本发明公开一种具有2D材料层的垂直腔面发射激光器，在基板上形成2D材料层；范德华外延层形成在2D材料层上，为III‑V族化合物或III族氮化物，且材质相异于基板；底部介电质DBR形成在基板的部分区域上或范德华外延层的部分表面上，以介电质...

本发明提供一种具有介电质边框的微型发光二极管及其制备方法，该微型发光二极管包括：一n型掺杂层磊晶于磊晶基板上；一介电质边框形成于磊晶基板或n型掺杂层上；一多重量子阱层成长于介电质边框中，且位于n型掺杂层上；一p型掺杂层成长于介电质边框中...

本实用新型提供一种具有介电质边框的微型发光二极管，该微型发光二极管包括：一n型掺杂层磊晶于磊晶基板上；一介电质边框形成于磊晶基板或n型掺杂层上；一多重量子阱层成长于介电质边框中，且位于n型掺杂层上；一p型掺杂层成长于介电质边框中，且位于...

本实用新型公开一种半导体制程适用的三族氮化物外延陶瓷基板及半导体组件，三族氮化物外延陶瓷基板包括支撑结构、散热层、二维材料层及磊晶三族氮化物层；支撑结构包括多晶陶瓷核心、阻障层以及包覆层；阻障层耦接多晶陶瓷核心的外围；包覆层耦接阻障层的...

本实用新型公开一种RGB InGaN基micro LED，在外延芯片上形成外延区隔离层，在同一外延区隔离层形成两或三种颜色光组件的区块槽，分别至少有一或两种颜色光组件的区块槽底部形成用于调变外延晶格常数的中介层，区块槽中则形成对应颜色光...

本发明公开一种RGB InGaN基micro LED的制作方法，步骤如下：对外延芯片材料进行前处理，在外延芯片上沉积隔离层，在同一片外延芯片上将两种或三种颜色光组件对应的LED外延区隔离层去除，制成区块槽，分别至少有一种及两种组件对应的...

本实用新型公开了具有2D材料中介层的氮化镓外延基板，包含一多晶AlN基板；多晶AlN基板上有SiO2接合层；SiO2接合层上有c面蓝宝石贴合层；c面蓝宝石贴合层上成长多晶向2D材料中介层，多晶向2D材料中介层至少有一顶层，顶层晶格常数与...

本实用新型公开了具有2D材料中间层的硅上氮化镓GaN

本实用新型公开了具有2D材料中介层的外延基板，在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中...

本发明公开了具有2D材料中介层的外延基板，在多晶基板表面，借助范德华外延生长2D材料超薄中介层，2D材料超薄中介层的表层晶格常数及基底热膨胀系数与AlGaN或GaN高度匹配，2D材料超薄中介层为单层结构或者复合层结构，2D材料超薄中介层...

本实用新型公开了采用2D材料磊晶去疵单晶基板，在低成本GaN单晶基板或其他低成本的GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层，2D...

本实用新型公开一种RGB全彩InGaN基LED，在基板材料表面覆盖晶格匹配的2D材料超薄层作为中介层，InGaN系材料外延层成长于2D材料超薄层上，此2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成。本实用新型采用2D材料覆盖基板材...

本发明公开一种RGB全彩InGaN基LED，在基板材料表面覆盖晶格匹配的2D材料超薄层作为中介层，InGaN系材料外延层成长于2D材料超薄层上，此2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成。还公开了制备方法。本发明采用2D材料...

本发明公开了采用2D材料磊晶去疵单晶基板，在低成本GaN单晶基板或其他低成本的GaN准同质材料单晶基板上采用阻隔效果的2D材料范德华外延生长2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上范德华外延生长高质量GaN或GaN基外延层，2D材料...

本发明公开一胶囊化基板，包括：一氧化锌基板，具有作用面，是一个纤锌矿晶格结构的氧化锌材料；一复合阻障层，包括：一层第一薄膜层，是一相异于氧化锌的第一材料；一层包覆上述第一薄膜层表面的第二薄膜层，是一相异于氧化锌及上述第一材料的第二材料；...