本发明公开了一种用于极端远紫外线光刻（ＥＵＶＬ）辐射的光刻掩模。所述掩模包括：多层叠层，能充分反射所述ＥＵＶＬ辐射；附加多层叠层，在多层叠层顶部形成；以及吸收材料，在沟槽中形成，其中在所述附加多层叠层之中图案化所述沟槽。所述吸收材料能充...

一种形成聚合物阵列的方法，该方法包括　　　　提供适于合成聚合物序列的基底；　　　　形成阵列，该阵列的众多位置中的每一个均具有至少一个链末端；　　　　在链末端上形成光敏保护；　　　　选择性地扫描和调制至少一个能量束，使得在所述的光敏保护上...

一种装置，其特征在于，所述装置包括：　　　　辐射源的第一半球内的第一表面，所述第一表面将辐射从辐射源反射到辐射源的第二半球；以及　　　　所述源的第二半球内的第二表面，所述第二表面将第二半球内的辐射反射到输出平面。

通过用塑化剂处理图形化光致抗蚀剂可以减小线缘粗糙度。塑化剂的使用可以以在显影后表面处理光致抗蚀剂的方式来进行。此后，塑化的光致抗蚀剂可以经历加热步骤来回流光致抗蚀剂。回流处理可以减小图形化的、被显影的光致抗蚀剂的线缘粗糙度。

一种复合图形化技术可以包括三个光刻过程。第一光刻过程在第一光致抗蚀剂上形成交替的、连续的基本等宽的线和间隙的周期性图形。第二光刻过程使用非干涉光刻技术打断所述被图形化的线的连续性，并形成预期的集成电路特征的一部分。所述第一光致抗蚀剂可以...

用于印刷衬底的系统和技术。在一个实施中，一种方法包括通过将不规则性引入重复的线和所述线之间的间隙的阵列，用基本上任意的特征排列图形化衬底。

用于印刷衬底的系统和技术。在一个实现中，一种方法包括，通过将不规则性引入特征的重复性阵列，用特征的基本任意的排列来图形化衬底。

一种复合图形化技术可以包括两个光刻过程。第一光刻过程可以使用干涉光刻在光致抗蚀剂上形成具有基本相等宽度的线和间隙的干涉图形。第二光刻过程可以使用一种或更多种非干涉光刻技术，例如光学光刻、压印光刻和电子束光刻，来打断图形化的线的连续性，并...

本发明描述一种方法，包括：提供衬底，该衬底包括第一区域和第二区域；在衬底上形成多层镜面；在多层镜面上形成移相器层；在移相器层上形成覆盖层；去除第二区域中的覆盖层和移相器层；用ＥＵＶ光照射第一区域和第二区域；并从第一区域和第二区域反射ＥＵ...

本文描述了不基于交联化学反应的化学放大的负性光致抗蚀剂的一系列结构。所述光致抗蚀剂可以包括：与环烯烃共聚合的第一芳族结构，其中所述环烯烃用二醇官能化。所述光致抗蚀剂还可以包括光酸产生剂（ＰＡＧ）。当所述负性光致抗蚀剂的至少一部分被曝光（...

用于光刻的系统和技术。在一个方面，方法包括通过利用包括亚波长特征的器件调制辐射的零级衍射的强度和相位来生产微电子器件，所述亚波长特征具有小于所述辐射的一个波长的节距尺寸。

一种组合物，它包括：第一部分；和能从外部来源获取能量的不同的第二部分，其中所述第二部分的定位使收获于第二部分的能量可被转移到第一部分。一种制品，它包含包括第一部分和能从外部来源获取能量的不同的第二部分的薄膜，其中所述第二部分的定位使第一...

描述用于修补具有底切蚀刻的ＡＰＳＭ掩模的方法。利用原子力显微镜的针尖来移除板上的缺陷上方的吸收层以及板上的缺陷的第一部分。利用电子束诱导蚀刻来移除缺陷的第二部分，该电子束诱导蚀刻包括：在缺陷的第二部分上方引入第一气体以便形成用于蚀刻缺陷...

本发明公开了一种形成掩模的方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成用于ＥＵＶ光的多层镜；在多层镜上形成用于ＥＵＶ光的泄漏吸收体；以及将泄漏吸收体图案化成强反射的第一区和弱反射的第二区。本发明还公开了一种ＥＵＶ掩模，包括：衬底；位于衬底上的多...

提供照相机（５００），包括电池（５０２），照相闪光灯电路（５１２），和把来自电池的能量提供给照相闪光灯电路的充电电路（５１０）。该照相机还包括与电池耦接的电压监控器（５０６），当电池上的电压下降至预定电压值以下时从充电电路上断开电池。该...

第一面板包括具有前侧和后侧的透光主体。该主体具有宽度、高度和深度。该深度基本上小于宽度或高度中的任意一个。该主体包括位于第一侧上的第一边缘，其限定出了从该第一边缘向外伸出的第一舌片。该主体包括位于第二侧上的第二边缘，其限定出了凹进该第二...

公开了一种在聚合物层中压印微槽来产生用于液晶显示器的定向层的方法。在一个实施方案中，所述方法包括提供在其一侧上施加有聚合物膜的透明基板；提供一种具有接触表面的工具，所述接触表面上形成有多个微槽；和将所述接触表面压向所述聚合物膜。还公开并...

一种光学调制器（１０１），其对通过集成电路小片（１０３）背面通过半导体基片（１０３）的光进行调制。在一个实施例中，光学调制器被放置在倒装晶片封装的集成电路小片（１０３）内。所述光学调制器包括一个光束多次通过的调制区域（１１５）。在一个实...

本发明公开了一种切换设备（１０），其包括光学腔和安排在所述光学腔中的相位调制器（１４）。光信号传播到所述腔中。相位调制器可以有选择地在光信号的多个部分之间引入相移，这些部分然后被重组并传播出光学腔。光学腔的腔约束了光信号以允许相移累积，...

一种集成电路，可以具有形成在半导体支座（１０）的一侧上的空间光调制器（３０）和形成在相对侧上的微处理器（１８）。该微处理器（１８）和该空间光调制器可以通过完全穿过该半导体支座（１０）延伸的电连接（２４）相互通信。微处理器（１８）可以采用...