本发明提出了基于空谱联合的多光谱遥感图像云检测方法，实现步骤为：获取训练样本集和测试样本集；构建基于空谱联合的多光谱遥感图像云检测网络，对多光谱遥感图像云检测网络进行迭代训练；获取遥感图像云检测的结果。本发明构建基于空谱联合的多光谱遥感...

本发明公开了一种干扰抑制电路及数字隔离电路，其中，干扰抑制电路设置于数字隔离电路的接收端，并连接于隔离器的输出端和前置放大器之间；干扰抑制电路包括：一对NMOS管和一对PMOS管，干扰抑制电路具有当隔离器的输出信号中包括高于共模电平的瞬...

本发明公开了一种氢终端金刚石器件的小信号模型及其参数提取方法，其中方法包括：提取氢终端金刚石器件小信号模型中的基础寄生参数；基础寄生参数包括寄生电容C

本发明公开了一种基于硅掺杂六方氮化硼的半导体器件制备方法，涉及微电子技术领域，包括如下步骤：(1)清洗衬底，将六方氮化硼转移至待用衬底上；(2)将硅或二氧化硅与衬底上的六方氮化硼进行物理接触；(3)将附有硅或二氧化硅的衬底放入高温退火炉...

本发明公开了一种具有多孔石墨烯插入层结构的氮化镓基MEMS压力传感器的制备方法，涉及微电子技术领域，主要解决器件的剥离和提升现有阶段GaN外延层的生长质量，从下至上包括不锈钢衬底层、Al2O3层、AlN层、多孔石墨烯层、GaN层、SiO...

本发明涉及一种多台阶的钳位电压可选的SiC

本发明公开了一种横向变掺杂体二极管的SiCVDMOSFET器件，包括：由下至上依次设置的漏极、N+衬底和N

本发明涉及一种钳位电压可选的多台阶肖特基接触SiC

本发明公开了一种新型的汽车大功率光源的使用方法，涉及照明设备配套设施技术领域，大功率光源包括灯体和面罩，所述面罩安装于灯体的端部，灯体内部安装有LED光源板，灯体内部还通过透镜支架安装有LED光源透镜，所述透镜支架的另一端安装有光源反射...

本发明涉及一种钳位电压可选的横向穿通型SiC

本发明涉及一种浮动结掺杂浓度呈阶梯渐变的碳化硅功率器件，包括背面电极、N+衬底区、N

本发明涉及一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件，包括：N+碳化硅衬底层；N

本发明涉及一种源极和台面结构集成肖特基二极管的VDMOSFET器件，包括漏极、衬底、N

本发明公开了一种熔断式自灭火电池箱，涉及电池安全技术领域，包括箱体和箱盖，所述箱盖安装于箱体的上端，所述箱体内对称设有两组隔离件并将箱体分成位于两侧的灭火腔以及位于中间并与灭火腔相连通的电池腔，所述灭火腔内放置有灭火单元，所述电池腔内放...

本发明公开了一种汽车加压装置的传动方法，涉及汽车领域，加压装置包括主轴、飞轮组件以及缸体，所述主轴上固定连接有飞轮组件，所述主轴通过汽车传动系统带动旋转，所述飞轮组件与活塞杆的底部滑动卡接，利用飞轮与飞轮环转动连接的组合代替常规凸轮，减...

本发明涉及一种带有埋层沟道的碳化硅MOSFET气体传感器，包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、n型沟道层、p型掺杂层、源极N+层、源极、漏极N+层、漏极、栅极氧化层和栅极，碳化硅外延层位于碳化硅衬底上；n型沟道层位于碳化硅外延层的内部；p型...

本发明涉及一种减少背面刻蚀深度的粱膜结构碳化硅MEMS压力传感器，通过将碳化硅MEMS压力传感器的压力感应膜由常规的平模结构改为粱膜结构，可以限制压力感应膜在压力作用下的变形，从而提高碳化硅MEMS压力传感器的线性度。在制备过程中，将碳...

本发明公开了一种氮化镓基材料的表面处理方法及器件的制备方法，氮化镓基材料的表面处理方法，包括如下步骤：在氮化镓基材料的结构层表面生长氧化物保护膜，得到第一中间结构层；对第一中间结构层的表面进行氢离子气体处理，得到第二中间结构层；刻蚀去除...

本发明公开了一种基于氮掺杂石墨化的碳化硅上氮化物异质结及其制备方法，涉及半导体技术领域，该异质结包括从下至上依次设置的单晶碳化硅衬底、石墨烯缓冲层、氮化铝成核层、氮化镓氮化铝超晶格沟道层、氮化铝插入层、掺磷氮化铝势垒层以及氮化镓帽层，本...

本发明提供了一种硅基液晶显示驱动电路的部分版图结构包括多个最小像素矩阵单元，每个最小像素矩阵单元由4个完全相同的像素单元构成，4个像素单元呈2*2排列，并在垂直轴以及水平轴呈轴对称，在最小像素矩阵单元内部采用相邻像素单元共用地，4个像素...