本实用新型公开了一种具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片，包括InP衬底以及从上到下依次设置在InP衬底上的InGaAsP刻蚀停止层、第二InP包覆层、InGaAsP衍射光栅层、第三InP包覆层和有源区，所述InGaAsP刻蚀停止层上设...

本发明公开了红外半导体激光器芯片的新型抗反射膜及其镀膜工艺，包括镀在半导体激光器bar条(InP)上的若干层膜层，其中，单数膜层为Ta2O5或SiO2膜层；双数膜层为SiO2或Ta2O5膜层，且单数膜层与双数膜层为材料不同的膜层，本发明...

本发明公开了一种具有倒台结构脊波导的半导体激光器芯片及其制造方法，包括InP衬底以及从上到下依次设置在InP衬底上的InGaAsP刻蚀停止层、第二InP包覆层、InGaAsP衍射光栅层、第三InP包覆层和有源区，所述InGaAsP刻蚀停...