本发明公开了一种基于三模冗余表决的存储器及制造方法，旨在于解决现有技术面对存储器位翻转时纠正能力有限的技术问题。该存储器包括三模冗余芯片及存储单元，通过三维堆叠封装及激光刻线侧面互连实现小型化、轻质化与高可靠性。其制造方法包括堆叠、灌封...

本发明公开了一种发动机控制SIP模块及工作方法，包括集成在模块中的主控DSP、辅控DSP、模拟输入模块和旋变激励/解码模块，并设置相应的对外接口，利用SIP技术实现发动机控制和电机控制功能，提高了系统集成水平，实现了发动机综合控制器的小...

本发明属于网络数据的冗余传输技术领域，涉及一种基于流识别的冗余通信代理方法、系统和电子设备，该方法包括：获取报文，识别报文得到关键字段；基于流识别表对关键字段进行分类得到该报文的流类别，流类别有冗余代理流和交换流两种；对冗余代理流基于冗...

本发明公开了一种可拆卸围堰及包封方法，旨在于解决现有技术的围堰包封后围堰结构无法拆除导致基板空间利用率下降的技术问题。一种可拆卸围堰包括围堰框和可溶解粘接剂，允许在包封过程完成后轻松移除，减少对基板和封装材料的损害。一种包封方法，包括在...

本发明属于多通道温度测量技术领域，具体涉及一种软件可配置通用铂电阻和热电偶的多通道测量电路。本发明为克服现有温度传感器测量方案集成度低、标准化程度低等缺点，提供一种新的数字化、通用化的多通道温度传感器测量微电路装置，通过设计可编程的偏置...

本发明属于半导体集成电路封装技术领域，具体涉及一种针对熔封电路的盖板定位工装及其装配方法。采用钨铜作为定位工装的核心材料，其高硬度、高热导保证了工装在300‑350℃的高温下正常使用；定位柱对盖板和管壳有效限位，定位柱上的斜角结构，给盖...

本发明公开了一种温度控制电路自动测试系统及方法，旨在于解决现有技术中缺乏成熟通用的温度控制电路自动测试方案的技术问题。所述自动测试系统包括MCU控制模块、测试模块、电源模块和温度采集模块。MCU控制模块协调各模块工作；测试模块含继电器切...

本发明公开了一种温度传感器类器件批量测试方法及装置，旨在于解决现有技术无法同时兼顾精度、效率和兼容性几个方面的不足。该方法将待测器件置于高低温箱中，设置温度点并保持一定时间，采用标准器件比测法对标定温度进行校准，通过ATE设备进行多工位...

本发明属于通信技术领域，涉及一种实时网络的冗余路径规划方法、系统和电子设备，该方法包括：获取实时网络结构图，根据实时网络结构图计算得到冗余路径递归树；根据网络需求，在冗余路径递归树中选择对应冗余路径；针对冗余路径，采用增量计算的方式，统...

本发明属于微电子半导体器件设计与制造领域，具体涉及一种PN结复合多晶硅栅极结构、制备方法及其半导体器件。本发明主要包括第一型多晶硅栅极和第二型多晶硅栅极，第二型多晶硅栅极包裹第一型多晶硅栅极除底面以外的全部表面，二者共同构成PN结复合多...

本发明公开了ABF载板在PCB板上的开窗散热结构及工艺方法，属于集成电路封装工艺领域，包括ABF载板，所述ABF载板正面通过铜柱凸块连接有芯粒一，ABF载板背面通过铜柱凸块连接有芯粒二，所述铜柱凸块之间设置有重分布层，所述芯粒一和芯粒二...

本发明公开了一种铬镍金特种金属的湿法腐蚀方法及制得的晶圆，属于半导体器件制作工艺技术领域，所述湿法腐蚀方法包括以下步骤：晶圆正面蒸发Cr/Ni/Au，得到具有Cr/Ni/Au薄膜的晶圆；对具有Cr/Ni/Au薄膜的晶圆依次进行金属Au光...

本发明公开了一种可规模化量产硅基含铂金属的合金工艺技术方法，使用LPCVD设备，并非传统通用设备的工艺菜单调取与菜单工艺开发，由于LPCVD全称为低压化学气相淀积，主要用于淀积氧化物、氮化物、多晶硅等非金属种类的薄膜介质，非通用合金用途...

本发明公开了一种程控电源的自动化测试系统及方法，包括一次直流源、工控机、被测电源、电子负载和万用表，其中，被测电源为程控电源，一次直流源与被测电源的输入端连接，用于给被测电源供电，被测电源的输出端与电子负载连接，万用表连接在被测电源输出...

本发明公开了一种提升晶圆线宽均匀性的装置及方法，属于半导体集成电路制造技术领域。装置包括工序依次设置的热板单元和冷板单元；将所述热板单元和冷板单元设置在光刻工艺中的涂胶工序与曝光工序之间；所述热板单元设置有若干个实时温度监测点。方法包括...

本发明一种基于单片机控制的ZVSBUCK电路及其工作方法，电路包括单片机控制电路、ZVS开关拓扑电路、BUCK电路主体部分以及辅助电路；单片机控制电路用于接收输入信号，并通过处理后输出PWM控制信号；ZVS开关拓扑电路用于基于PWM控制...

本发明公开了一种针对辐照试验的电源保护系统及方法，属于元器件辐射效应试验测试工装技术领域。系统包括连接的测试板和二次电源供电板；所述测试板上设置有待测元器件；所述二次电源供电板上设置有电源模块、电流检测电阻和MCU；所述电源模块通过电连...

本发明公开了一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法，属于半导体芯片制造领域，该方法首先在已制备好的金属与薄膜电阻互连的硅片上使用双氧水刻蚀掉大部分钨钛相当于主刻蚀；其中，薄膜电阻具备钨钛阻挡层；其次进行湿法有机清洗，去除剩余钨钛表面的反...

本发明公开了一种刚挠基板组件的堆叠灌封结构及制作方法，属于电子封装技术领域，通过使用多块层间垫板，与组装了元器件的刚性基板进行叠层拼装组合，并在堆叠体底部贴装挡板，形成用于灌封的小体积半密封腔体，可在无模具情况下进行灌封，同时，由于形成...

本发明属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种低成本长寿命的半导体掺杂挡片及制备方法，该方法包括S1：晶圆表面预处理及表面清洗；S2：在清洗后的晶圆表面淀积氮化硅薄膜。在已使用过的晶圆或未使用过的原始晶圆上直接淀积一层氮化硅薄膜，不仅实现了...