本发明的名称是超线程微处理器中经线程优先级提供服务质量，描述了基于优先级在多处理元件环境中提供服务质量的方法和设备。诸如保留站和流水线等资源耗用偏向更高优先级处理元件。在保留站中，掩码元件设为向更高优先级处理元件提供到更多保留条目的访问...

公开用于向执行环境揭示系统拓扑的装置、方法和系统的实施例。在一个实施例中，装置包括位于单个集成电路上的执行核和资源、以及拓扑逻辑。该拓扑逻辑用于以关于执行核与资源之间的关系的信息填充数据结构。

一种用于验证固件的技术。本发明的一个实施例使用处理器的微代码来验证系统的固件，使得所述固件能够与操作系统一起被包括在代码信任链中。

处理设备将片断文件存储到非易失性存储器，这些片断文件在ＲＡＭ中作为直接指针而被跟踪。原始文件存储在存储器中，数据编辑被存储在新存储位置，并在与存储器块相关联的标题结构中作为文件偏移而被跟踪。新回收／折叠算法采用已编辑的文件偏移将数据折叠...

一种集成电路，包括：稳压器，该稳压器在保持预定的电压水平的同时具有吸收和提供电流的能力。

一种方法，所述方法包括：　　　　利用第一电源电压电平使集成电路工作；　　　　从所述集成电路向稳压电源发送向所述集成电路提供第二电源电压电平的指示；　　　　从所述稳压电源接收所述第二电源电压电平；以及　　　　利用所述第二电源电压电平使所述...

描述了以独立电压操作集成电路（ＩＣ）各种逻辑块的方法和设备。在一个实施例中，基于对应域组件的功耗要进行修改的指示，调整向ＩＣ中一个或多个域的供电。还描述了其它实施例。

一种方法包括对与热介质相接触的物体设定第一目标温度，反复接收表示热介质当前温度的输入，根据输入反复估算物体的温度，根据物体的估算温度反复设定热介质的第二目标温度，根据已设定的第二目标温度控制热介质的温度。描述了其它实施例并提出申请。

根据本发明的实施例，综合配置、流程和执行系统（ＩＣＦＥＳ）可用来规定、控制和记录晶片的半导体器件实验批量和生产批量的处理历史。此外，该系统允许将预先存在的流程框的一个或多个部分流程和特殊处理组合到另一个处理流程框中。可创建包括流程框的批...

衬底的干涉图形化。可以产生包括干涉条纹的干涉图形来照射衬底，衬底上被所述干涉图形实际照射的区域可以被限制，被照射区域可以沿和所述干涉条纹相交的方向横过所述衬底来位移，并且无论所述被照射区域的位移如何，可以维持所述干涉图形相对于所述衬底的...

公开了一种用于光刻的混合光源。根据本发明的实施例，光源包括：头部，耦合到头部的第一组极，该第一组极设置在邻近于头部的外部边缘处，以及耦合到头部的第二组极，其位于所述外部边缘和头部中心之间。根据本发明进一步的实施例，可调整该极以改变光源的...

本发明公开了一种具有一定厚度的改进了的吸收层的ＥＵＶ掩模，此吸收层由金属和非金属组成，其中金属对非金属的比率在整个改进了的吸收层的厚度内改变，并公开了这种ＥＵＶ掩模的制造方法。

本发明公开了一种光刻掩模。该掩膜包括按照光掩模图案选择性形成在衬底上的图案层。接下来，在该图案层和该衬底上形成多层叠层。该多层叠层由多对薄膜组成。最后，在该多层叠层中形成的多个沟槽中布置吸收层。该吸收层能够吸收ＥＵＶ照射辐射。而且，多个...

本发明公开了一种用于改进现代步进机的曝光聚焦的方法，步进机用在比如晶片的半导体衬底的光刻中。从半导体锭上沿相对于锭上的参考点的特定方向（５０）锯出晶片（５２）。作为锯开的结果，在晶片的表面（５４）上出现一系列凸出和凹进的形态（６２）。在...

本发明提供了可以形成高分辨率、高残余膜比率的图案并给出机械能、粘合性和吸水性优良的固化膜的高灵敏度正性光敏树脂组合物。也就是说，本发明在于包含１００重量份碱溶性树脂、１至１００重量份光敏性重氮醌化合物（Ｂ）和填料（Ｃ）的正性光敏树脂组合...

远紫外线光刻掩模，由覆盖以衬垫层诸如硅或碳化硼，再覆盖以用于阻止内部扩散的薄层，以及最后覆盖以钌保护层而形成的多层叠层。通过根据保护层最佳化衬垫层的厚度，可以改进光的性质。

本发明公开了一种用于制造和无损修复掩模的方法和一种装置，所述装置包括：支架，用于安放衬底；工作台，用于在室中定位所述的支架；抽气系统，用于抽空所述室；成像系统，用于在所述衬底中定位不透明缺陷；气体传送系统，用于向所述缺陷配送反应气体；以...

一种使用光掩模使感光层形成图案的光掩模和方法，所述光掩模包括基板和耦合到基板上的薄膜。用相移辅助微细结构、低纵横比辅助微细结构或相移的低纵横比主微细结构蚀刻薄膜。

一种在光刻成像系统中应用的用于形成半导体晶片的图形的光刻掩模。该光刻掩模包括一个衬底，以及一个在衬底上的吸收体。该吸收体经选择性的刻蚀以形成掩模特征。在一个实施例中，掩模包括一个衬底上的薄层，薄层的厚度和材料产生一个抵消相位误差的相位纠...

本发明描述了一种形成掩膜的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一厚度；在该衬底上形成平衡层，所述平衡层具有第二厚度；在该平衡层上形成吸收层，所述吸收层具有被第三区域从第二区域分隔开的第一区域；去除所述第一区域和第二区域中的吸收层；去除所...