一种制造电子集成电路的方法，包括在衬底（１００）上形成由牺牲材料形成的部分（１），所述衬底（１００）的一部分由吸收材料形成。牺牲材料包括钴、镍、钛、钽、钨、钼、镓、铟、银、金、铁和／或铬。在由牺牲材料形成的部分（１）的、与衬底由吸收材料...

本发明提供了一种改进的集成电路和集成电路制造方法，以在互连层叠结构中的互连线和通孔边缘引入聚合物材料的基础上，在高速铜互连中引入高度受控的气腔，所述方法包含气腔的形成以及气腔形成的控制，由此提高半导体互连的信号传播性能。

本发明涉及利用硬掩模衬层能够抵抗去除剂扩散的特性来防止在互连层叠结构的特殊区域形成气腔。发明的方法包括：在ＩＣ互连层叠结构的表面限定出专门用于气腔引入的部分，其中所限定的部分小于衬底的表面；在互连层叠结构内形成至少一条金属轨迹以及沉积至...