制作光电池的方法技术

本发明专利技术涉及一种制作光电池的方法，其中至少一层半导体材料连续地沉积在碳带（１０）上以形成复合带（２０），所述层具有与接触碳带的其表面相对的自由表面（２２、２４）。根据本发明专利技术，在消除碳带（１０）之前，至少一种处理（２８）从所述自由表面（２２，２４）施加到所述半导体材料层，从而在所述层上实现所述电池的光电功能。本发明专利技术可以提高制作具有非常小的厚度的光电池的产率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术提供在半导体材料特别是硅的带或条上。
技术介绍
为了更大规模地制作光电池，且特别是对于太阳能面板，一种解决方案包括使用在两面上分别覆盖有多晶硅层的碳带组成的复合带。该碳带连续地，优选垂直地经过熔融硅浴液。离开浴液时，带的两面覆盖有相对薄的硅层。这产生了复合硅-碳-硅带。这种方法已知为“基板上带生长(ribbongrowth on substrate，RGS)”，并在多个专利中描述，例如FR2386359、FR2550965和FR2568490。该方法可以用于获得厚度小至50微米(μm)的硅层。然而，这些薄层脆，因此难以处理。这就是按照此方式制作的层通常厚度大于150μm的原因。复合带切割成小尺寸的复合片(例如12.5厘米(cm)×12.5cm)。这些片随后在含氧气的气体内加热至接近1000℃的温度，从而烧掉该碳带。成为“烧掉”的这个操作例如描述于专利FR2529189。从各个复合片开始，这产生具有与复合片相同尺寸的两个薄硅片，即，具有小的尺寸。之后，硅片经历导致实现光电池的各种处理，这些处理视待制作的电池的类型而不同。一般而言，在烧掉之后，还原前和后表面，通过在至少一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作光电池的方法，其中至少一层半导体材料连续地沉积在碳带（１０）上以形成复合带（２０），所述层具有与接触碳带的其表面相对的自由表面（２２、２４），该方法的特征在于包括，在消除所述碳带（１０）之前，至少一种处理（２８）从所述自由表面（２２、２４）施加到所述半导体材料层，从而在所述层上实现所述电池的光电功能。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2004-12-21 04531271.一种制作光电池的方法，其中至少一层半导体材料连续地沉积在碳带(10)上以形成复合带(20)，所述层具有与接触碳带的其表面相对的自由表面(22、24)，该方法的特征在于包括，在消除所述碳带(10)之前，至少一种处理(28)从所述自由表面(22、24)施加到所述半导体材料层，从而在所述层上实现所述电池的光电功能。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理包括通过在所述自由表面(22、24)上沉积前驱体材料而形成多个接触区域，该表面构成所述电池的后表面，所述前驱体材料包括保持所述半导体材料的n或p掺杂类型的掺杂剂元素。3.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述处理包括通过在所述自由表面(22、24)上沉积前驱体材料而形成多个结区域，该自由表面构成所述电池的后表面，所述前驱体材料包括改变所述半导体材料的掺杂类型的掺杂剂元素。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述处理包括形成多个区域，该多个区域将所述接触区域与所述结区域电学绝缘。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述绝缘区域是通过在所述自由表面(22、24)上沉积氧化材料而形成。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理包括通过在所述自由表面(22、24)上沉积前驱体材料而形成多个结区域，该自由表面构成所述电池的前表面，所述前驱体材料包括改变该半导体材料的掺杂类型的掺杂剂元素。7.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述处理包括在所述半导体材料层内基本上与所述自由表面(22、24)垂直地刺穿成孔，所述孔穿过所述半导体材料的层(16、18)。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过激光执行所述刺穿。9.根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于，所述处理包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：克里斯琴贝洛伊特，克劳德里米，
申请(专利权)人：索拉尔福斯公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]