干涉图形化制造技术

衬底的干涉图形化。可以产生包括干涉条纹的干涉图形来照射衬底，衬底上被所述干涉图形实际照射的区域可以被限制，被照射区域可以沿和所述干涉条纹相交的方向横过所述衬底来位移，并且无论所述被照射区域的位移如何，可以维持所述干涉图形相对于所述衬底的基本恒定的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本公开涉及衬底的干涉图形化。当两个或更多个波列(例如电磁辐射)相长地和/或相消地相加形成交替的强度增强和强度降低的区域时，产生干涉图形。可以使用干涉光刻在衬底上以接近所述波列的二分之一波长的节距来印刷特征。附图说明图1示出了干涉图形扫描光刻系统的一种实现。图2示出了供在干涉图形扫描光刻系统中使用的空间滤波器。图3示出了图2的空间滤波器的剖视图。图4示出了在衬底的干涉光刻图形化中的一个阶段。图5到7示出了在图4的衬底干涉光刻图形化中的后续阶段。图8示出了干涉图形扫描光刻系统的另一种实现。图9到10示出了在衬底的干涉光刻图形化中的阶段。图11示出了干涉图形扫描光刻系统的另一种实现。图12示出了在衬底的干涉光刻图形化中的一个阶段。图中相同的参考符号指示相同的元件。具体实施例方式图1示出了干涉图形扫描光刻系统100。系统100包括环境外壳105、准直的电磁辐射源110、干涉光学装置115、空间滤波器120、衬底工作台(substrate stage)125、工作台控制系统130，以及对准控制135。可将外壳105用于在衬底上印刷特征。外壳105能够提供环境稳定性和针对空气传播的粒子和其他印刷缺陷来源的保护。外壳105可以是洁净室或要被放置在洁净室内部的专用环境系统。源110、干涉光学装置115、空间滤波器120、晶片工作台125、工作台控制系统130以及对准控制135的全部或一个子集可以被外壳105所包围。例如，对准控制135可以在外壳105外部，而源110、干涉光学装置115、空间滤波器120、衬底工作台125、工作台控制系统130则可以被外壳105包围。准直的电磁辐射源110可以是激光器、弧光灯、同步加速器，或者其他单独地或与光学元件协同地产生准直的电磁辐射的设备。干涉光学装置115使用两个或更多个干涉电磁波列提供衬底的干涉图形化。所述波列能够在期望部位(location)干涉形成干涉图形。干涉图形可以包括一个或更多个干涉条纹。这些干涉条纹可以具有基本相同的取向(例如在期望部位的平行条纹组)，或者条纹可以具有不同的取向(例如在期望部位的垂直条纹组)。所述波列能够沿光路138离开干涉光学装置115。可以使用来自源110的电磁发射产生所述波列。例如，干涉光学装置115可以包括分束器和两个相对的反射器。分束器可以将从源110发射的束分为一对束，所述这一对束随后在从反射器发射之后干涉，从而在衬底上产生线(line)和间隙(space)的干涉图形。干涉光学装置115包括位置传感器140和光学装置位置控制器(positioner)145。位置传感器140能够传感干涉光学装置115中的光学元件的位置(position)。位置传感器140也能够检测干涉光学装置115形成的干涉图形，以及被所述干涉图形照射的衬底的位置(例如使用晶片对准标记)。光学装置位置控制器145使干涉光学装置115中的光学元件可以运动，以便部分地基于传感器140所传感的位置来改变衬底的照射。照射上的这种改变的一个实施例是光路138沿方向D的移动，这将在下面进一步讨论。照射上的这种改变的另一个实施例是也在下面被进一步讨论的由一个或更多个波列的相移导致的干涉图形的改变。光学装置位置控制器145可以是电动机或其他位移设备，例如包括压电元件的设备。空间滤波器120在空间上限定了被来自干涉光学装置115的波列照射区域。图2和图3更为详细地示出了空间滤波器120。滤波器120包括第一部分205和第二部分210。部分205、210被一对桥215、220联结。部分205、210和桥215、220能够削减从干涉光学装置115发射的电磁辐射的传输。部分205、210和桥215、220一起限定了内孔阑225。