本发明公开了一种氮化物半导体激光器，从下至上依次包括GaN衬底，n-GaN层，n-AlGaN/GaN超晶格限制层，下InxGa1-xN渐变波导层，InGaN/GaN多量子阱有源区，上InyGa1-yN渐变波导层，p-AlGaN电子阻挡层...

本发明公开了一种半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法，镀膜陪条用于激光器巴条镀膜时将两激光器巴条间隔开，所述镀膜陪条为凸形横截面的长条，且镀膜陪条的宽度短于激光器巴条的宽度。本发明在激光器巴条腔面镀膜时与激光器巴条间隔设置，可防止相邻的...

本发明公开了一种新型氮化镓基激光器外延结构的制备方法，包括如下步骤：(a)在衬底上外延生长一层GaN缓冲层；(b)缓冲层上外延n型光限制层；(c)生长下波导层；(d)外延生长InaGa1-aN/GaN多量子阱作为有源区；生长最后一个In...

本发明公开了一种氮化镓基激光器管芯的制备方法，包括如下步骤：1）在衬底上外延生长N型GaN电极接触层、N型光限制层、N型波导层、发光有源区、P型波导层、P型光限制层和P型电极接触层；得到氮化镓基激光器外延结构；2）将氮化镓基激光器外延结...