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四川大学专利技术
四川大学共有28867项专利
多片大面积化学浴沉积装置制造方法及图纸
一种沉积半导体薄膜的化学浴沉积槽,其特征是一次能在多片大面积衬底上能沉积半导体薄膜。
半导体薄膜后处理系统及样品架技术方案
本发明所述的半导体薄膜的后处理设备,其特征在于能对大面积半导体薄膜或器件进行连续的一片又一片的后处理。
充气退火炉制造技术
一种用于材料与器件热处理的充气退火炉,其特征是用高温气体作传热介质输入炉中,可以对多个片式样品进行热处理或退火。
半导体薄膜表面刻蚀设备制造技术
一种半导体薄膜表面刻蚀设备,特点是由数个专用刻蚀清洗溶液池和干燥台构成。
用高温氧化方法制备SnO*过渡层技术
高温氧化方法制备SnO↓[2]过渡层,本项发明所属域为新型光电子材料。本发明主要是采用新的制作工艺,用高温氧化方法在透明低阻SnO↓[2]∶F薄膜表面,氧化出一层透明本征SnO↓[2]膜。本征SnO↓[2]膜作为透明前电极与CdS层的过...
一种低开启电压砷化镓基异质结双极晶体管制造技术
一种低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计,其特征在于,器件的结构包括: ---半绝缘砷化镓衬底; ---N↑[+]掺杂的砷化镓子收集区,该N↑[+]掺杂的砷化镓子收集区生长在半绝缘砷化镓衬底上; ---该子...
聚苯硫醚电子封装材料及其制备方法技术
一种聚苯硫醚电子封装材料,含有高纯度聚苯硫醚树脂、经偶联剂表面处理的无机填料、增韧剂和流平改性剂,各组分的含量为:高纯度聚苯硫醚树脂、经偶联剂表面处理的无机填料的质量之和以100%计,其中,高纯度聚苯硫醚树脂的质量百分数为20~40%,...
一种高居里点铌酸钾钠锂系无铅压电陶瓷及其制备方法技术
一种高居里点铌酸钾钠锂系无铅压电陶瓷及其制备工艺,涉及一种性能优良的无铅压电陶瓷组合物的配方及制备工艺。本发明的无铅压电陶瓷组合物,包含由通式(1-u)[(1-z)(Li↓[x]Na↓[y]K↓[1-x-y])NbO↓[3]+zMTiO...
钛酸铋钠银钡系无铅压电陶瓷制造技术
本发明涉及一类ABO↓[3]结构的钛酸铋钠银钡体系压电陶瓷,属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域。本发明提出的压电陶瓷组合物可以用通式[Bi↓[0.5](Na↓[1-x]Ag↓[x])↓[0.5]]↓[1-y]Ba↓[y]TiO↓[3]...
钛酸铋钠钾锂银系无铅压电陶瓷制造技术
钛酸铋钠钾锂银系无铅压电陶瓷,涉及一类新型的多元系无铅压电陶瓷组合物,属于钙钛矿结构环境协调性压电陶瓷领域。本发明提供的组合物可以用通式Bi↓[0.5](Na↓[1-x-y-z]K↓[x]Li↓[y]Ag↓[z])↓[0.5]TiO↓[...
一种高居里温度、高压电性能的钛钪铌酸铅铋锂系压电陶瓷制造技术
本发明公开了一种属于功能陶瓷制备技术领域的具有高T↓[c]、高压电性能的钛钪铌酸铅铋锂系压电陶瓷。提出由以用通式(1-x)BiScO↓[3]-xPb↓[(1-y)]Li↓[y]Ti↓[(1-y)]Nb↓[y]O↓[3]表示的压电陶瓷材料...
多组元铌酸盐基无铅压电陶瓷制造技术
本发明公开了一种多组元铌酸盐基无铅压电陶瓷,属于环境协调性压电陶瓷领域。本发明提供的无铅压电陶瓷以通式(1-x)(Li↓[1-y-z]Na↓[y]K↓[z])(Nb↓[1-u-v]Ta↓[u]Sb↓[v])O↓[3]+xAg(Sb↓[1...
一种可卷曲和折叠的柔性太阳电池装置制造方法及图纸
一种可卷曲和折叠的柔性太阳电池装置,其特点是将小面积独立封装的太阳电池(3)排列成阵列,用黏合剂粘结在可卷曲和折叠的柔性底板(2)上,太阳电池上覆盖高透光率的柔性薄膜(1),通过导线将太阳电池的正、负极引脚用串联或并联引出,构成柔性太阳...
一种AlSb太阳电池结构制造技术
一种AlSb太阳电池结构,本项发明所属域为新型能源。利用AlSb的1.6eV能隙宽度,可以充分的将太阳光能转换成电能。但AlSb的电子亲合势为3.6eV,难以找到合适的金属背电极来与之形成欧姆接触。本发明提出一种新的AlSb电池结构。在...
一种用于太阳能电池的碲化镉薄膜及其制备方法技术
一种用于太阳能电池的碲化镉薄膜及其制备方法,其特点是将平均粒径1μm~10cm的碲化镉颗粒3~20份,成膜剂0~2份,溶剂5~300份和助剂0~2份加入到球磨罐中,采用高能球磨机球磨2~72小时,得到粒径为30nm~30μm碲化镉分散液...
一种机械叠层AlSb/CIS薄膜太阳电池制造技术
一种机械叠层AlSb/CIS薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,它是由AlSb顶电池机械叠合在CIS底电池上而成的双结四端薄膜太阳电池。其中AlSb顶电池,指的是在Corning7459玻璃上先沉积n型掺铝氧化锌导电层,...
双层石墨导电膏作为CdTe电池的背电极过渡层结构制造技术
双层石墨导电膏作为CdTe电池的背电极过渡层结构,本项发明所属域为太阳电池。为了解决CdTe薄膜与背电极金属层有良好的欧姆接触,需要在CdTe与背电极金属材料之间加入一层过渡层薄膜。本发明主要是采用对石墨粉添加Te粉和添加Te粉、Cu粉...
超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池制造技术
超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池,属于新能源材料与器件领域。本发明采用柔性超薄石墨片作为衬底材料,在石墨片上溅射一层铜,进行热处理。铜扩散进入石墨形成掺铜石墨片。在掺铜石墨片上沉积一层碲,再沉积碲化镉并进行退火处理。在碲化镉的沉积及退火...
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池制造方法技术
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构,本项发明所属领域为新型能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本,扩大电池的应用范围,柔性碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触,即寻找一种材料,...
CdTe薄膜太阳电池的腐蚀方法技术
CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池,属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液,其中,NaAc作为缓冲剂,以保持溶液的pH值不变,使反应更稳定,通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层;清...
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