一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成金属电极层；对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成阴极，得到量子点发光二极管。本发明专利技术中，通过在现有量子点发光二极管基础上，增设一层金属电极，通过烘烤处理，所述金属电极层被氧化，可以形成金属氧化物层，所述金属氧化物层可以起到阻止水氧侵蚀的作用，从而提高器件的寿命。另外，所述金属氧化物层可以作为阴极与电子传输层之间的过渡层，电子可隧穿注入到电子传输层，有利于阴极中的电子注入到电子传输层，从而提高电子注入效率，进而提高器件的发光效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点发光二极管
，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点具有发光效率高，光、热及化学稳定性好，简单的溶液加工和成膜的特点，使其在电致发光器件方面具有广泛的应用前景。目前，量子点发光二极管(QLED)红、绿、蓝的外量子效率(EQE)达15％以上，但与溶液制备OLED器件的寿命相比仍有差距，尤其是蓝光QLED寿命较低，且在蓝光器件中存在电子传输层导带能级低于量子点层的导带能级，一方面电子传输层和量子点层存在电子注入势垒，另一方面量子点导带能级的电子会向ZnO导带能级跃迁，产生电荷分离，导致蓝光器件中存在电子注入不有效的问题，需要选择合适的电极材料，优化器件制备方法，增加器件老化机制及抗水氧侵蚀能力，增加电荷注入及载流子注入平衡，来改善器件效率及寿命，以满足商业化需求。
[0003]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在一定程度解决现有量子点发光二极管寿命不够理想的问题。
[0005]本专利技术的技术方案如下：
[0006]一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
[0007]提供阳极；
[0008]在所述阳极上形成量子点发光层；
[0009]在所述量子点发光层上形成金属电极层；
[0010]对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；
[0011]在所述金属氧化物层上形成阴极，得到量子点发光二极管；
[0012]或者，
[0013]提供阴极；
[0014]在所述阴极上形成金属电极层；
[0015]对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；
[0016]在所述金属氧化物层上形成量子点发光层；
[0017]在所述量子点发光层上形成阳极，得到量子点发光二极管。
[0018]一种量子点发光二极管，其中，包括阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的量子点发光层，所述阴极靠近所述量子点发光层的一侧设置有金属氧化物层，所述金属氧化层位于所述量子点发光层及所述阴极之间。
[0019]有益效果：本专利技术中，通过在现有量子点发光二极管基础上，增设一层金属电极层，通过氧化处理，所述金属电极层被氧化，可以形成金属氧化物层，所述金属氧化物层可
以起到阻止水氧侵蚀的作用，从而提高器件的寿命。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种正置结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
[0021]图2为本专利技术实施例提供的一种正置结构的量子点发光二极管的结构示意图。
[0022]图3为本专利技术实施例提供的一种倒置结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0023]本专利技术提供一种量子点发光二极管及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0024]本实施例中，量子点发光二极管可以为正置结构，也可以为倒置结构。图1为本专利技术实施例提供的一种正置结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图，如图1所示，包括步骤：
[0025]S10、提供阳极；
[0026]S11、在所述阳极上形成量子点发光层；
[0027]S12、在所述量子点发光层上形成金属电极层；
[0028]S13、对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；
[0029]S14、在所述金属氧化物层上形成阴极，得到量子点发光二极管。
[0030]本实施例中，通过在现有量子点发光二极管基础上，增设一层金属电极，通过烘烤处理，所述金属电极层被氧化，可以形成金属氧化物层，所述金属氧化物层可以起到阻止水氧侵蚀的作用，从而提高器件的寿命。
[0031]在一种实施方式中，所述在所述量子点发光层上形成金属电极层的步骤，包括：在所述量子点发光层上形成电子传输层，在所述电子传输层上形成所述金属电极层。
[0032]本实施例中，所述金属电极层经氧化处理，金属电极层被氧化，可以形成金属氧化物层，所述金属氧化物层可以作为阴极与电子传输层之间的过渡层，电子可隧穿注入到电子传输层，有利于阴极中的电子注入到电子传输层，从而提高电子注入效率，进而提高器件的发光效率。
[0033]本实施例中，所述量子点发光二极管还有多种形式，下面以图2所示器件结构为例，对正置结构的量子点发光二极管的制备方法进行详细介绍。图2所示的正置结构的量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
[0034]在阳极10上形成空穴注入层11；
[0035]在空穴注入层11上形成空穴传输层12；
[0036]在空穴传输层12上形成量子点发光层13；
[0037]在所述量子点发光层13上形成电子传输层14；
[0038]在所述电子传输层14上形成金属电极层；
[0039]对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层15；
[0040]在所述金属氧化物层15上形成阴极16，得到正置结构的量子点发光二极管。
[0041]在一种实施方式中，所述对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层的步骤，包括：在水的含量小于100ppm、氧的含量小于100ppm条件下，在含氧气的气氛中对所述金属电极层进行烘烤处理，形成金属氧化物层。进一步地，所述烘烤处理的温度为60～150℃；所述烘烤处理的时间为5min-100h。其中所述含氧气的气氛指的是气氛中至少含有氧气。本实施例中，器件随着时间的延长，在水氧含量＜100ppm的条件下，通过烘烤处理，所述金属电极层被氧化，可以形成金属氧化物层，从而起到阻止水氧侵蚀的作用。
[0042]进一步地在一种实施方式中，所述对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层的步骤，包括：
[0043]在所述金属电极层上添加有机酸或水；
[0044]在水的含量小于100ppm、氧的含量小于100ppm下，在含氧气的气氛中对所述金属电极层进行烘烤处理，形成金属氧化物层。进一步地，所述烘烤处理的温度为60～150℃；所述烘烤处理的时间为5min-100h。进一步地，所述有机酸为醋酸等，但不限于此。其中所述含氧气的气氛指的是气氛中至少含有氧气。本实施例中，通过在金属电极层表面旋涂或印刷有机酸或水后，进行烘烤处理(老化处理)，可以加快氧化速率，从而快速形成所述金属氧化物层。
[0045]在一种实施方式中，所述金属电极的材料包括但不限于Al、Ag、Mg-Ag合金、Ca-Ag合金等中的至少一种。进一步地，所述金属电极的材料为Al电极。
[0046]在一种实施方式中，所述阴极的材料包括但不限于Al、Ag、Mg-Ag合金、Ca-Ag合金等中的至少一种。进一步地，所述阴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供阳极；在所述阳极上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成金属电极层；对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成阴极，得到量子点发光二极管；或者，提供阴极；在所述阴极上形成金属电极层；对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层；在所述金属氧化物层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成阳极，得到量子点发光二极管。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层的步骤，包括：在水的含量小于100ppm、氧的含量小于100ppm条件下，在含氧气的气氛中对所述金属电极层进行烘烤处理，形成金属氧化物层。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述对所述金属电极层进行氧化处理，形成金属氧化物层的步骤，包括：在所述金属电极层上添加有机酸或水；在水的含量小于100ppm、氧的含量小于100ppm下，在含氧气的气氛中对所述金属电极层进行烘烤处理，形成金属氧化物层。4.根据权利要求2或3所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述烘烤处理的温度为60～150℃；和/或所述烘烤处理的时间为5min-100h。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属电极的材料包括Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐威，范嘉城，马兴远，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：