用于电流传感器的磁电阻集成芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种用于电流传感器的磁电阻集成芯片，该磁电阻集成芯片包括4N(N=1,2,3,4…)个结构相同的芯片单元，每一个所述芯片单元为多层膜结构，每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层；补偿导线层、磁电阻元件和软磁层彼此之间的间隙设有绝缘层，绝缘层的形状与补偿导线层、磁电阻元件和软磁层的形状匹配；4N个芯片单元的补偿导线层是一体形成的，该补偿导线层在平行于基片的平面内呈“U”字形；4N个芯片单元的磁电阻元件相同，4N个芯片单元的磁电阻元件连接构成一个电桥。所述磁电阻集成芯片的优点为：尺寸由厘米量级缩小为毫米量级；制作成本明显降低；产品的一致性较好；对外磁场的抗干扰能力明显增强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于传感器的集成芯片
，特别涉及一种用于电流传感器的磁电阻集成芯片。
技术介绍
电流传感器在工业中的应用非常广泛。如图I所示,现有技术中的感应线圈式电流传感器包括铁心I、线圈2、敏感元件3、电阻4和运算放大器5。敏感元件3的输出端与运算放大器5的输入端连接，运算放大器5的输出端与线圈2的一端连接，线圈2的另一端与电阻4的一端连接，电阻4的另一端接地。待测导线6从铁心I的内空间穿过。敏感元件3 —般采用霍尔元件或者磁电阻元件。当待测导线6中有电流流过时，通过测量电阻4两端的电压即可得到流过待测导线6中的电流大小。但是，上述电流传感器存在如下缺陷(I)由于铁心和线圈的尺寸较大，整个电流传感器的尺寸也较大，一般为厘米量级；(2)制作成本很高； (3)产品的一致性较差；(4)对外磁场的抗干扰能力较差。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于电流传感器的磁电阻集成芯片。本专利技术提供的用于电流传感器的磁电阻集成芯片包括4N(N=1，2，3，4···)个结构相同的芯片单元，每一个所述芯片单元为多层膜结构，每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层；所述补本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于电流传感器的磁电阻集成芯片，其特征在于，该磁电阻集成芯片包括4N(N=1,2,3,4…)个结构相同的芯片单元，每一个所述芯片单元为多层膜结构，每一个所述芯片单元包括补偿导线层、磁电阻元件和至少一个软磁层；所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层彼此之间的间隙设有绝缘层，所述绝缘层的形状与所述补偿导线层、所述磁电阻元件和所述软磁层的形状匹配；所述4N个芯片单元的补偿导线层是一体形成的，该补偿导线层在平行于基片的平面内呈“U”字形；所述4N个芯片单元的磁电阻元件相同，所述4N个芯片单元的磁电阻元件连接构成一个电桥。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王建国，
申请(专利权)人：无锡乐尔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：