本发明公开一种通过低温离子注入工艺选择性调控图案尺寸的方法，属于集成电路制造技术领域，包括：获得中间体材料；对中间体材料进行低温离子注入，以在中间膜层非镂空部分的竖向侧壁上生成改性层；通过原子层沉积进行选择性成长，形成覆盖中间体材料表面...

本发明公开一种图案轮廓通过低温离子注入工艺的优化方法，其属于集成电路制造技术领域，其包括：获得待优化的材料；对待优化的材料进行低温离子注入，以在薄膜层非镂空部分的竖向侧壁上生成非晶层；通过湿法刻蚀将非晶层以及掩膜层清洗去除，获得薄膜层上...

本发明公开一种光刻垂直轮廓图形优化方法，属于集成电路制造技术领域，包括如下步骤：步骤S1，基板包括从下至上依次设置的衬底、薄膜、硬掩膜和光刻胶，使用光刻工艺在光刻胶上进行曝光获得图形结构；步骤S2，通过刻蚀工艺将图形结构转移至薄膜上；步...

本发明公开一种六方氮化硼绝缘体上碳化硅衬底结构的制备方法，属于半导体设计及制造技术领域，包括：第一晶圆为单晶碳化硅，第二晶圆为多晶碳化硅；对第一晶圆表面进行热氧化处理，对第二晶圆表面进行六方氮化硼薄膜沉积；对第一晶圆进行氢离子注入以形成...

本发明公开一种六方氮化硼绝缘体上硅衬底结构的制备方法，属于半导体设计制造技术领域，包括：第一晶圆和第二晶圆均为晶圆硅衬底裸片，对第一晶圆表面进行热氧化处理，对第二晶圆表面进行六方氮化硼薄膜沉积；对第一晶圆进行氢离子注入以在表面热氧化层下...

本发明公开一种P型硼掺杂N型硅衬底通过低温离子注入工艺的制备方法，包括：准备衬底，衬底为N型硅晶圆衬底裸片；通过多道低温离子注入工艺将不同能量的硼离子注入衬底内，形成硼注入层；其中，硼注入层中各深度位置的掺杂浓度相同；在经过清洗步骤之后...

本发明公开一种FD‑SOI衬底结构通过氢、碳离子注入工艺的制备方法，属于半导体设计及制造技术领域，包括依次进行的如下步骤：准备第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆表面进行热氧化处理；对第一晶圆进行氢离子注入及碳离子注入工艺；通过键合工艺将第一...

本发明公开一种FD‑SOI衬底结构通过多道离子注入工艺的制备方法，属于半导体设计制造技术领域，包括如下步骤：准备第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆表面进行热氧化处理；对第一晶圆进行氢离子注入、硼离子注入及碳离子注入工艺，使第一晶圆在绝缘氧化...

本发明公开一种FD‑SOI衬底结构通过氢、碳、锗离子注入工艺的制备方法，属于半导体设计及制造技术领域，包括：准备第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆表面进行热氧化处理；对第一晶圆先进行氢离子注入，再进行碳离子注入及锗离子注入，使第一晶圆在绝缘...

本发明公开一种应变SGOI衬底结构通过离子注入工艺的制备方法，属于半导体技术领域，包括：准备第一晶圆和第二晶圆，均为晶圆衬底裸片；在第一晶圆表面生成一层锗硅层；对第二晶圆表面进行热氧化处理；对第一晶圆表面通过离子注入工艺进行表面改质处理...

本发明公开一种刻蚀沟槽及通孔线边缘粗糙度优化方法，属于集成电路制造技术领域，包括：在具有硬掩模层的衬底上通过光刻工艺曝光得到光刻胶图形；通过离子束刻蚀工艺对光刻胶图形进行刻蚀，降低光刻胶图形沟槽或通孔结构侧壁的表面粗糙度；通过沉积工艺在...

本发明公开一种应变SGOI衬底结构的制备方法，属于半导体技术领域，包括：准备第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆表面生成一层锗硅层；对第二晶圆表面进行热氧化处理，使第二晶圆表面形成氧化层；对第一晶圆进行氢离子注入工艺，使第一晶圆在锗硅层内形成...

本发明公开一种FD‑SOI衬底结构通过氢、锗离子注入工艺的制备方法，属于半导体设计及制造技术领域，包括依次进行的如下步骤：准备第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆均为晶圆衬底裸片；对第一晶圆表面进行热氧化处理，形成绝缘氧化层；对第一晶...

本发明公开一种FD‑SOI衬底结构通过氢、硼、氮离子注入工艺的制备方法，属于半导体设计及制造技术领域，包括：准备第一晶圆和第二晶圆；对第一晶圆表面进行热氧化处理；对第一晶圆进行氢离子注入及硼、氮离子注入工艺，使第一晶圆在绝缘氧化层下方形...

本发明公开一种绝缘体上锗衬底结构通过离子注入工艺的制备方法，属于半导体设计及制造领域，包括：第一晶圆为锗晶圆衬底裸片，第二晶圆为硅晶圆衬底裸片；对第一晶圆表面通过离子注入工艺进行表面改质处理；对第一晶圆进行氢离子注入及氮离子注入工艺；对...

本发明公开一种GeOI衬底结构通过离子注入工艺的制备方法，属于半导体设计及制造领域，包括：准备第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆表面生成一层锗硅层；对第一晶圆进行氢离子注入工艺，使锗硅层内形成弱化层；通过键合工艺将第一晶圆的锗硅层的表面与第...

本发明公开一种FD‑GeOI衬底结构通过离子注入工艺的制备方法，属于半导体设计及制造技术领域，包括：准备第一晶圆和第二晶圆，均为硅晶圆衬底裸片；对第一晶圆表面进行锗外延薄膜沉积；对第一晶圆的锗外延薄膜表面通过离子注入工艺进行表面改质处理...

本发明公开一种绝缘体上锗衬底结构的制备方法，属于半导体设计及制造领域，包括：准备第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆为锗晶圆衬底裸片，第二晶圆为硅晶圆衬底裸片；对第一晶圆表面通过离子注入工艺进行表面改质处理；对第一晶圆进行氢离子注入及碳离子注入...