本发明涉及一种制造至少一个多晶硅膜（６８，７０）的方法，该多晶硅膜的两个面（６４，６６）之一呈现预定凹凸，在该方法中，多晶硅层（６０，６２）被沉积在支撑（５０）的两个面（５６，５８）的至少一个上。该方法包含步骤：压印该支撑（５０）的所述...

本发明涉及一种制作光电池的方法，其中至少一层半导体材料连续地沉积在碳带（１０）上以形成复合带（２０），所述层具有与接触碳带的其表面相对的自由表面（２２、２４）。根据本发明，在消除碳带（１０）之前，至少一种处理（２８）从所述自由表面（２２...

本发明涉及一种将被半导体材料制造的薄层（７２或７４）所覆盖的碳带（５４），以及涉及一种用于将所述类型的层淀积到由碳带构成的基底上的方法。基本上，当使所述带在熔化的半导体材料的熔体（１２）中垂直并向上通过时，半导体材料层（７２、７４）将覆...

本发明涉及一种装置（１００），用于在基本为平面的、细长移动衬底（４）上淀积基于多晶硅的层，所述衬底（４）具有两个纵向面（４３，４４）和两个纵向侧边（４１，４２），所述装置包括：含有熔融硅浴液（２）的坩埚（１），所述衬底（４）至少部分浸入...