武创芯研科技武汉有限公司专利技术

武创芯研科技武汉有限公司共有5项专利

  • 本发明涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种芯片铜柱的电镀方法及铜柱凸块的制作方法,包括如下步骤:a、在电流密度J<subgt;0</subgt;为1~3A/dm<supgt;2</supgt;的条件下,形成第一高...
  • 本申请涉及半导体工艺的技术领域,尤其是涉及一种流体输送系统及半导体工艺设备。流体输送系统包括依次相连的输入管段、弯曲管段和输出管段,以及至少两个导流板。导流板设置在弯曲管段的内部,每个导流板上均开设有多个通孔,通孔的开口面积和/或密度根...
  • 一种基于平面压痕的晶圆封装级RDL再布线层缺陷检测方法,包括:依据再布线层检测目标路径规划压痕按压路径进行按压,并测量凹陷数据;处理所述凹陷数据,得到凹陷程度图表;对所述凹陷程度图表进行归一化处理;基于所述归一化处理后的凹陷程度图表,构...
  • 本发明公开随机振动工况下球栅阵列封装的焊点受力分析方法和系统,属于电子封装器件仿真领域。本发明先进行均匀稀疏化等效,确定第一阶模态的振型中振幅最大的BGA焊点,并以该焊点为中心确定危险区域,然后由危险区域的三维模型和非危险区域的有限元模...
  • 本发明提供了一种芯片封装可靠性模型求解翘曲度的方法及系统,属于芯片封装仿真建模领域,方法包括:以实际基板与芯片之间的焊球排布阵列为基准,保持焊球覆盖面大小、焊球相对底填胶所占体积以及焊球高度不变,增大单个焊球的体积和焊球间距,获取稀疏化...
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