RGB全彩InGaN基LED制造技术

本实用新型专利技术公开一种RGB全彩InGaN基LED，在基板材料表面覆盖晶格匹配的2D材料超薄层作为中介层，InGaN系材料外延层成长于2D材料超薄层上，此2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成。本实用新型专利技术采用2D材料覆盖基板材料表面作为In

RGB full color InGaN based LED

【技术实现步骤摘要】
RGB全彩InGaN基LED
本技术涉及LED的
，特别涉及应用2D材料超薄中层导入制备的RGB全彩InGaN基LED。
技术介绍
在Micro-LED的显示器(Displays)制造过程中，需采用红绿蓝(RGB)三原色发光二极管来构成单元的像素(pixels)，目前主要的制造技术需混和采用氮化物(Nitrides)系和磷化物(Phosphides)系的发光二极管，才能满足三原色的需求。不同材料系统发光二极管混用时，不同的发热及衰减特性直接影响了影像呈现的质量；不同的电气驱动特性，则直接导致了显示模块驱动设计上的复杂度。因此，如果在同一材料系统上，实现直接发光RGB(红绿蓝)三原色发光二极管，除了有利于上述问题解决外，也同时因为省去荧光物等色光转换机制将降低工序复杂度以及转换所致能效损失，将对MicroLED技术的发展有利。氮化铟镓InxGa1-xN系磊晶材料是目前制作主流蓝光发光二极管的材料系统之一，理论上可藉由铟镓固溶比例调控覆盖整个可见光发光范围，氮化铟镓受益于具有直接能隙(energygap)特性也预期将有较佳的发光效能，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：在基板材料表面覆盖晶格匹配的2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上成长形成InGaN系材料外延层，此2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成。/n

【技术特征摘要】
1.RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：在基板材料表面覆盖晶格匹配的2D材料超薄层作为中介层，在2D材料超薄层上成长形成InGaN系材料外延层，此2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成。


2.如权利要求1所述的RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：所述2D材料是六方氮化硼hBN、石墨烯、hBNC、WS2、WSe2、MoS2或MoSe2。


3.如权利要求1所述的RGB全彩InGaN基LED，其特征在于：所述2D材料超薄层的厚度范围在0.5nm到1000nm。


4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓靁，刘家桓，宋高梅，
申请(专利权)人：王晓靁，
类型：新型
国别省市：中国台湾;TW