目的在于得到硼的含有量少的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的所述硼的浓度小于5.0

提供即使经受热过程耐蚀性被膜也难以从基材剥离的耐蚀性构件。耐蚀性构件具备由铝或铝合金构成的基材(10)和形成于基材(10)的表面的耐蚀性被膜(20)。耐蚀性被膜(20)含有空间群归属于R

一种树脂组合物，其包含(A)不饱和聚酯低聚物、(B)自由基聚合性单体、和(C)光聚合引发剂，(A)不饱和聚酯低聚物包含来源于相对于全部多元醇成分100摩尔％包含新戊二醇55～85摩尔％的多元醇成分(a1)的结构、来源于包含间苯二甲酸和/...

本发明的课题在于提供一种等离子体蚀刻方法，该离子体蚀刻方法相比于非蚀刻对象物，能选择地蚀刻含有锡和铟中的至少一者的氧化物的蚀刻对象物。一种等离子体蚀刻方法，其具备以下的蚀刻步骤：使含有在分子内具有氟原子和溴原子的不饱和化合物的蚀刻气体，...

本发明的一个技术方案涉及固体电解质材料、固体电解质、固体电解质的制造方法或全固体电池，该固体电解质材料包含锂、钽、磷和氧作为构成元素，并且包含选自硼、铌、铋和硅中的至少一种元素作为构成元素，满足下述条件(I)～(III)中的任一者。条件...

本发明的一个技术方案涉及固体电解质材料、固体电解质、固体电解质的制造方法或全固体电池，该固体电解质材料包含锂、钽、硼、磷和氧作为构成元素，

本发明的一个技术方案涉及固体电解质材料、固体电解质、固体电解质的制造方法或全固体电池，该固体电解质材料为非晶质，包含锂、钽、磷和氧作为构成元素，并且，磷元素的含量大于5.3原子％且小于8.3原子％。于5.3原子％且小于8.3原子％。

本发明的一个技术方案涉及固体电解质材料、固体电解质、固体电解质的制造方法或全固体电池，该固体电解质材料包含锂、钽、磷和氧作为构成元素，所述固体电解质材料的差示热分析(DTA)曲线的放热峰的温度为500～850℃的范围。围。

本发明的一个技术方案涉及锂离子传导性固体电解质或全固体电池，该锂离子传导性固体电解质满足(I)～(III)中的任一者。(I)具有基于LiTa2PO8的晶体结构、以及基于选自LiTa3O8、Ta2O5和TaPO5中的至少一种化合物的晶体结...

本发明的一个技术方案涉及固体电解质材料、固体电解质、它们的制造方法或全固体电池，该固体电解质材料包含锂离子传导性化合物(a)和化合物(b)，所述锂离子传导性化合物(a)包含锂、钽、磷和氧作为构成元素，所述化合物(b)是选自硼化合物、铋化...

本发明的一个技术方案涉及固体电解质材料、固体电解质、固体电解质的制造方法或全固体电池，该固体电解质材料为非晶质，包含锂、钽、磷和氧作为构成元素，并且包含选自硼、铌、硅和铋中的至少一种元素作为构成元素。硅和铋中的至少一种元素作为构成元素。

本发明的课题是提供一种碳被覆Si

课题是提供能够提供高容量锂离子二次电池的锂离子二次电池用负极材料。解决手段是一种锂离子二次电池用负极材料，包含含有多孔质碳(A)和含Si化合物(B)的复合体(C)，所述多孔质碳(A)在氮吸附试验中，将相对压力P/P0为最大值时的细孔总容...

一种硫醇化合物的制造方法，其具有下述光照射工序：向已着色的硫醇化合物、或包含上述硫醇化合物的组合物照射光。优选在光照射工序中，向上述组合物照射包含波长250nm～600nm的光的光。光的光。

本发明涉及一种复合体粒子，其含有硅和碳，用碳

本发明的课题是提供能够抑制Si

课题是提供一种可得到循环特性良好且电极膨胀小的锂离子二次电池的复合碳粒子。解决手段是一种包含多孔质碳材料和硅成分的复合碳粒子，平均长宽比为1.25以下，采用拉曼光谱分析测定的470cm

下述式所示的含氟醚化合物。R1‑

本发明提供下述式表示的含氟醚化合物。R1‑

本发明的目的在于得到能够测定外延层总厚度和漂移层厚度的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板上的外延层，所述外延层从所述SiC基板侧依次具有第1层、第2层和第3层，所述SiC基板的氮浓度为6.0