一种铝电解电容器阳极箔的制备工艺，在现有腐蚀铝箔表面上采用溶胶－凝胶方法涂敷一层具有铁电型的纳米薄膜，经过热处理后，该纳米薄膜表现出铁电材料的高介电常数，然后将涂敷有铁电薄膜的腐蚀铝箔进行阳极氧化，使腐蚀铝箔表面形成一层高介电常数的复合...

固体片式电解电容器的制造方法，将条状铝箔焊接到不锈钢工艺条上；在铝箔上涂敷硅树脂或氟树脂，将铝箔分成阳极和阴极部分；将铝箔阴极部分浸入含己二酸铵和磷酸二氢铵的溶液中，加６－３５Ｖ的电压；再将铝箔阴极部分置于ＫＭｎＯ↓［４］溶液中，在含Ｐ...

本发明公开了一种反铁电陶瓷电容器材料及其制备工艺。采用化合价为正四价的锡元素部分取代锆钛酸铅化合物Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ↓［３］中正四价的锆元素，用正三价的镧元素部分取代Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ↓［３］中的二价铅元素，形成具有铅空位的多组分固...

铝电解电容器阳极箔的制备方法，采用溶胶－凝胶方法制备钛酸铋系或钛酸铋的前驱体，通过浸渍提拉法把这种前驱体涂覆在腐蚀铝箔表面，经过热处理后，形成一层具有高介电常数的钛酸铋系纳米薄膜，然后将这种涂有钛酸铋系薄膜的腐蚀铝箔进行阳极氧化，形成一...

氧化钛／氧化铝高介复合阳极氧化膜的制备方法，该方法采用溶胶－凝胶方法制备钛的前驱体，通过浸渍提拉把这种前驱体涂覆在腐蚀铝箔表面，经过热处理后，形成一层具有高介电常数的氧化钛薄膜，然后将这种涂有氧化钛薄膜的腐蚀铝箔进行阳极氧化，形成一层高...

一种电子元器件粉末包封设备的控制方法，根据电子元器件的包封的工艺要求，通过流量控制单元使绝缘粉末达到均匀疏松状态，等待电子元器件的浸粉；然后根据包封的工艺要求设定的粉末包封的浸粉参数，通过浸粉机构控制单元，使安装在浸粉机构上的电子元器件...

基于可控精度浸粉机构的电子元器件粉末包封机，包括机架及设置在机架上的流化床、在流化床的上端设置有浸粉机构和热风循环箱，浸粉机构包括固定在机架上的水平安装板和与水平安装板相互垂直的安装立板，安装立板上设有伺服电机、蜗轮蜗杆和直线滑轨，伺服...

本发明公开一种超级电容器复合电极材料的制备方法，即用导电高分子与功能化碳纳米管复合电极的制备方法，将碳纳米管通过在浓硫酸／浓硝酸混合溶液中超声振荡进行裁剪和功能化，在制备的高分子／功能化碳纳米管复合物中，碳纳米管的中空结构可以吸收高分子...

本发明公开一种导电高分子与碳纳米管复合电极材料的制备方法，即超级电容器用导电高分子（聚吡咯、聚苯胺或聚噻吩及它们的衍生物）与碳纳米管（单壁或多壁）复合电极的制备方法，将碳纳米管用常规的表面活性剂分散在聚合溶液中。不仅碳纳米管和高分子的协...

本发明公开了一种超级电容器用导电高分子电极材料的制备方法，通过控制吡咯聚合的反应条件，温度：－５～＋５摄氏度，溶液ｐＨ：１～６，聚合电流密度：０．１～１０ｍＡ／ｃｍ↑［２］，吡咯单体浓度：０．１～０．６ｍｏｌ／Ｌ，掺杂离子类型：对甲基苯...

一种卷绕型固体电解电容器的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：　　　　Ａ．将电容器用的阳极铝箔和阴极铝箔夹着隔膜卷绕成传统电容器芯子，并用化成液进行氧化膜的修补；　　　　Ｂ．将电容器芯子在２４０℃～４５０℃下进行处理１～１２０ｍｉｎ后，...

雷电流波形形成电感，包括绝缘桶以及设置在绝缘桶上的上电极和下电极，在绝缘桶上绕制有电感线圈，绝缘桶的外侧分别设置有与上电极、下电极相连接的两个绝缘支架，在两绝缘支架上安装短路棒，短路导电棒上设置有能够沿短路导电棒上下移动的两只移动滑块，...

一种宽频带故障放电耦合器，采用带磁芯的高频电流互感器耦合大电机中性线中的脉冲电流，其输出送入宽频带放大器的同相输入端，该放大器的连接形式为电压串联负反馈方式，信号经放大后送入信号传输用高频同轴电缆，最后送至主控室监测仪中进行分析处理、并...

一种低功耗的交流空心箔式电抗器，由多层箔纸［１］制成绕组，每一层就是一匝箔纸，每匝箔纸［１］之间用绝缘隔离，每隔一定的匝数留有一散热气道［２］，其特征在于，在绕组的顶部和底部各设置了一个铁磁材料的圆板［３］。

三相光学电流互感器，它由光纤连接器或光钎焊点连接的光源、起偏器、三个传感头，两个光耦合器，三个检偏器组成的电流传感系统和由三个光电转换器，三个放大滤波器和两个减法器和显示器组成的光信号检测和处理系统连接而成，它不但具有单相光学电流互感器...

本实用新型公开了一种工频消谐器，包括模拟量采集卡和开关卡，电压互感器的一次侧接在母线与地之间，电压互感器的二次侧星型绕组一端接地，另一端串联消谐电阻，消谐电阻和双向可控硅串联后与地相连，双向可控硅的栅极顺序串联限流电阻、限流电阻与开关卡...

本发明公开一种用投影成像无掩模曝光和投影反射成像无掩模曝光技术，制造圆柱形单层或多层载电流线圈的方法。制作圆柱形载电流线圈时，首先制作工件，在圆柱形线圈绝缘性骨架上镀铜膜或别种金属膜，在其上涂覆光刻胶。然后制作模板、曝光，再将曝光后的工...

本发明公开了一种用空间投影成像无掩模光刻技术制造圆环形线圈的方法。首先制作工件，在截面为椭圆和圆环状磁芯上镀上均匀的绝缘层，在绝缘层上镀金属膜，再涂覆光刻胶。制作模板、进行曝光，再将曝光后的工件投入显影和刻蚀工序制成单层载电流线圈。在已...

本发明公开了一种高频片式电感材料及制备方法，由重量百分含量４５～７５ｗｔ％的硼硅玻璃和总含量在２５～５５ｗｔ％之间的镁橄榄石和氧化铝中的至少一种物质组成，当同时包括镁橄榄石和氧化铝两种物质时，镁橄榄石和氧化铝的重量百分含量均为１～５５ｗ...

本发明公开了一种实现谐波治理的４芯柱三相变压器，包括变压器的三相绕组，其特征在于，所述的变压器内还有一个中心柱短接的绕组。本发明和普通的三相变压器相比，多设计一个中心柱。在中心柱上实现磁通叠加，再通过中心柱绕组产生磁势。对于非零序的磁势...