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本实用新型公开一种RGB全彩InGaN基LED，在基板材料表面覆盖晶格匹配的2D材料超薄层作为中介层，InGaN系材料外延层成长于2D材料超薄层上，此2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成。本实用新型采用2D材料覆盖基板材料表...
该专利属于王晓靁所有，仅供学习研究参考，未经过王晓靁授权不得商用。

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