本发明涉及半导体芯片加工技术领域，且公开了一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺。所述硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺，是在传统的大面积刻蚀技术的基础上，通过光刻技术将待刻蚀区域进行分割，形成分割图案，然后按照...

本技术公开了一种半导体镀膜设备，涉及对金属材料的镀覆技术领域。本技术包括处理箱，所述处理箱内壁滑动连接有支撑板，所述支撑板的顶面固定连接有支撑台，所述支撑台的表面设置有用于对半导体材料进行夹持的定位组件，所述处理箱的表面设置有用于控制支...

本技术公开了一种半导体芯片剥离装置，涉及芯片加工技术领域。本技术，包括机架和盛装有芯片的膜板，所述机架的内部设置有用于对膜板进行横向移动的传送机构，所述传送机构输送部的表面固定安装有用于对膜板进行定位的定位框，所述机架的内部设置有用于对...

本技术公开了一种半导体硅片倒角磨边机，涉及半导体硅片加工技术领域。本技术，包括机架和半导体硅片，所述机架的内部设置有用于对半导体硅片进行移动的横向移动机构，所述横向移动机构的移动部的底面固定安装有步进电机。本技术通过横向移动机构进而使得...

本发明公开了一种微流控芯片微电极工艺，涉及微流控芯片技术领域。本发明包括如下步骤：设计电极流道，在微流控芯片基片上加工电极流道与两个电极孔，并将微流控芯片基片与盖片键合，将微流控芯片和伍德合金棒分别预加热，然后通过灌注装置将加热后的伍德...

本发明涉及硅基芯片技术领域，且公开了一种硅硅键合埋层结构的单面步进光刻对准方法，使用步进光刻机在载体硅片的单面采用光刻工艺得到对准标记浅腔，再在对准标记浅腔内进行进一步对准标记，形成对准标记深腔，在对准标记深腔表面形成氧化硅保护膜，保护...

本发明涉及光学滤波器领域，公开了一种高精度光学滤波器的加工方法。包括以下步骤：对高阻硅片进行光刻、刻蚀，得到具有光栅结构的高阻硅片；将其与SOI硅片键合，得到键合硅片；将键合硅片中具有光栅结构的高阻硅片底部的硅支撑层去除，暴露出光栅结构...

本发明涉及半导体芯片加工技术领域，具体涉及一种空腔型mems芯片加工工艺。本发明中通过临时键合的方法在带有背腔的mems芯片的背面键合一个支撑硅晶片，制得空腔型mems芯片。空腔型mems芯片制备过程中，先对支撑硅晶片进行光刻，获得沟道...

本发明涉及半导体芯片加工技术领域，具体涉及一种硅基芯片背腔湿法释放工艺。本发明中通过在硅基芯片正面形成聚酰亚胺涂层保护硅基芯片正面的金属线路，用氮化硅保护膜保护硅基芯片背面待腐蚀区域以外的区域，用湿法腐蚀液对硅基芯片背面待腐蚀区域进行刻...