本发明涉及生产半导体硅的工艺，它包括电解分解四氟化硅饱和的碱金属氟化物盐三元系统的低共熔体。为了饱和熔体，使用通过氟化二氧化硅而得到的四氟化硅，其中所述的氟化分两个阶段进行，即在其中的第１阶段，供给过量的元素氟，在第２阶段供给二氧化硅。...