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英特赛尔美国股份有限公司专利技术
英特赛尔美国股份有限公司共有268项专利
采用基于消除的前馈的功率放大器线性化方法和系统技术方案
通过消除或减小由功率放大器产生的非线性分量(如IM3,IM5,IM7,IM9等)的振幅,线性化电路可以提高功率放大器的线性度。线性化电路能够获取功率放大器输出的采样信号并处理该采样信号以产生适用于功率放大器输出之上或之中的消除信号。生成...
具有合并的场板和保护环的肖特基二极管制造技术
提供了一种肖特基二极管,包括限定了肖特基接触区域的合并的保护环和场板。肖特基金属至少部分地形成在肖特基接触区域之上以及至少部分地形成在合并的保护环和场板之上。
具有改进电流感应的DC-DC变换器及相关方法技术
一种功率变换器包括具有电阻值RSET的设定电阻。该功率变换器的多个信道的每一个包括配置成将基准电压与经调节输出电压作比较的误差放大器;配置成更改经调节的输出电压的脉冲宽度调制器;配置成感应第一电流的电流感应元件;具有电阻值为Rsense...
耗尽型顶栅结型场效应晶体管(DTGJFET)制造技术
本发明提供一种耗尽型顶栅结型场效应晶体管(DTGJFET)。结型场效应晶体管半导体器件和方法可包括设置在源极区域和漏极区域之间的顶栅,其可从源极区域向漏极区域延伸横跨沟道区域的整个表面。顶栅掺杂可被配置成使顶栅可在器件的整个工作期间保持...
集成DMOS和肖特基制造技术
实施方案一般涉及包括扩散金属氧化物半导体(DMOS)场效应晶体管(FET)的电压转换器结构。实施方案包括在单个半导体芯片上的DMOS器件(例如,具有与基底隔离的主体的FETs)与肖特基二极管的组合。肖特基二极管可通过在DMOS器件的P型...
减少共用天线带内干扰的系统和方法技术方案
提供一种减少共用天线带内干扰的系统和方法。提供一种用于在共用天线通信系统中抑制带内或邻近带外干扰的干扰补偿电路。该通信系统包括第一通信装置,其具有用于在第一频带内发送信号的发送机,第二通信装置,其具有在第二频带内接收电磁信号的接收机。该...
具有有源自驱动同步整流的DC/DC功率变换器制造技术
一种DC/DC电压变换器包括具有初级侧和次级侧的变压器。初级侧电路连接于初级侧并包括第一对开关晶体管并接收输入电压,所述第一对开关晶体管响应于来自变压器的初级侧的第一控制信号受到控制。次级侧电路连接于次级侧并包括第二对开关晶体管并提供输...
具有位于其它元件上方的桥式电感器的组件化电源模块制造技术
电源模块的一实施例包括组件化封装件、配置在封装件内的电源元件和配置在该封装件内且位于电源元件上方的电感器。例如,对于一给定的额定输出功率,与电感器安装在封装件外或电感器与其它元件并排设置的电源模块相比,这样的电源模块可能更小、更有效率、...
用于在半导体结构中形成绝缘层的方法及其由此产生的结构技术
公开了一种用于制造半导体结构的电子系统和方法以及一个或多个半导体结构。例如,公开了一种用于制造半导体结构的方法,其包括在半导体基底上形成第一半导体底层结构,在第一半导体底层结构和半导体基底上形成第一分隔层,并且在第一分隔层的至少一部分上...
具有降低功耗的电压电平移动制造技术
在一个实施例中,电压电平移动器电路包括配置成连接于高电压供给干线(Vs+)的第一端子、配置成连接于低电压供给干线(Vs-)的第二端子以及输出电压(VOUT)端子。该电压电平移动器还包括补偿电压(VCOMP)节点。附加地,电压电平移动器包...
用于检测和补偿开关模式电源的主动输出滤波器的系统和方法技术方案
本发明公开了用于检测和补偿开关模式电源的主动输出滤波器的系统和方法。根据一个实施例的用于开关模式电源的控制器包括控制网络和检测网络该开关模式电源将输入电压转换成经调节的输出电压。控制网络形成用于调节输出电压电平的脉冲宽度控制信号。检测网...
使用信号对消改善天线隔离的系统和方法技术方案
干扰补偿电路可将被害天线与侵害天线隔离开,这使天线看上去就像进一步隔开那样。干扰补偿电路可获得因侵害天线发射而由发射机产生的信号的采样并处理采样以产生干扰补偿信号。所产生的干扰补偿信号可施加于被害天线和接收机之间的信号路径以抑制、消除或...
带有集成保护器的GaN基功率器件:结构和方法技术
本发明实施例提供带有集成箝位结构的功率器件的结构和方法。箝位结构的集成可以保护功率器件,例如免于电过应力(EOS)。在一个实施例中,有源器件可以形成在基板之上,而箝位结构可以集成在功率器件的有源区之外,例如在有源区的下方和/或基板内。将...
带有集成保护器的GaN基功率器件:结构和方法技术
本发明实施例提供带有集成箝位结构的功率器件的结构和方法。箝位结构的集成可以保护功率器件,例如免于电过应力(EOS)。在一个实施例中,有源器件可以形成在基板之上,而箝位结构可以集成在功率器件的有源区之外,例如在有源区的下方和/或基板内。将...
具有肖特基器件的电压转换器及包括其的系统技术方案
一种半导体器件如电压转换器包括电路级如输出级,电路级具有高侧器件和低侧器件,其可在单个管芯(即,“功率管芯”)上形成并通过半导体基底相互连接,并且还包括与低侧器件和高侧器件中的至少一个集成的肖特基二极管。高侧器件和低侧器件都可以包括横向...
用于半导体器件和系统的电流传感器技术方案
一种可以被用于测量流经直流(DC)到直流转换器或其他器件的半导体基底的电流的电流传感器。电流传感器可以提供在DC到DC转换器的操作期间的连续测量。在一个实施方式中,第一电流传感器可以被用于测量通过高侧晶体管的电流,并且第二电流传感器可以...
与功率芯片相兼容的集成的沟槽防护型肖特基二极管结构及方法技术
一种用于包括沟槽场效应晶体管(FET)和与沟槽FET集成在一起的沟槽防护型肖特基二极管的电压转换器的方法和结构。在一个实施方式中,电压转换器可包括横向FET、沟槽FET和与沟槽FET集成的沟槽防护型肖特基二极管。形成电压转换器的方法可包...
用于色彩分块、双速率视频传输的系统和方法技术方案
本发明涉及用于色彩分块、双速率视频传输的系统和方法。系统、方法和设备提供逐像素从控制器向激光二极管驱动电路(LDD)快速和功率高效地传输三个色彩数据字(例如M比特红色字、M比特绿色字以及M比特蓝色字)。第一和第二传输字基于三个色彩数据字...
制作带有自对准场板的增强型HEMT的方法技术
本公开的各种实施方式包括增强型(e-型)栅极注入高电子迁移率晶体管(HEMT)的形成。实施方式可包括GaN、AlGaN和InAlN基HEMT。实施方式还可包括自对准的P型栅极和场板结构。栅极可与源极和漏极自对准,这可允许对栅极-源极和栅...
带有内部器件体控件的模拟开关制造技术
一种用于模拟开关的体控制装置,用于使泄漏电流最小化并将PN结保持为反向偏压。该模拟开关具有耦合在输入和输出节点之间且由控制输入控制的第一和第二开关器件簇,该第一和第二开关器件簇各自具有相应的体结。体控制装置包括各自由输入和输出节点之一控...
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