空间滤波器120能够通过孔阑225传输照射，并阻碍或阻挡同一照射通过部分205、210和桥215、220的传输，以便在空间上限定被照射区域。内孔阑225可以具有宽度w和长度L。对于所示的相对于干涉波列的取向，宽度w通常小于长度L。例如，宽度w可以允许一定数量的干涉条纹(例如在10和50000个干涉条纹之间)照射下面的衬底。可以选择长度L，以便照射衬底的所述宽度的某个部分。相对较大的长度L允许同时印刷衬底的较大部分，提高了吞吐量。例如，可以选择长度L以使晶片(例如，300毫米晶片)的整个宽度被照射。因此可以选择尺寸L和w，以便通过孔阑225提供衬底相对较大的均匀照射区域。图1示出了包括卡盘150的衬底工作台125。卡盘150可工作来固定衬底供光刻处理。卡盘150可以是真空卡盘，所述真空卡盘使用真空来固定衬底。工作台125以及卡盘150可通过工作台控制系统130来移动，以便将被固定衬底的适当部分呈现给干涉条纹的适当部分。例如，工作台125沿方向D可移动，如下面进一步讨论的那样。工作台控制系统130包括位置传感器155和工作台位置控制器160。位置传感器155可以传感工作台125的位置。位置传感器155可以包括许多传感元件中的任何一种，包括干涉换能器、线性可变差分换能器、压电换能器，以及电阻换能器。工作台位置控制器160使工作台125可以运动，以便改变被固定的衬底相对于空间滤波器120的位置。工作台位置控制器160可以是电动机或其他位移设备。对准控制135是用于调节工作台125和干涉光学装置115中的光学元件的运动和位置的控制系统。对准控制135从传感器140、155接收有关干涉光学装置115中的光学元件的位置、工作台125的位置以及固定在工作台125上的衬底的位置的信息。反过来，对准控制135基于接收到的位置信息，给位置控制器145、160提供控制信号。对准控制135可以是闭环控制系统。在工作中，无论干涉图形化系统中的任何位移，对准控制135保证将被固定的衬底维持在相对于干涉图形基本恒定的位置。图4到7示出了对准控制135利用线和间隙的干涉图形提供的定位的示例性实现。特别地，图4示出了衬底400的干涉光刻图形化中的第一阶段。衬底400可以是正被处理以形成至少一个集成电路器件的晶片，所述集成电路器件例如微处理器、芯片组器件或存储器器件。衬底400可以包括由硅、砷化镓或磷化铟制成的半导体部分。衬底400包括抗蚀剂层405和抗蚀剂支撑物410。抗蚀剂层405是对由源110(图1)发射的电磁辐射敏感的材料。例如，抗蚀剂层405可以是正或负光致刻蚀剂。抗蚀剂支撑物410是能够在物理地支撑抗蚀剂层405的材料。例如，抗蚀剂支撑物410可以是基底晶片或额外的自身受所述基底晶片支撑的层。抗蚀剂支撑物410可以包括预先存在的特征。在衬底400的图形化期间，源110和干涉光学装置115(图1)发射能够生成干涉图形415的电磁辐射。干涉图形415包括透过部分420(以实线显示)和非透过部分425(以虚线显示)。透过部分420通过孔阑225，以照射衬底400的工作部分430。非透过部分425被空间滤波器120(图1)阻挡或衰减。干涉图形415的线和间隙基本上平行于孔阑225的长度L。干涉图形415包括一系列强度峰435、440、445、450、455、460，在所述强度峰处，两个或更多个波列相长地干涉。强度峰可以由一批线状干涉条纹产生。这些条纹可以垂直于页平面或者以相对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种系统，包括：干涉图形发生器，所述干涉图形发生器在第一部位产生包括干涉条纹的干涉图形；空间滤波器，所述空间滤波器至少部分地限制在所述第一部位被所述干涉图形实际照射的区域；以及位置控制器，所述位置控制器使所述被实际照 射区域沿和所述干涉条纹相交的方向横过所述第一部位发生位移，并且无论所述位移如何，维持所述干涉图形相对于所述第一部位的基本恒定的位置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：加里艾伦，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]