，涉及光电器件技术领域

本公开提供了一种高对比度光栅偏振片，涉及光电器件技术领域。该偏振片包括衬底；位于所述衬底上的高对比度光栅以及与所述高对比度光栅交错设置的等离子体金属天线结构，所述高对比度光栅包括半导体光栅或者电介质光栅；所述高对比度光栅用于透射第一偏振...

本公开提供了一种垂直腔面发射激光器，涉及光电器件技术领域。该垂直腔面发射激光器包括堆叠设置的衬底层、缓冲层、第一反射器层、发光层、偏振选择混合层和电极层，所述偏振选择混合层包括第二反射器层以及集成在所述第二反射器层上方的近波长光栅层，其...

本公开提供了一种高对比度光栅偏振片，涉及光电器件技术领域。该偏振片包括衬底；位于所述衬底上的高对比度光栅以及与所述高对比度光栅交错设置的等离子体金属天线结构，所述高对比度光栅包括半导体光栅或者电介质光栅；所述高对比度光栅用于透射第一偏振...

本公开提供了一种垂直腔面发射激光器，涉及光电器件技术领域。该垂直腔面发射激光器包括堆叠设置的衬底层、缓冲层、第一反射器层、发光层、偏振选择混合层和电极层，所述偏振选择混合层包括第二反射器层以及集成在所述第二反射器层上方的近波长光栅层，其...

本申请公开了一种光学芯片制备方法及其制备的光学芯片，其中，制备方法包括在所述基底上进行第一外延结构层薄膜的生长；在第一外延结构层薄膜上沉积刻蚀阻挡薄膜；在刻蚀阻挡薄膜上进行第二外延结构层薄膜的生长；去除第一外延结构层薄膜上方位于第一区域...

本公开提供了一种垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备，该垂直腔面发射激光器包括衬底层、第一电极层、第一反射器层、发光层、第二反射器层、第二电极层和钝化层，其中钝化层上设置有刻蚀区域和未刻蚀区域，刻蚀区域的中心位置与发光层中氧化孔径中心的...

本申请公开了一种光学芯片，包括基底，所述基底上形成有第一外延结构层，所述第一外延结构层包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成第一光学元件，所述第二区域上形成有刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层上形成有第二外延结构层，所述第二外延结构层用于...

本申请公开了一种多层多区垂直腔面发射激光器装置，包括垂直腔面发射激光器层，所述垂直腔面发射激光器层包括至少两个区域，每一区域至少具有一个垂直腔面发射激光器；所述垂直腔面发射激光器层上设置有至少两层第一电极层，相邻所示第一电极层之间设置有...

本申请公开了一种基于垂直腔面发射激光器阵列的测距方法，测距方法，包括按照预定次序分别点亮不同区域的所述垂直腔面发射激光器，并分别接收不同区域的所述垂直腔面发射激光器所发射激光的反射光；根据各区域所述垂直腔面发射激光器的点亮时间及接收对应...

本申请公开了一种高对比度光栅垂直腔面发射激光器及制造方法，高对比度光栅垂直腔面发射激光器，包括：层叠设置的第一反射器层、有源层及第二反射器层；所述第二反射器层包括氧化物隔离层和光栅层，所述氧化物隔离层位于所述光栅层和所述有源层之间，所述...

本申请公开了一种基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法，所述的基底转移垂直腔面发射激光器的结构包括：导电散热基板；金属黏贴层；垂直腔面发射器薄膜芯片。所述导电散热基板的第一面通过金属黏贴层粘接垂直腔面发生激光器薄膜芯片，所述导电散热基板...

本申请公开了一种底部发射垂直腔面发射激光器，至少一个发光单元，所述发光单元包括层叠设置的衬底、第一反射器层、有源层、氧化层、第二反射器层及顶部电极，所述氧化层具有限定激光出射窗口的非氧化区，所述衬底上形成有用于改变所述激光出射窗口所出射...

本申请公开了一种垂直腔面发射激光器的结构及制造方法，其中方法包括：分别形成第一反射器层、氧化层、发光层及第二反射器层，发光层具有至少一个发光区域；于各发光区域的正上方形成圆形电隔离保护区，对电隔离保护区外的区域进行质子或离子隔离注入以形...