本发明提供一种基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法，属于金刚石生长领域。包括有步骤：S1：选用合适的金刚石晶种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对晶种的四个侧面进行机械切割，形成锯齿状边缘，锯齿的方向和<110>方...

本发明提供一种基于边缘激光蚀刻处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法，属于金刚石生长领域。包括有以下步骤：S1：选用合适的金刚石晶种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对金刚石的四边进行激光刻蚀，使晶种的边缘形成容易生长石墨的石墨区域；S3：...

本发明提供一种基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法，属于金刚石生长领域。包括有以下步骤：S1：选用合适的金刚石晶种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对金刚石的四边进行镀膜处理；S3：将晶种放入MPCVD腔体，进行金刚石毛坯生长...