本发明公开了一种抑制关断噪声的混合载流子器件，包括工作区、NMOS区域(303)、PMOS区域(304)、晶闸管区域(302)和电容器区域，所述NMOS区域(303)包围所述PMOS区域(304)，所述PMOS区域(304)包围所述晶闸...

本发明提供了一种横向绝缘栅双极型晶体管及制作方法，包括：晶体管主体单元、隔离保护单元、第一电极、第二电极和第三电极；所述晶体管主体单元与隔离保护单元接触；所述晶体管主体单元和隔离保护单元上分布设置有第一电极、第二电极和第三电极；本发明解...

本发明公开一种可同时控制第一和第二导电类型载流子的器件，包括基板，具有第一表面；主要工作单元，设置在第一表面上，且主要工作单元沿着第一方向嵌入设置在基板内，第一方向垂直于第一表面；第一类型沟道MOS结构，第一类型沟道MOS结构的数量为四...