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一种机械叠层AlSb/CIS薄膜太阳电池制造技术

技术编号:3174775 阅读:314 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种机械叠层AlSb/CIS薄膜太阳电池,属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,它是由AlSb顶电池机械叠合在CIS底电池上而成的双结四端薄膜太阳电池。其中AlSb顶电池,指的是在Corning7459玻璃上先沉积n型掺铝氧化锌导电层,然后沉积氧化锌高阻层,再沉积硫化镉缓冲层,随后沉积锑化铝吸收层以及碳纳米管涂层作为透明导电层,最后,沉积镍/铝栅线而制成的太阳电池;而CIS底电池,指的是在Soda  lime玻璃上沉积钼,然后沉积吸收层硒铟铜,再沉积缓冲层硫化镉,随后沉积高阻氧化锌和掺铝氧化锌,最后沉积与顶电池相同形状和大小的镍/铝栅线而制成的太阳电池。采用上述结构的叠层电池,可以选择性地吸收和转化太阳光谱的不同区域的能量,扩展光谱响应的范围,有效地提高薄膜太阳电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计,特别涉及一种机械叠层的薄膜太阳电池。
技术介绍
单结结构的薄膜太阳电池,只能吸收和转换特定光谱范围的太阳光,光电转换效率不高。 如果用不同能隙宽度(Eg)的材料,按其大小从上而下叠合成双结或多结太阳电池,可以选 择性吸收和转换太阳光谱的不同区域的能量,就能大大提高薄膜太阳电池的转换效率。美国可再生能源实验室(NREL)的Coutts等人(见Proceedings of the 12th Photovoltaic Science and Engineering Conference, Cheju Island, K0re4 2001: 277)计算了在AM1.5, 100 mW/cm2, 25。C条件下,双结叠层多晶薄膜太阳电池的效率可达28%,其中顶电池和底电池吸 收层的能隙分别要满足1.7 eV和l.leV。由于适宜的底电池吸收层能隙为l.leV,正好与 CuInSe2(CIS)的能隙接近,而且CIS作为吸收层的电池(简称CIS电池)的制备工艺也比较成 熟,因此,双结薄膜叠层电池中底电池常选用CIS电池,这种底电池的结构一般为玻璃 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜太阳电池,其结构为AlSb/CIS,其特征是:AlSb作为吸收层的顶电池直接叠合在CIS作为吸收层的底电池之上,形成双结四端的机械叠层薄膜太阳电池。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳电池,其结构为AlSb/CIS,其特征是AlSb作为吸收层的顶电池直接叠合在CIS作为吸收层的底电池之上,形成双结四端的机械叠层薄膜太阳电池。2. 根据权利要求1所述的AlSb作为吸收层的顶电池,其特征是在玻璃衬底和吸收层 AlSb间顺序添加ZnO:Al导电层、ZnO髙阻层和CdS缓冲层,并在吸收层AISb后增加碳纳 米管涂层作透明背接触层,最后制作Ni/Al栅线。3. 根据权利要求1所述的CIS作为吸收层的底电...

【专利技术属性】
技术研发人员:李卫冯良桓吕彬蔡亚平张静全黎兵武莉莉雷智孙震谢晗科
申请(专利权)人:四川大学
类型:发明
国别省市:90[中国|成都]

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