本申请公开了一种液晶显示装置，包括：相对设置的阵列基板和彩膜基板以及夹设于两者之间的液晶层和间隔柱，所述液晶显示装置包括显示区域以及非显示区域，所述非显示区域内还设置有绑定区域，位于所述绑定区域的部分所述阵列基板上形成有绑定电极，所述阵...

本申请公开了阵列基板的制备方法、显示面板及显示器，该制备方法包括：接收玻璃，制程室内的承载棒将玻璃撑起；下电极以第一速度向玻璃靠近并加热玻璃；下电极继续以第二速度向玻璃靠近并加热玻璃；下电极继续以第三速度向玻璃靠近并加热玻璃，其中，第三...

本申请公开了一种框胶涂布设备及其除胶方法，所述框胶涂布设备包括：承载台，用于放置基板；除胶装置，设置于所述承载台的一侧边或多侧边；涂布装置，设置于所述承载台上方，所述涂布装置朝向所述承载台以及所述除胶装置的一侧设置有移动式的涂布头；相比...

本发明提供一种电平位移器电路、电平位移器电路的控制方法及显示面板。电平位移器电路包括相互电连接的开关控制器、计时器、分频器以及D触发器。所述开关控制器的所述使能信号输出端可在130ms空白画面时间结束后置0，关闭所述计时器及所述分频器。...

本揭示提供一种真空干燥装置及显示基板干燥方法。所述真空干燥装置包括至少两个冷凝板、真空干燥腔室以及相邻的存储腔室。所述存储腔室用于存储所述至少两个冷凝板。所述真空干燥腔室内设置有支撑机构，用于支撑固定所述冷凝板。所述支撑机构能够上下动作...

本申请实施例提供一种显示面板及显示面板制程方法，该显示面板包括有机发光半导体器件层、第一阻隔层、紫外保护层以及第二阻隔层，所述有机发光半导体器件层包括相对设置的第一面和第二面；所述第一阻隔层设置在所述第一面上；所述紫外保护层设置在所述第...

本申请实施例提供一种发光器件结构、发光器件结构制程方法及显示面板，该发光器件结构包括发光层，所述发光层包括至少两个发光单元，所述发光单元与发光单元层叠设置，所述发光单元包括掺杂发光层和间隔层，所述间隔层设置在所述掺杂发光层上，所述掺杂发...

本发明公开了一种发光电化学池，包括层叠设置的第一电极、发光层和第二电极，所述发光层包括发光材料和离子导电聚合物；一种电致发光显示装置，包括：玻璃基板、薄膜晶体管、发光电化学池、保护层和偏光片。本发明公开的发光电化学池及电致发光显示装置，...

本申请公开了一种阵列基板，设置有第一非显示区和第二非显示区；第一非显示区上由内至外依次形成有第1个至第N个第一测试焊盘，以及与第1个至第N个第一测试焊盘对应连接的第1条至第N条第一时钟信号线；且第二非显示区上设置有与第一非显示区对称分布...

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，所述制作方法采用四道光罩工艺，以形成于半导体层上的刻蚀阻挡层为掩膜进行对准刻蚀以形成非晶硅岛的图案，去除裸露在源极和漏极外的尾纤，以使所述非晶硅岛的边缘与所述源极的边缘、所述漏极的边缘以及所述刻...

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，对于所述制作方法，首先形成源极和漏极，再以源极和漏极边缘作为掩膜对半导体层进行图案化处理以形成非晶硅岛，可使得非晶硅岛的边缘与源极的边缘及漏极的边缘切齐，完全去除了裸露在金属层外的半导体层，可有...

本申请公开了一种阵列基板及制备方法、显示面板，所述阵列基板包括：衬底，具有第一区域、第二区域以及第三区域；第一金属层，包括设置于衬底的第一区域的第一金属构件和设置于衬底的第三区域的第二金属构件；第一绝缘层，覆盖第一金属层及衬底，且第一绝...

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。所述阵列基板还包括第一过孔和第二过孔。导电层填充所述第一过孔和所述第二过孔将第一金属层与第二金属层电连接；所述第一过孔位于所述第二过孔的一侧，且钝化层部分延伸至所述第一过孔与所述第二...

薄膜晶体管的图案制作方法、薄膜晶体管以及光罩。本申请公开一种TFT的图案制作方法以及光罩，用于使光通过位于TFT上方的光罩上设置的与TFT位置对应的孔，在TFT上产生两种及以上光阻叠加，抵消半导体AS层上的反射光，保证TFT正常工作。本...

本揭示提供一种阵列基板的制备方法。所述阵列基板的制备方法中，在对所述第二金属层上的所述光阻图案进行灰化的步骤中，采用单一的氧气作为干法蚀刻气体并增加蚀刻能量，对所述光阻图案进行灰化，以减薄所述光阻图案，且所述光阻图案下边缘未被灰化。在以...

本申请提出了一种蚀刻装置，包括：蚀刻腔室以及抽气系统。蚀刻腔室包括上部电极、下部电极以及环绕下部电极设置的导风构件。抽气系统包括至少一抽气口，所述抽气口位于所述导风板远离所述蚀刻腔室的一侧。导风构件包括至少一导风板，导风板包括多个导风孔...

本发明提供了一种测量金属完全蚀刻时间的方法及系统、存储介质，所述测量金属完全蚀刻时间的方法包括数据库建立步骤、采集步骤、第一计算步骤以及第二计算步骤，采用不同的蚀刻时间进行湿蚀刻，并记录相应的蚀刻厚度，计算多次蚀刻的蚀刻速度，并取平均值...

本申请公开了一种金属电极的制备方法，包括以下步骤：提供基板；采用喷墨打印技术在所述基板上形成预设图案的金属有机层；其中，所述金属有机层的材料包括金属有机物；采用等离子体技术对所述金属有机层进行处理，以使所述金属有机层中的金属有机物转化为...

本发明提供一种CMOS反相器的制备方法，该方法包括：在基底上印刷氧化物墨水，对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火处理，使所述氧化物墨水发生反应，以得到第一有源层；所述氧化物墨水为硝酸铟和硝酸锌的混合溶液；在所述基底上制作第一源极和第一漏...

本发明专利提供一种驱动电路及其应用的显示面板，所述驱动电路，应用于显示面板，包括：时序控制器、与所述时序控制器连接的电平移位器、选择电路，其中,所述时序控制器包括N个输出引脚，每一所述输出引脚输出时钟信号，N为正整数；所述电平移位器包括...