本技术涉及的等离子体离子源，其包括外壳、阳极、阴极、气路和磁力件，阳极呈柱筒状，且柱形内腔形成放电腔，阴极包括灯丝、接线柱，气路包括气管、气流座，阳极自底部安装于气流座上，气流座的顶部构成放电腔的底，气流座的顶部形成将环流腔与放电腔连通...

本技术公开了离子源的磁场组件，其包括永磁铁，永磁铁位于放电区的下方，且永磁铁的内部形成与放电区连通的气体通道，气体通道顶部设有均流座，其中均流座与气体通道顶部之间形成均流腔，且均流腔上形成呈阵列分布的多个气流孔，磁场组件还包括位于均流座...

本技术的磁控溅射靶，其包括壳体、靶材、磁力件、极板、气体流道，靶材安装于壳体顶部的敞开口并架设在极板上，磁力件为电磁铁线圈，且通过安装座架设在壳体底部内侧，磁控溅射靶还包括用于将安装座与极板绝缘隔开的绝缘隔垫，气体流道包括流道本体、均流...

本技术的磁控溅射靶的气体流道，其包括内部形成直流管腔的流道本体，流道本体自下而上依次穿过磁控溅射靶的电磁铁线圈、极板、靶材内部，且上下端部分别露出磁控溅射靶的顶部和底部，气体流道还包括设置在流道本体顶部的均流座，其中均流座内部形成自中心...

本技术的磁控溅射靶的导磁结构，其包括靶材、磁力件、极板、气体流道，其靶材位于极板上，磁力件为电磁铁线圈，且通过绝缘部件安装于极板下方，气体流道自下而上依次从电磁铁线圈、极板、靶材内部穿过且所形成流道出口位于靶材的溅射表面上方，其中流道出...

本技术公开了非电极加热型等离子源，其包括具有进口和出口的放电室、电子发射部件、磁性部件以及供气部件，其中供气部件与进口相连通，放电室包括室壁、连接在室壁顶部并形成出口的上电极板、连接在室壁底部并形成进口的下电极板，且室壁与上电极板和/或...

本实用新型公开了等离子源，其包括具有进口和出口的放电室

本发明涉及自带散热和约束型磁控溅射靶，其包括壳体