【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,特别涉及一种机械叠层的薄膜太阳电池。
技术介绍
单结结构的薄膜太阳电池,只能吸收和转换特定光谱范围的太阳光,光电转换效率不高。 如果用不同能隙宽度(Eg)的材料,按其大小从上而下叠合成双结或多结太阳电池,可以选 择性吸收和转换太阳光谱的不同区域的能量,就能大大提高薄膜太阳电池的转换效率。美国可再生能源实验室(NREL)的Coutts等人(见Proceedings of the 12th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Cheju Island, K0re4 2001: 277)计算了在AM1.5, 100 mW/cm2, 25。C条件下,双结叠层多晶薄膜太阳电池的效率可达28%,其中顶电池和底电池吸 收层的能隙分别要满足1.7 eV和l.leV。由于适宜的底电池吸收层能隙为l.leV,正好与 CuInSe2(CIS)的能隙接近,而且CIS作为吸收层的电池(简称CIS电池)的制备工艺也比较成 熟,因此,双结薄膜叠层电池中底电池常选用CIS电池,这种底电 ...
【技术保护点】
一种薄膜太阳电池,其结构为AlSb/CIS,其特征是:AlSb作为吸收层的顶电池直接叠合在CIS作为吸收层的底电池之上,形成双结四端的机械叠层薄膜太阳电池。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳电池,其结构为AlSb/CIS,其特征是AlSb作为吸收层的顶电池直接叠合在CIS作为吸收层的底电池之上,形成双结四端的机械叠层薄膜太阳电池。2. 根据权利要求1所述的AlSb作为吸收层的顶电池,其特征是在玻璃衬底和吸收层 AlSb间顺序添加ZnO:Al导电层、ZnO髙阻层和CdS缓冲层,并在吸收层AISb后增加碳纳 米管涂层作透明背接触层,最后制作Ni/Al栅线。3. 根据权利要求1所述的CIS作为吸收层的底电...
【专利技术属性】
技术研发人员:李卫,冯良桓,吕彬,蔡亚平,张静全,黎兵,武莉莉,雷智,孙震,谢晗科,
申请(专利权)人:四川大学,
类型:发明
国别省市:90[中国|成都]
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