武汉烽火锐拓科技有限公司专利技术

武汉烽火锐拓科技有限公司共有15项专利

  • 本申请涉及一种感应炉密封装置及拉丝感应炉,炉头封箱内通过保护气接入管和保护气排出管形成气封层,作为第一层密封;另外,箱内密封组件设置在炉头封箱内,并且其圆环形石墨毡密封部在预制棒下降过程中,将炉头封箱底部密封,形成第二层密封;箱外密封组...
  • 本申请涉及一种利用电荷诱导的OVD沉积系统,其包括芯棒夹持座、电荷发生器和沉积喷灯,两个所述芯棒夹持座间隔设置以形成用于收容芯棒的收容区域,两个所述芯棒夹持座用于分别夹持于芯棒的两端;所述电荷发生器的电荷输出口朝向所述收容区域,并用于使...
  • 本申请涉及一种用于制备光纤预制棒的喷灯及沉积系统,其包括灯主体和声波发生器,灯主体上设置有供料管;声波发生器安装于灯主体上,并用于向供料管发送使位于供料管内的结晶物因共振而脱落的声波。通过“赫兹共振”原理,将声波与喷灯相结合,通过对预制...
  • 本申请涉及一种高均匀性掺氟石英件、制备方法及光纤预制棒,其包括如下步骤:基于掺氟石英件的设计相对折射率差、掺氟石英件的质量、掺氟石英件的相对折射率差关于二氧化硅粉末质量和氟化物粉末质量的第一映射关系,获取所需质量的二氧化硅粉末与氟化物粉...
  • 本申请涉及一种超低损耗大有效面积的光纤,其包括沿着光纤径向由内到外依次设置的芯层、第一渐变层、内包层、第二渐变层、下陷包层、第三渐变层、过渡包层、第四渐变层和外包层;所述芯层为氯硼共掺或者氯氟共掺的二氧化硅,且不掺杂锗;所述第一渐变层、...
  • 本申请涉及一种获取VAD引杆偏移趋势的方法、沉积方法及沉积设备,其包括:沿Z方向,驱使引杆从起始位置朝终点位置移动;在起始位置与终点位置之间的多个设定位置处,测量引杆在X方向和Y方向上的偏移量;基于设定位置、生长速率、X方向上的偏移量和...
  • 本申请涉及一种芯棒弓曲度校准系统及方法,其包括校棒装置、智能机器人以及中央控制设备,校棒装置包括校棒车床、可移动地设于校棒车床上的喷灯以及校棒支架;中央控制设备与智能机器人、喷灯和校棒支架连接,并用于:根据选择、输入或接收的已完成延伸的...
  • 本申请涉及一种光纤预制棒及其制备方法,其包括:基于光纤的芯层半径、芯层相对折射率、包层半径以及光纤预制棒的质量,得到芯层所需的硅粉质量和对折射率有贡献的折射率粉料质量,以及包层所需的硅粉质量;将芯层所需的硅粉和对折射率有贡献的折射率粉料...
  • 本申请涉及一种抑制D4聚合生成凝胶的智能调节双控系统,包括:D4杂质成分检测装置,其用于采样分析D4原料中的杂质含量,并将杂质含量信息发送至中央原料控制装置;蒸发喷料系统,其用于实时监控D4聚合生成凝胶信息,并将D4聚合生成凝胶信息发送...
  • 本申请涉及一种可连续的光纤预制棒脱气设备,涉及光纤制备技术领域。本光纤预制棒脱气设备的脱气单元包括脱气通道,脱气通道依次包括升温区、高温脱气区和降温区,传输单元设于脱气通道的上方,传输单元的底部设有多个沿其长度方向间隔设置的固定单元,每...
  • 本发明涉及一种芯棒沉积速度稳定控制方法及控制系统,其包括以下步骤:根据设定的生长速度与激光功率的函数关系,实时换算激光功率对应的生长速度;根据历史时间段内的生长速度,拟合沉积速度与生长速度的函数关系,并计算出当前激光功率下的沉积速度;控...
  • 本申请涉及一种光棒沉积用的卡盘组件及夹紧装置,卡盘组件包括卡盘和插接件,所述卡盘的一端面上具有对接芯棒的对接区,且在该端面上还安装有多个可靠近所述对接区并卡紧所述芯棒或远离所述对接区并松开所述芯棒的卡爪;所述插接件的尺寸与所述芯棒末端上...
  • 本申请涉及一种光纤预制棒烧结炉炉内压力自动控制系统及方法,属于光纤预制棒气相轴向沉积技术领域,包括:烧结炉,其包括排出烧结炉内气体的主抽风管,主抽风管上连通有向主抽风管和烧结炉内充入第一气体的补压管;压力控制单元,其包括可编程控制器、监...
  • 本申请涉及一种光纤预制棒的制造方法及制备光纤预制棒用的喷涂装置,其包括如下步骤:在预设温度下,朝芯棒表面喷涂浆料,得到胶体预制棒,所述浆料包括二氧化硅粉体和水性胶黏剂;对所述胶体预制棒进行排胶处理,得到多孔预制棒;对所述多孔预制棒进行脱...
  • 本申请涉及一种用于D4液体原材料的汽化装置及方法,属于光纤预制棒OVD沉积工艺生产设备技术领域,其中,汽化装置包括沿D4液体流动方向依次连接的吸附D4液体内水分的液体供料装置、将D4液体雾化成雾滴的雾化器、将雾化成雾滴的D4液体蒸发成D...
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