本发明的课题在于提供一种表面处理玻璃纤维膜，为高强度且耐热性、尺寸稳定性及自立性优良，平均线性膨胀系数较低，并且高温时的贮存刚性模量较高，而且表面均匀性优良。为了解决上述课题，本发明提供一种表面处理玻璃纤维膜，其是表面经过处理的玻璃纤维...

提供了包含具有式(1)的含有机硅的含氟聚合物、其部分水解产物或水解缩合物的表面改性剂。在式(1)中，Rf为全氟代烷基，OA为OCF2CF2CF2CF2、OCF2CF2CF2、OCF(CF3)CF2、OCF2CF2或OCF2，X为F或CF...

一种太阳能电池，具备：半导体基板，至少形成有pn结；大量指状电极，在该半导体基板的至少单面上梳齿状地形成；以及多个母线电极，与所述指状电极的长边方向正交地配置并且与该指状电极连接，在太阳能电池中，连接于一个母线电极的一个指状电极、与连接...

本发明涉及室外罐用防水片材，是通过从室外罐延伸到底座粘贴而将底座上设置的室外罐的底部与上述底座的边界部分液密地被覆的防水片材，其特征在于，由具有可挠性的单层的弹性体构成，根据本发明，能够提供有效地用于防止雨水浸入室外罐、特别是主要在炼油...

本发明涉及用于制备稀土烧结磁体的方法和装置。将包括冲模、上冲头和下冲头的模具与包括射枪并在射枪的下端出口处提供有主筛的进料器组合，其中该上冲头和下冲头中的一者或两者的压力表面成形为非平面，在冲模和下冲头之间限定腔体，该主筛具有与压力表面...

涉及可便宜地制造无缺陷的纳米碳膜的、使用混合基板的纳米碳膜的制造方法，其特征在于，自单晶的碳化硅基板的表面注入离子而形成离子注入区域，将上述碳化硅基板的经离子注入的表面与基底基板的表面贴合，随后在上述离子注入区域使碳化硅基板剥离而制造在...

本发明涉及用于制备稀土烧结磁体的方法和装置。将包括冲模、上冲头和下冲头的模具与包括射枪并在射枪的下端出口处提供有主筛的进料器组合，其中该上冲头和下冲头中的一者或两者的压力表面成形为非平面，在冲模和下冲头之间限定腔体，该主筛具有与压力表面...

本发明涉及防水片材，是在基材橡胶层上形成了压敏粘合层的防水片材，其特征在于，基材橡胶包含JIS-A的硬度为15～90、并且拉伸强度为3MPa以上、伸长率为100～800％、新月形撕裂强度满足3kN/m以上的硅橡胶，本发明的防水片材能够提...

在本发明的方法中，通过调整供给至用于通过西门子法制造多晶硅的反应炉的原料气体的动能(原料气体供给喷嘴喷出口处的原料气体的流速和供给量)，控制爆米花的产生率。具体而言，在0.25MPa～0.9MPa的反应压力下进行多晶硅的析出反应时，在原...

提供氟硅橡胶组合物，其包括(A)氟代有机硅生胶，其具有基于单价烃基团的合计的0.03-1mol％的脂肪族不饱和单价烃基团含量和至多20ppm的残留的碱金属含量，(B)增强性二氧化硅，其具有50-100m2/g的比表面积，和(C)有机过氧...

包含经氨基醇改性的有机聚硅氧烷作为表面活性剂的化妆品组合物，其具有高乳液稳定性并提供有利的性质，包括非粘性和湿润的感觉、长期持久的质量、并且随时间流逝没有奇怪的气味释放。

具有可水解的甲硅烷基基团、硫化物基团和酰胺基团的含硫有机硅化合物贮存稳定并可用作橡胶配合用成分。当配合在橡胶组合物中时，该有机硅化合物对显著地降低迟滞损耗和改善橡胶组合物的耐磨损性有效。

本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4...

本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。通过加热该SiC坩埚，例如形成坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布，使源自作为该坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si-C溶液接触的坩...

本发明提供了光掩模坯料，具体地提供了包含透明衬底和在透明衬底上沉积的含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包含至少一个CrC化合物层，其包含最高至50原子％Cr、至少25原子％O和/或N之和、和至少5原子％C。由该坯料制备具有在衬底上形成的光掩模...

本发明涉及长期可靠性优良的高效的太阳能电池单元的制造方法，包括：工序(7)，在至少具有pn结的半导体基板的受光面侧形成了的反射防止膜上涂覆包含导电材料的膏状的电极剂；以及电极烧成工序(9)，具有以仅对上述电极剂涂覆部分照射激光而使上述导...

本发明提供了溅射沉积方法、溅射系统、光掩模坯料的制造及光掩模坯料。通过以下方法在衬底上溅射沉积膜：向真空室(3)提供第一和第二靶材(1，2)，使得第一和第二靶材(1，2)的溅射表面(11，21)可面向衬底(5)并且彼此平行或倾斜布置，同...

本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。使Si-C溶液中含有金属元素M(M为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成的第一组、由Ti、V、Cr...

本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离...

本发明涉及室外罐的防水施工方法，其特征在于，通过从室外罐延伸到底座粘贴防水片材而将底座上设置的室外罐的底部与上述底座的边界部分液密地被覆，根据本发明，能够提供对于防止雨水浸入室外罐、主要是在炼油厂等大量设置的大型罐的底部侧与底座的边界部...