本发明公开了一种用于识别磁性介质的传感器，包括励磁和两个传感单元，所述两个传感单元的磁场感应方向相互垂直。所述传感器适用于识别磁性介质。所述传感器的传感单元中使用的是磁性传感元件，可以是霍尔元件、各向异性磁电阻元件、巨磁电阻元件或磁隧道...

本实用新型公开了一种识别磁条上磁性图形的磁矩取向装置，该装置包括永磁体、L形的软磁体和磁电阻芯片；所述软磁体包括底部和侧壁，所述永磁体设于所述软磁体的底部上，所述永磁体的一个侧面与所述软磁体的侧壁相向，且所述永磁体的侧面与所述软磁体的侧...

本实用新型公布了一种基于磁电阻技术检测磁性图形表面磁场的磁头，包括支架和设置于支架上的PCB板，还包括水平励磁结构，其用于产生一个平行于磁头表面的磁场；和基于磁电阻MR元件的磁场检测部件，其用于检测磁性图形表面漏磁场的垂直分量的分布情况...

本发明公开了一种识别磁条上磁性图形的磁矩取向装置，该装置包括永磁体、L形的软磁体和磁电阻芯片；所述软磁体包括底部和侧壁，所述永磁体设于所述软磁体的底部上，所述永磁体的一个侧面与所述软磁体的侧壁相向，且所述永磁体的侧面与所述软磁体的侧壁之...

本实用新型公开了一种电流传感器，该电流传感器包括磁电阻集成芯片、运算放大器、电阻、印刷线路板和U形的待测电流导线；磁电阻集成芯片、运算放大器和电阻固定于印刷线路板的一侧，待测电流导线固定于印刷线路板的另一侧，且磁电阻集成芯片与待测电流导...

本实用新型公开了一种用于电流传感器的磁电阻集成芯片，该磁电阻集成芯片包括4N(N=1,2,3,4…)个结构相同的芯片单元，每一个所述芯片单元为多层膜结构，每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层；补偿导线层、磁电阻元...

本实用新型公开了一种用于开关传感器的电路，该电路包括TMR元件(1)、电阻(2)、第一电流源(3)和第二电流源(4)，TMR元件(1)与第一电流源(3)电连接，电阻(2)与第二电流源(4)电连接，TMR元件(1)与电阻(2)电连接，第一...

本实用新型公开了用于磁开关传感器的电路，包括磁电阻元件(1)、电阻(2)、带温度系数的电压源(3)和比较器(4)；磁电阻元件(1)与电阻(2)电连接，且磁电阻元件(1)和电阻(2)分别作为一个桥臂构成一个半桥，磁电阻元件(1)与电阻(2...

本发明公开了一种用于开关传感器的电路，该电路包括TMR元件(1)、电阻(2)、第一电流源(3)和第二电流源(4)，TMR元件(1)与第一电流源(3)电连接，电阻(2)与第二电流源(4)电连接，TMR元件(1)与电阻(2)电连接，第一电流...

本发明公开了用于磁开关传感器的电路，包括磁电阻元件(1)、电阻(2)、带温度系数的电压源(3)和比较器(4)；磁电阻元件(1)与电阻(2)电连接，且磁电阻元件(1)和电阻(2)分别作为一个桥臂构成一个半桥，磁电阻元件(1)与电阻(2)之...

本发明公开了一种电流传感器，该电流传感器包括磁电阻集成芯片、运算放大器、电阻、印刷线路板和U形的待测电流导线；磁电阻集成芯片、运算放大器和电阻固定于印刷线路板的一侧，待测电流导线固定于印刷线路板的另一侧，且磁电阻集成芯片与待测电流导线的...

本发明公开了一种用于电流传感器的磁电阻集成芯片，该磁电阻集成芯片包括4N(N=1,2,3,4…)个结构相同的芯片单元，每一个所述芯片单元为多层膜结构，每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层；补偿导线层、磁电阻元件和...

本发明涉及一种薄膜磁阻传感器元件，包括下电极、种子层、反铁磁钉扎层、磁性被钉扎层结构、非磁性隔离层、磁性自由层、保护层、上电极、偏磁层。本发明还涉及包含本发明的薄膜磁阻传感器元件的电桥。本发明的薄膜磁阻传感器元件及其组成的电桥的特点是：...

本发明涉及一种磁阻传感器，尤其是一种具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，属于半导体的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器，包括衬底；磁阻传感器本体，位于衬底上，具有方向上相互垂直的第一磁矩与第二磁矩；聚磁层...

本发明涉及一种线性薄膜磁阻传感器，其包括种子层；参考层，位于种子层上，具有第一磁矩；非磁性隔离层，位于所述参考层上，将参考层与磁性自由层隔离；磁性自由层，位于非磁性隔离层上，具有第二磁矩，所述第二磁矩具有垂直于膜面的各向异性，且第二磁矩...