本公开涉及一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。

本发明涉及一种耦合电路，包括：耦合器，包括第一导线和耦合到第一导线的第二导线；两输出信号分离器，在耦合器的第二导线的每个端部处；以及滤波功能单元，在每个分离器的每个输出处。

一种过压保护设备，能够保护电源线，并且包括并联的穿通二极管、受控开关以及用于控制开关的电路。

本实用新型涉及一种能够保护电源线的过压保护设备和电子装置，该过压保护设备包括：二极管部件，包括穿通二极管，受控的开关，与所述二极管部件并联，以及电路，耦合至所述穿通二极管并且配置成控制所述开关。通过使用根据本实用新型的过压保护设备，可以...

本发明涉及一种参考后表面的控制类型的垂直双向开关，包括在其后表面上的第一主电极(A1)、在其前表面上的第二主电极(A2)以及栅极电极(G)。所述开关能够由栅极电极与第一电极之间的正电压控制。在所述开关中，栅极电极(G)被布置在穿过其中形...

本实用新型涉及一种耦合电路及无线电传输链，该耦合电路包括：耦合器，包括第一导线和耦合到第一导线的第二导线；两输出信号分离器，在耦合器的第二导线的每个端部处；以及滤波功能单元，在每个分离器的每个输出处。

一种用于利用交流电压对电容器进行充电的电路，包括用于根据交流电压的值调整电容器充电速度的电路。

本实用新型公开了一种表面安装芯片，包括：在表面侧上连接到外部设备的第一焊盘和第二焊盘，其中，在顶视图中，第一焊盘具有伸长的总体形状，并且第二焊盘为点形焊盘，其不与第一焊盘对准。

本实用新型的实施例提供一种用于利用交流电压对电容器进行充电的电路和功率调光器，所述用于利用交流电压对电容器进行充电的电路包括用于根据所述交流电压的值调整电容器充电速度的电路，其中所述调整电路包括至少一个双极晶体管，在所述双极晶体管的基极...

本发明公开了一种表面安装芯片，包括：在表面侧上连接到外部设备的第一焊盘和第二焊盘，其中，在顶视图中，第一焊盘具有伸长的总体形状，并且第二焊盘为点形焊盘，其不与第一焊盘对准。

本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的...

本实用新型公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下...

本发明涉及对功率转换器中开关的控制，具体而言，涉及一种用于控制功率转换器中的至少一个开关的方法，其中开关的切换速度根据对表示转换器的效率的量的测量而动态地变化。

本实用新型涉及功率转换器，具体而言，涉及一种功率转换器，包括：至少一个斩波器开关；以及控制电路，耦合至所述斩波器开关，所述控制电路配置成根据对表示所述功率转换器的功率效率的量的测量来动态变化所述至少一个斩波器开关的切换速度。

本发明涉及一种用于将电子芯片安装在封装中的系统，所述系统包括限定芯片接收区域(142)的第一引线框架(34)以及限定芯片覆盖区域(162)的第二引线框架(36)。框架至少外围地包括相互交互以便将框架保持在其间的元件对(42、44)。

本实用新型涉及四象限三端双向可控硅开关。提供一种竖直四象限三端双向可控硅开关，其中布置在前表面侧上的栅极区域包括第一导电类型的U形区域，该U形的底部抵靠该结构的一边，第二导电类型的主前表面区域在所述栅极区域的前面延伸并且被第一导电类型的...

本发明涉及四象限三端双向可控硅开关。提供一种竖直四象限三端双向可控硅开关，其中布置在前表面侧上的栅极区域包括第一导电类型的U形区域，该U形的底部抵靠该结构的一边，第二导电类型的主前表面区域在所述栅极区域的前面延伸并且被第一导电类型的所述...

本实用新型的一些实施例涉及多频带耦合电路。一种多频带耦合电路，其包括：数目等于频带数目的多个路径，每个路径具有第一端子和第二端子；第三端子和第四端子；数目等于路径的数目的多个分布式耦合器，所有耦合器均相同并且根据最高频带而制定尺寸，并且...

本发明的一些实施例涉及多频带耦合架构。一种多频带耦合电路，其包括：数目等于频带数目的多个路径，每个路径具有第一端子和第二端子；第三端子和第四端子；数目等于路径的数目的多个分布式耦合器，所有耦合器均相同并且根据最高频带而制定尺寸，并且每个...

本发明公开了一种封装耦合器。一种分布式耦合器，所述分布式耦合器包括用以传输其两个端部之间的无线电信号的第一线和用以通过耦合对所述信号的部分进行采样的第二线，其中：所述第一线和第二线中的一个线形成在绝缘基板上；以及另一线形成在支撑所述基板...