本申请涉及一种复合衬底的制备方法及复合衬底，方法包括：提供待处理的晶圆键合结构，晶圆键合结构包括支撑衬底、器件衬底、位于支撑衬底和器件衬底之间的绝缘层，支撑衬底的第一表面侧具有空腔结构，第一表面朝向器件衬底的第二表面设置；从器件衬底的第...

本申请实施例涉及一种键合力的检测方法，方法包括：提供待测键合晶圆，待测键合晶圆包括依次层叠的第一晶圆、键合层和第二晶圆；执行湿法刻蚀工艺，以从键合层的边缘向内部刻蚀键合层；检测键合层在键合层边缘法向上的刻蚀宽度；基于刻蚀宽度和刻蚀损失模...

本申请涉及一种晶圆处理方法及晶圆，晶圆处理方法包括：提供晶圆，晶圆包括衬底和位于衬底上的氧化层；氧化层的远离衬底的表面为凹面；在晶圆旋转的条件下，向凹面的边缘区域喷洒腐蚀液，向凹面的中间区域喷洒清洗剂，对氧化层进行腐蚀处理，使得氧化层的...

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种硅上单晶薄膜产品的制备方法及薄膜产品。所述方法包括如下步骤，高温氧化：将支撑晶圆送入高温立式炉中进行高温氧化；熔融键合：将器件晶圆与支撑晶圆熔融键合形成第一键合晶圆；预处理：将第一键合晶圆预处理得到...

本申请实施例涉及一种带空腔结构的半导体衬底的制备方法及带空腔结构的半导体衬底，其中方法包括：提供支撑衬底和器件衬底，支撑衬底内形成有空腔结构；对器件衬底执行离子注入工艺，注入的离子为III‑V族元素；执行键合工艺，以形成包括支撑衬底和器...

本申请涉及一种复合衬底的制备方法及复合衬底，方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆的基底为半导体材料，第二晶圆上形成有埋氧层；键合第一晶圆和第二晶圆，形成键合晶圆；在退火气氛下，对工艺腔室内的键合晶圆进行退火处理；退火处理...