本发明提供了一种量子点复合材料以及量子点发光二极管，该量子点复合材料包括量子点和抗氧化剂，且以所述量子点复合材料的总重量为100％计，所述抗氧化剂的重量百分含量为2～5％。本发明提供的量子点复合材料，可以使得利用该量子点复合材料形成的膜...

一种电子元件修理装置和方法，通过驱动激光发射器、吸取器、焊接材料填充装置以及元件拾放装置按预设的流程执行对应的操作，以完成电子元件的修理，替代传统的人工手动的修理方式，可以以较低的成本实现较高的修理效率，和较高的空间利用率。较高的空间利...

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种组合物及其制备方法和发光二极管。本发明提供的组合物包括：量子点10％-30％、阴离子表面活性剂1％-3％、非离子表面活性剂1％-3％、增溶剂0％-3％、添加剂0％-5％和溶剂56％-87％；增溶剂选为...

本发明属于生物检测技术领域，具体涉及一种传感器及其制备方法和四环素检测方法。该传感器，包括：电极基板；纳米二氧化钛薄膜，所述纳米二氧化钛薄膜结合在所述电极基板表面；纳米金或纳米银薄膜，所述纳米金或纳米银薄膜结合在所述纳米二氧化钛薄膜背离...

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明提供的发光二极管包括：阳极，阴极，设置在阳极和阴极之间的发光层，设置在阴极和发光层之间的过渡层，过渡层的材料包括：贵金属纳米颗粒和金属有机框架材料，金属有机框架材料具有孔...

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种光源板及其制备方法和显示器。本发明提供的制备方法包括：提供一基板，基板上间隔预置有多个目标位置，每一目标位置用于固定一LED芯片，目标位置包括两个电极；在多个目标位置上沉积绝缘垫，且每一绝缘垫设置在对...

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种半导体纳米材料的制备方法。本发明提供的制备方法，包括：将ⅡB族前驱体、

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种组合物及其制备方法和发光二极管。本发明提供的组合物包括：金属化合物纳米颗粒10％-40％、阳离子表面活性剂1％-5％、阴离子表面活性剂1％-5％、添加剂0％-5％和溶剂45％-88％；溶剂选为极性有机...

本发明提供了一种LED芯片装贴方法，包括：提供抓取装置，所述抓取装置包括若干抓取头，所述抓取头的表面沉积有助焊胶；移动所述抓取头使所述抓取头的助焊胶接触所述芯片；固化所述助焊胶使得芯片与抓取头粘结；其中，所述芯片上设置有焊料；移动所述抓...

本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点油墨，以所述量子点油墨的总质量为100％计，包括10％～30％的量子点，56％～87％的溶剂，1％～3％的阳离子表面活性剂，1％～3％的非离子表面活性剂，0％～3％的增溶剂，0％～5％的添加剂...

油墨和发光二极管。本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种油墨，以所述油墨的总质量为100％计，包括10％～40％的金属氧化物，45％～88％的溶剂，1％～5％的阴离子表面活性剂，1％～5％的非离子表面活性剂，0％～5％的添加剂。本发明油...

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米材料及其制备方法、薄膜和发光器件。本发明提供的纳米材料包括：沸石咪唑酯骨架结构材料和碳量子点，沸石咪唑酯骨架结构材料的表面含有第一基团，碳量子点的表面含有第二基团，第一基团和第二基团能够发生反应形...

本发明适用于芯片生产制作领域，提供了一种芯片焊接方法、背板和热压合设备。芯片焊接方法包括以下步骤：预备一容置腔，包括上腔和下腔，一背板设置在所述上腔和所述下腔之间，所述背板的焊接面设置有板焊盘和通风孔，所述焊接面位于所述上腔一侧，所述通...

本发明提供了一种LED芯片装贴的方法，包括：提供一UV膜，所述UV膜上设置有LED芯片，所述LED芯片的第一电极与所述UV膜接触；在所述UV膜上沉积双组份硅胶后进行固化处理，所述双组份硅胶覆盖所述LED芯片；去除所述UV膜，得到LED芯...

本发明提供了一种碳量子点复合材料，其特征在于，包括：碳量子点；面粉颗粒，所述面粉颗粒与所述碳量子点连接。本发明提供的碳量子点复合材料，可以提高碳量子点的荧光性能，特别是提高碳量子点在发光器件中的荧光性能。是提高碳量子点在发光器件中的荧光...

本发明属于量子显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管包括：相对设置的底电极以及顶电极；位于所述底电极和顶电极之间的量子点发光层；其中，所述量子点发光层内、和/或在所述底电极与所述量子点发光层之间、和/...

本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法、光伏器件和发光二极管。该复合材料包括二氧化钛纳米颗粒和石墨烯纳米片，所述二氧化钛纳米颗粒结合在所述石墨烯纳米片的表面，该复合材料中的二氧化钛和石墨烯以悬挂键自由结合成键，这样...

本发明公开一种量子点及其制备方法与量子点发光二极管，其中所述量子点具有核壳结构，所述量子点的核表面具有第一阴离子元素，所述量子点的核表面还掺杂有第二阴离子元素，所述第一阴离子元素与第二阴离子元素不同。本发明可通过在量子点的核表面掺杂第二...

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成金属电极层；对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成阴极，得到量子点发光二极管。本...

本发明公开一种复合材料、量子点发光二极管及其制备方法，所述复合材料的制备方法包括步骤：提供ZnO纳米颗粒、Au源；所述Au源选自块体Au和Au粒子中的至少一种；将ZnO纳米颗粒、Au源、S源与第一有机溶剂混合，进行水热反应，制得所述复合...